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公开(公告)号：WO2013095030A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：PCT/KR2012/011228
申请日：2012-12-21
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/68764 , B05D3/044 , C23C16/509 , H01J37/32366 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/3255 , H01J37/32568 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01J37/32752 , H01L21/02 , H01L21/02057 , H01L21/68771
Abstract: 본 발명은 플라즈마 공간과 소스 가스 분사 공간을 분리하여 박막 물질의 균일도를 증가시키고 박막 물질의 막질 제어를 용이하게 할 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 회전 가능하게 설치되어 복수의 기판을 지지하는 기판 지지부; 및 상기 기판 상에 플라즈마를 분출시키기 위한 플라즈마 형성 공간과 상기 기판 상에 소스 가스(Source Gas)를 분사하기 위한 소스 가스 분사 공간이 분리되도록 형성되어 상기 기판 지지부의 상부에 배치된 전극부를 포함하여 구성될 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种基板处理装置和基板处理方法，其中等离子体空间和源气体喷射空间彼此分离，以增加薄膜材料的均匀性，并且能够容易地控制 薄膜材料的薄膜性能。 根据本发明的基板处理装置包括：处理室; 基板支撑单元，其可旋转地布置在所述处理室中以支撑多个基板; 以及电极单元，其中将等离子体喷射到基板上的等离子体形成空间和用于将源气体喷射到基板上的源气体喷射空间彼此分离，电极单元设置在基板支撑单元上方。
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公开(公告)号：WO2011034335A2
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：PCT/KR2010/006289
申请日：2010-09-15
Applicant: 주성엔지니어링(주) , 허승회
Inventor： 허승회
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32091
Abstract: 본 발명은 챔버의 플라즈마 반응공간 사이에 발생되는 플라즈마 밀도를 균일하게 하여 기판 상에 균일한 박막을 형성할 수 있도록 한 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 반응공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재; 상기 기판 지지부재에 대향되도록 상기 챔버 내부에 설치되어 고주파 전력과 공정 가스가 공급되는 상부 전극; 전기적으로 접지되도록 상기 상부 전극의 상부에 설치된 접지부재; 및 상기 상부 전극과 상기 접지 부재의 각 에지 부분 사이에 전기적으로 접속되어 상기 상부 전극의 각 에지부에 인가되는 전류 분포를 증가시키기 위한 복수의 리액턴스 부재를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 等离子体处理装置技术领域本发明涉及一种通过使在腔室的等离子体反应空间之间产生的等离子体密度均匀化而在基板上均匀地形成薄膜的等离子体处理装置， 用于提供反应空间的腔室; 衬底支撑部件，其安装在腔室内以支撑衬底; 设置在所述腔室内的上电极，以面对所述基板支撑部件并被供应高频功率和工艺气体; 接地构件，设置在上部电极的上部以便电接地; 并且它的特征在于，电连接在上电极的每一个边缘部和接地部件之间包括多个电抗元件的用于增加的电流分布被施加到所述上电极的每一个边缘部分。
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公开(公告)号：KR102072575B1
公开(公告)日：2020-02-03
申请号：KR1020190012418
申请日：2019-01-31
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01J37/32
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公开(公告)号：KR101561675B1
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：KR1020140142872
申请日：2014-10-21
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
Abstract: 본발명은플라즈마공간과소스가스분사공간을분리하여박막물질의균일도를증가시키고박막물질의막질제어를용이하게할 수있도록한 기판처리장치및 기판처리방법에관한것으로, 본발명에따른기판처리장치는공정챔버; 상기공정챔버에설치되어기판을지지하는기판지지부; 상기기판상에플라즈마를분출시키기위한플라즈마형성공간; 상기기판상에소스가스(Source Gas)를분사하기위한소스가스분사공간; 및상기공정챔버의상부에설치되며, 상기기판지지부쪽으로일정한높이를가지도록나란하게돌출되어공간적으로분리되는상기플라즈마형성공간과상기소스가스분사공간을마련하는공간형성부재를포함하여구성될수 있다.
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公开(公告)号：KR1020140134246A
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：KR1020140142872
申请日：2014-10-21
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
Abstract: 본 발명은 플라즈마 공간과 소스 가스 분사 공간을 분리하여 박막 물질의 균일도를 증가시키고 박막 물질의 막질 제어를 용이하게 할 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 기판 상에 플라즈마를 분출시키기 위한 플라즈마 형성 공간; 상기 기판 상에 소스 가스(Source Gas)를 분사하기 위한 소스 가스 분사 공간; 및 상기 공정 챔버의 상부에 설치되며, 상기 기판 지지부 쪽으로 일정한 높이를 가지도록 나란하게 돌출되어 공간적으로 분리되는 상기 플라즈마 형성 공간과 상기 소스 가스 분사 공간을 마련하는 공간 형성 부재를 포함하여 구성될 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及通过从源气体注入空间分离等离子体空间并容易地控制薄膜材料的薄膜质量和基板处理方法来提高薄膜材料的均匀性的基板处理装置。 根据本发明的基板处理装置包括处理室; 基板支撑部，其安装在处理室并支撑基板; 用于将等离子体注入到基板上的等离子体形成空间; 用于将源气体注入到所述基板上的源气体注入空间; 以及空间形成构件，其安装在处理室的上部，并且准备在基板支撑部分中一排突出并在空间上分离以具有恒定高度的等离子体形成空间和源气体注入空间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130073777A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：KR1020110141796
申请日：2011-12-23
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/68764 , B05D3/044 , C23C16/509 , H01J37/32366 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/3255 , H01J37/32568 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01J37/32752 , H01L21/02 , H01L21/02057 , H01L21/68771
Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for processing a substrate are provided to improve the use efficiency of a source gas by preventing the deposition of a thin film material on a plasma electrode member. CONSTITUTION: A substrate support part (120) is rotatable in a process chamber (110). The substrate support part supports substrates. A plasma formation space for discharging plasma onto the substrate is formed. A source gas injection space for emitting a source gas onto the substrate is formed. An electrode part (130) is arranged in the upper part of the substrate support part.
Abstract translation: 目的：提供一种用于处理基板的装置和方法，以通过防止薄膜材料沉积在等离子体电极构件上来提高源气体的使用效率。 构成：衬底支撑部分（120）可在处理室（110）中旋转。 基板支撑部分支撑基板。 形成用于将等离子体排放到基板上的等离子体形成空间。 形成用于将源气体发射到基板上的源气体注入空间。 在基板支撑部的上部配置电极部（130）。
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公开(公告)号：KR1020110027365A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：KR1020090085428
申请日：2009-09-10
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/509
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to balance horizontal symmetry of plasma density in a reaction space of a process chamber through a balance member, thereby forming a uniform thin film on a substrate. CONSTITUTION: A process chamber provides a reaction space. A substrate support unit is installed in the process chamber to support a substrate. An antenna(140) is installed in the process chamber to face the substrate support unit. The antenna generates plasma in the reaction space using RF power. A balance member(146) balances horizontal symmetry of plasma density generated in the reaction space.
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，以通过平衡构件平衡处理室的反应空间中的等离子体密度的水平对称性，从而在基板上形成均匀的薄膜。 构成：处理室提供反应空间。 衬底支撑单元安装在处理室中以支撑衬底。 天线（140）安装在处理室中以面对基板支撑单元。 该天线使用RF功率在反应空间中产生等离子体。 平衡构件（146）平衡在反应空间中产生的等离子体密度的水平对称性。
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公开(公告)号：KR102020826B1
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：KR1020180153242
申请日：2018-12-03
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: H01J37/32
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公开(公告)号：KR101854738B1
公开(公告)日：2018-06-20
申请号：KR1020120002289
申请日：2012-01-09
Applicant: 주성엔지니어링(주)
IPC: C23C16/509 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 본발명은박막증착장치, 플라즈마발생장치, 및박막증착방법을제공한다. 이박막증착장치는진공용기를포함한다. 이박막증착장치는복수의접지전극, 접지전극사이에배치되고접지전극에대향하게배치된전원전극, 제1 가스공급라인을통하여접지전극과전원전극사이에공급된제1 가스를이용하여플라즈마를형성하는플라즈마영역, 제2 가스공급라인을통하고접지전극을관통하여공급된제2 가스를이용하여플라즈마와상호작용하는반응영역, 및반응영역에배치된기판홀더를포함하고, 기판홀더상에배치된기판에박막이형성된다.
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