公开(公告)号：KR101178767B1

公开(公告)日：2012-09-07

申请号：KR1020080106942

申请日：2008-10-30

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 신경호 ,  민병철

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01F10/3254 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3277 ,  H01F10/3286 ,  H01L43/08 ,  H03B15/006 ,  Y10T428/1114 ,  Y10T428/1143

Abstract: 본 발명은 이중 자기 이방성 자유층을 갖는 자기 터널 접합 구조에 관한 것으로서, 고정된 자화 방향을 지닌 제1 자성층과; 반전 가능한 자화 방향을 지닌 제2 자성층과; 상기 제1 자성층과 상기 제2 자성층 사이에 형성되는 비자성층과; 상기 제2 자성층과의 자성 결합에 의해 상기 제2 자성층의 자화 방향을 상기 제2 자성층의 평면에 대하여 경사지게 하며, 수직 자기 이방성 에너지가 수평 자기 이방성 에너지보다 큰 제3 자성층과; 상기 제2 자성층과 상기 제3 자성층 사이에 형성되며, 상기 제2 및 제3 자성층 간의 결정 배향성을 분리하는 결정구조 분리층을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 구조를 제공한다.
본 발명에 의하면, 자기 터널 접합 구조를 구성하는 자유 자성층을, 자기 이방성의 방향 및 크기가 서로 다른 두 개 이상의 자성 박막으로 구성하여, 재생신호 값 증대 및 스위칭에 필요한 임계전류 값 저감 효과를 독립적으로 최적화할 수 있다.
수직 자기 이방성, 자기 터널 접합, 경사, 전류 인가 자기 저항

公开(公告)号：KR101096517B1

公开(公告)日：2011-12-20

申请号：KR1020090099432

申请日：2009-10-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민병철 ,  최경민 ,  신경호

IPC: G11C11/15

CPC classification number: H01L43/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3286

Abstract: 본 발명은 수직이방성 자유층을 갖는 자기 터널 접합 구조에 관한 것으로서, 고정된 자화 방향을 지닌 제1 자성층과, 반전 가능한 자화 방향을 지닌 제2 자성층과, 상기 제1 자성층과 상기 제2 자성층 사이에 형성되는 비자성층 (터널장벽층)과, 상기 제1 자성층과의 자성 결합에 의해 상기 제1 자성층의 자화 방향을 박막면에 대하여 수직방향으로 향하게 하며, 수직 자기 이방성 에너지가 수평 자기 이방성 에너지보다 큰 제3 자성층과, 상기 제1 자성층과 상기 제3 자성층 사이에 형성되며, 상기 제1 및 제3 자성층 간의 결정 배향성을 분리하는 제1 결정구조 분리층과, 상기 제2 자성층과의 자성 결합에 의해 상기 제2 자성층의 자화 방향을 박막면에 대하여 수직방향으로 향하게 하며, 수직 자기 이방성 에너지가 수평 자기 이방성 에너지보다 큰 제4 자성층, � �� 상기 제2 자성층과 상기 제4 자성층 사이에 형성되며, 상기 제2 및 제4 자성층 간의 결정 배향성을 분리하는 제2 결정구조 분리층을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 터널 접합 구조를 제공한다.
본 발명에 의하면, 자기 터널 접합 구조를 구성하는 자유 자성층 및 고정 자성층의 자화방향을 수직으로 유지함으로써 스위칭에 필요한 임계전류 값을 낮추고, 소자의 크기를 작게 제작하더라도 열적 안정성을 유지할 수 있다.
수직 자기 이방성, 자기 터널 접합, 전류 인가 자기 저항

公开(公告)号：KR1020110042657A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：KR1020090099432

申请日：2009-10-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민병철 ,  최경민 ,  신경호

IPC: G11C11/15

CPC classification number: H01L43/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3286

Abstract: PURPOSE: A magnetic tunnel junction structure with perpendicular magnetization layers is provided to reduce a threshold current value required for a magnetization reversal by maintaining the magnetization direction of a first magnetic layer to be vertical to a first magnetic layer. CONSTITUTION: In a magnetic tunnel junction structure with perpendicular magnetization layers, a first magnetic layer(10) has a fixed magnetization direction. A second magnetic layer(20) has a reversible magnetization direction. A nonmagnetic layer(70) is formed between the first magnetic layer and the second magnetic layer. A third magnetic layer(30) is united with the first magnetic layer through magnetism. The magnetization direction of the first magnetic layer is moved to the vertical direction to a thin plane. A first crystalline structure separation layer(50) divides the crystal orientation between first and third magnetic layers. A fourth magnetic layer(40) is united the second magnetic layer through magnetism. The magnetization direction of the second magnetic layer is moved to the vertical direction of the thin plane. A second crystalline structure separation layer(60) divides the crystal orientation between second and fourth magnetic layers.

Abstract translation: 目的：提供具有垂直磁化层的磁性隧道结结构，以通过保持第一磁性层的磁化方向垂直于第一磁性层来减小磁化反转所需的阈值电流值。 构成：在具有垂直磁化层的磁隧道结结构中，第一磁性层（10）具有固定的磁化方向。 第二磁性层（20）具有可逆的磁化方向。 在第一磁性层和第二磁性层之间形成非磁性层（70）。 第三磁性层（30）通过磁性与第一磁性层结合。 第一磁性层的磁化方向向垂直方向移动到薄平面。 第一晶体结构分离层（50）将第一和第三磁性层之间的晶体取向分开。 第四磁性层（40）通过磁性将第二磁性层结合在一起。 第二磁性层的磁化方向移动到薄平面的垂直方向。 第二晶体结构分离层（60）将第二和第四磁性层之间的晶体取向分开。

公开(公告)号：KR1020110038419A

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：KR1020090095703

申请日：2009-10-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 신일재 ,  민병철 ,  신경호

IPC: G11C11/15

CPC classification number: H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F41/22 ,  H01F41/307 ,  H01L43/12

Abstract: PURPOSE: A magnetic tunnel junction device and a method for manufacturing the same are provided to prevent the diffusion of an element for deteriorating the operation property of a magnetic tunnel junction by processing a magnetic junction device with an in-situ in deposition. CONSTITUTION: A first magnetic layer(10) has a magnetization direction which can be reversed. A nonmagnetic layer(20) is located on the first magnetic layer. A second magnetic layer(30) is located on the nonmagnetic layer. A second magnetic layer has a fixed magnetization direction. An oxidation prevention layer(40) is located on the second magnetic layer. A third magnetic layer(50) is located on the oxidation prevention layer. The third magnetic layer holds the magnetization direction of the second magnetic layer. An anti- ferroelectric material layer(60) holds the magnetization direction of the third magnetic layer.

Abstract translation: 目的：提供一种磁性隧道结装置及其制造方法，以通过在原位沉积处理磁性结装置来防止用于恶化磁性隧道结的操作性能的元件的扩散。 构成：第一磁性层（10）具有可以反转的磁化方向。 非磁性层（20）位于第一磁性层上。 第二磁性层（30）位于非磁性层上。 第二磁性层具有固定的磁化方向。 氧化防止层（40）位于第二磁性层上。 第三磁性层（50）位于氧化防止层上。 第三磁性层保持第二磁性层的磁化方向。 抗铁电材料层（60）保持第三磁性层的磁化方向。