公开(公告)号：KR1020150129871A

公开(公告)日：2015-11-23

申请号：KR1020140056210

申请日：2014-05-12

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원국 ,  황도경 ,  박동희 ,  이범희 ,  진창규 ,  최동권

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/52 ,  H01L51/44

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/00 ,  H01L51/44 ,  H01L51/52

Abstract: 유기광·전자소자의봉지막을형성하는방법으로서, 기판위에질화규소(SiN) 제1층을적층하고, 제1층위로암모니아를구성요소로포함하는질화규소(SiN) 제2층을적층하며, 제2층위로이산화규소(SiO)용액을적층하여제3층을형성한후, 상기 3개의박막층을수분분위기에서열처리하여단일층실리콘옥시나이트라이드(SiOxNy)막을형성하는발명으로, 제3층을형성한경우, 열처리단계에서이산화규소(SiO)용액이제1층과제2층의다공으로침투하여가수분해반응을통하여유기소자의산소및 수분의접촉을차단하는단일층 SiON 봉지막을형성한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成有机光子和电子器件的封装层的方法，包括以下步骤：在衬底上堆叠由氮化硅（SiN_x）制成的第一层; 在第一层上堆叠由氮化硅（SiN_x）制成并且包括氨作为组分的第二层; 在第二层上堆叠二氧化硅（SiO_2）溶液以形成第三层，并且通过在潮湿气氛下热处理三层薄膜层来形成单层氮氧化硅（SiO_xN_y）膜，其中在形成第三层之后 通过使二氧化硅（SiO_2）溶液侵入到第一层和第二层的孔中，在热处理工序中进行水解反应，形成用于阻止有机装置的氧和水接触的单层SiO_xN包封膜。