나노링 구조의 탄소나노튜브와 고분자 물질 기반의 유전체 및 그 제조방법

    公开(公告)号:KR101781836B1

    公开(公告)日:2017-09-28

    申请号:KR1020150163896

    申请日:2015-11-23

    Abstract: 본발명은 PVDF 등의고분자물질을이용하여유전체를제조함에있어서, 고분자물질에분산성이우수한나노링구조의탄소나노튜브를분산시킴으로써분산된나노링구조의탄소나노튜브가전도성필러(conductive pillar) 역할을수행하도록하여유전체의정전용량을증대시킬수 있는나노링구조의탄소나노튜브와고분자물질기반의유전체및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른나노링구조의탄소나노튜브와고분자물질기반의유전체제조방법은분산용액에고분자물질및 나노링구조의탄소나노튜브를분산시키는단계; 고분자물질및 나노링구조의탄소나노튜브가분산된분산용액을성형하는단계; 및분산용액을증발시켜고분자물질및 나노링구조의탄소나노튜브로이루어진유전체를제조하는단계를포함하여이루어지며, 상기나노링구조의탄소나노튜브는, 탄소나노튜브가결합용고분자와비공유결합을이루며, 상기결합용고분자는π-공액상고분자, 방향족고분자, 비방향족고분자중 어느하나또는이들의조합인것을특징으로한다.

    나노링 구조의 탄소나노튜브와 고분자 물질 기반의 유전체 및 그 제조방법
    5.
    发明公开
    나노링 구조의 탄소나노튜브와 고분자 물질 기반의 유전체 및 그 제조방법 有权
    纳米环结构碳纳米管和聚合物基电介质及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020170059671A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:KR1020150163896

    申请日:2015-11-23

    Abstract: 본발명은 PVDF 등의고분자물질을이용하여유전체를제조함에있어서, 고분자물질에분산성이우수한나노링구조의탄소나노튜브를분산시킴으로써분산된나노링구조의탄소나노튜브가전도성필러(conductive pillar) 역할을수행하도록하여유전체의정전용량을증대시킬수 있는나노링구조의탄소나노튜브와고분자물질기반의유전체및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른나노링구조의탄소나노튜브와고분자물질기반의유전체제조방법은분산용액에고분자물질및 나노링구조의탄소나노튜브를분산시키는단계; 고분자물질및 나노링구조의탄소나노튜브가분산된분산용액을성형하는단계; 및분산용액을증발시켜고분자물질및 나노링구조의탄소나노튜브로이루어진유전체를제조하는단계를포함하여이루어지며, 상기나노링구조의탄소나노튜브는, 탄소나노튜브가결합용고분자와비공유결합을이루며, 상기결합용고분자는π-공액상고분자, 방향족고분자, 비방향족고분자중 어느하나또는이들의조합인것을특징으로한다.

    Abstract translation: 本发明通过在纳米环结构的碳纳米管分散涉及,纳米环结构分散的碳纳米管导电填料(导电柱)具有优异的分散性的聚合物材料的制造电介质的使用的聚合物材料如聚偏氟乙烯 以用作所述纳米环结构的碳纳米管sikilsu增加系电介质和聚合物材料的电介质的电容,并且,因为它涉及一种用于根据本发明的基于制备碳纳米管的纳米环结构的与聚合物材料 制造电介质的方法包括将聚合物材料和纳米环碳纳米管分散在分散溶液中; 将分散有聚合物材料和纳米环结构的碳纳米管的分散溶液成型; 并蒸发,得到分散溶液制成,包括生产由聚合物材料和碳纳米管的纳米环结构的电介质的步骤,所述纳米环结构的碳纳米管是用于粘合的碳纳米管的聚合物侘共价键 并且偶联聚合物是π-共轭液体聚合物,芳族聚合物和非芳族聚合物中的任何一种,或其组合。

    수소이온농도 센서 및 그 제조방법
    6.
    发明授权
    수소이온농도 센서 및 그 제조방법 有权
    PH传感器及其制造方法

    公开(公告)号:KR101638501B1

    公开(公告)日:2016-07-11

    申请号:KR1020150040939

    申请日:2015-03-24

    CPC classification number: G01N27/4146

    Abstract: 본발명은탑게이트(top gate) 구조의전계효과트랜지스터(FET, field effect transistor)를 pH센서로응용함에있어서, 게이트전극을은 나노선(Ag nanowire) 박막형태로구성하여게이트전극의비표면적을최대화하고이를통해수소이온농도측정의정확성및 신뢰도를향상시킬수 있는수소이온농도센서및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른수소이온농도센서는기판; 상기기판상에구비된반도체활성층; 상기기판상에구비되며, 상기반도체활성층의양측부에각각접촉하는소스전극, 드레인전극; 상기반도체활성층, 소스전극및 드레인전극을포함한기판전면상에구비된게이트절연막; 상기게이트절연막에구비되는게이트전극; 및상기게이트절연막상에구비되어, 분석대상시료과게이트전극의접촉공간을제공하는시료유출입구조물을포함하여이루어지며, 상기게이트전극은은 나노선(Ag nanowire)이적층된구조인것을특징으로한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种氢离子浓度(pH)传感器及其制造方法,其使用顶栅结构的场效应晶体管(FET)构成银(Ag)纳米线薄膜形式的栅电极, pH传感器,以使栅电极的比表面积最大化,以提高pH测量的准确性和可靠性。 根据本发明,pH传感器包括:基底; 设置在所述基板上的半导体激活层; 源电极和漏电极,其设置在基板上并与半导体激活层的两侧接触; 栅极绝缘膜,设置在包括半导体激活层,源电极和漏电极的基板的整个表面上; 设置在所述栅极绝缘膜上的栅电极; 以及设置在栅极绝缘膜上以提供待分析样品和栅电极的接触空间的样品入口/出口结构。 栅电极具有沉积Ag纳米线的结构。

    스마트 섬유를 이용한 자세 제어 시스템

    公开(公告)号:KR101842067B1

    公开(公告)日:2018-03-26

    申请号:KR1020160062978

    申请日:2016-05-23

    Abstract: 본발명은스마트섬유를이용한자세제어시스템에관한것으로, 본발명의일 실시예에따른자세제어시스템은, 각각 2 이상의압전센서로구성된제1 척추감지부, 제2 척추감지부, 둔부감지부및 대퇴감지부를포함하고, 상기제1 척추감지부와제2 척추감지부는의자의등받이부에사용자의머리쪽 방향의상부척추및 지면방향의하부척추의위치에대응하게배치되고, 상기둔부감지부와상기대퇴감지부는상기의자의좌석부에등받이방향과그 반대방향으로각각배치되는, 자세감지유닛; 상기자세감지유닛으로부터의측정된압력신호에따른사용자의자세와기 설정된기준자세를비교하여사용자의자세가정상인지여부를판단하는제어부; 및상기제어부에의해판단된사용자의자세에관한정보를사용자에게알리는, 자세피드백유닛을포함한다.

    스마트 섬유를 이용한 자세 제어 시스템
    8.
    发明公开
    스마트 섬유를 이용한 자세 제어 시스템 审中-实审
    使用智能光纤的姿态控制系统

    公开(公告)号:KR1020170132022A

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:KR1020160062978

    申请日:2016-05-23

    Abstract: 본발명은스마트섬유를이용한자세제어시스템에관한것으로, 본발명의일 실시예에따른자세제어시스템은, 각각 2 이상의압전센서로구성된제1 척추감지부, 제2 척추감지부, 둔부감지부및 대퇴감지부를포함하고, 상기제1 척추감지부와제2 척추감지부는의자의등받이부에사용자의머리쪽 방향의상부척추및 지면방향의하부척추의위치에대응하게배치되고, 상기둔부감지부와상기대퇴감지부는상기의자의좌석부에등받이방향과그 반대방향으로각각배치되는, 자세감지유닛; 상기자세감지유닛으로부터의측정된압력신호에따른사용자의자세와기 설정된기준자세를비교하여사용자의자세가정상인지여부를판단하는제어부; 및상기제어부에의해판단된사용자의자세에관한정보를사용자에게알리는, 자세피드백유닛을포함한다.

    Abstract translation: 本发明使用智能纤维涉及一种位置控制系统,根据本发明的一个实施例中,每个包括两个或更多个所述第一椎骨检测部分的压电传感器,第二脊检测器,臀部检测器和所述姿态控制系统 股骨感测包括部件的所述第一脊柱感测单元和第二被布置为对应于靠背上部椎骨的使用者的头部侧的方向和地表面方向的脊椎感测单元,髋传感器的下部脊柱的位置及 其中大腿感测部分分别沿靠背方向和与靠背感测部分相反的方向布置在人的靠背部分中; 控制器,用于根据来自姿态感测单元的测量的压力信号和预定的参考姿态来比较用户的姿态,以确定用户的姿势是否正常; 以及姿态反馈单元,用于向用户通知由控制单元确定的关于用户姿态的信息。

    흑린을 기반으로 하는 트랜지스터 및 전자 소자, 상기 트랜지스터의 제조 방법
    9.
    发明公开
    흑린을 기반으로 하는 트랜지스터 및 전자 소자, 상기 트랜지스터의 제조 방법 有权
    基于黑色荧光体的晶体管和电子器件,制造晶体管的方法

    公开(公告)号:KR1020160107556A

    公开(公告)日:2016-09-19

    申请号:KR1020150030450

    申请日:2015-03-04

    CPC classification number: H01L29/1025 C01B25/02 H01L29/41783 H01L2924/05432

    Abstract: 흑린을기반으로하는트랜지스터는, 기판; 상기기판상에서로이격되어형성된소스전극및 드레인전극; 상기기판상에상기소스전극과상기드레인전극을연결하며, 흑린(Black Phosphorus)을포함하는채널층; 및상기흑린을포함하는채널층상에산화알루미늄(Al2O3)을포함하는패시베이션층을포함하는포함한다. 이에따라, 흑린의반응속도를제어하여전기적특성이우수하고저주파잡음이감소한고성능의트랜지스터를제조할수 있다.

    Abstract translation: 基于黑磷的晶体管包括:基板; 源极和漏极彼此分离形成在衬底上; 连接基板上的源电极和漏极的沟道层,并且包括黑磷; 以及在包含黑磷的沟道层上的包含氧化铝(Al_2O_3)的钝化层。 因此,可以制造通过控制黑磷的反应速度而具有优异的电性能和降低的低频噪声的高功能晶体管。

    양자점 감응형 산화물 광감지 트랜지스터와 그 제조방법
    10.
    发明公开
    양자점 감응형 산화물 광감지 트랜지스터와 그 제조방법 无效
    量子敏感金属氧化物照相机及其制造工艺

    公开(公告)号:KR1020150072888A

    公开(公告)日:2015-06-30

    申请号:KR1020130160542

    申请日:2013-12-20

    CPC classification number: H01L51/42

    Abstract: 본발명은양자점감응형산화물광감지트랜지스터와그 제조방법에관한것으로서, 더욱상세하게는산화물반도체(IGZO) 박막트랜지스터에리간드치환반응시킨양자점광흡수층을산화물전하수송층으로형성시킴으로서전류점멸비가우수하고집적화가용이한트랜지스터를제조할수 있으며, 부가적인집적화공정없이도트랜지스터센서어레이를용이하게제작할수 있으므로유리또는플라스틱기판에도집적화가용이하여다양한평판디스플레이이미지센서로적용가능한새로운개념의양자점감응형산화물광감지트랜지스터에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种量子点敏化氧化物光敏晶体管及其制造方法,更具体地说,涉及一种新概念的量子点敏化氧化物光敏晶体管,其被应用于各种平板显示图像传感器, 玻璃或塑料基板,通过容易地制造晶体管传感器阵列而不需要额外的集成工艺,并制造能够容易地获得积分并通过形成量子光吸收层获得导通和截止电流比的晶体管,以在IGZO上进行配体交换过程 薄膜晶体管作为氧化物电荷传输层。

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