플래티늄 나노입자-자성 나노입자-산화 그래핀 혼성체 및 그 제조방법
    31.
    发明授权
    플래티늄 나노입자-자성 나노입자-산화 그래핀 혼성체 및 그 제조방법 有权
    铂纳米颗粒 - 磁性纳米颗粒 - 石墨烯氧化物杂化物及其制备方法

    公开(公告)号:KR101481813B1

    公开(公告)日:2015-01-12

    申请号:KR1020130074506

    申请日:2013-06-27

    Abstract: 본 발명은 플래티늄 나노입자-자성 나노입자-산화 그래핀 혼성체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 산화 그래핀의 표면에 자성 나노입자가 고정되어 있고, 상기 자성 나노입자 및 산화 그래핀의 표면에 플래티늄 나노입자가 고정되어 있는 플래티늄 나노입자-자성 나노입자-산화 그래핀 혼성체는 (a) 자성 나노입자를 산화 그래핀에 고정시켜 자성 나노입자-산화 그래핀 혼성체를 제조하는 단계; 및 (b) 플래티늄 나노입자를 상기 자성 나노입자-산화 그래핀 혼성체에 고정시켜 플래티늄 나노입자-자성 나노입자-산화 그래핀 혼성체를 제조하는 단계를 포함하는 방법에 의하여 제조되며, 기존의 자성 나노입자만 사용한 경우에 비해 비약적으로 향상된 과산화효소로서의 높은 활성을 나타내므로, 단독 또는 유기 효소와 같이 고정화함으로써, 효소를 이용하는 효소면역측정법(ELISA), 바이오 센서 또는 면역진단화학에서 과산화효소의 대체물로 이용 가능하다.

    대역확산신호 수신기의 동작방법
    32.
    发明授权
    대역확산신호 수신기의 동작방법 有权
    传播接收机的操作方法

    公开(公告)号:KR101399115B1

    公开(公告)日:2014-05-30

    申请号:KR1020130098726

    申请日:2013-08-20

    Abstract: An embodiment provides an operating method of a spread-spectrum signal receiver comprising a step of calculating a difference value between a specific matrix of a predetermined straight signal and an autocorrelation function matrix which is correlation-performed in a correlator when a receiving signal is inputted; a step of determining if the receiving signal is a multi-path signal by comparing the difference value with a predetermined standard value; and a step of determining an arbitrary signal among receiving signals as a straight signal based on a plurality of time delay values and amplitude values which are formed by applying the autocorrelation function matrix to a predetermined high-functional signal decomposition algorithm if the receiving signal is the multi-path signal.

    Abstract translation: 实施例提供了一种扩频信号接收机的操作方法,包括以下步骤:当输入接收信号时,计算预定直线信号的特定矩阵与在相关器中相关执行的自相关函数矩阵之间的差值; 通过将差值与预定标准值进行比较来确定接收信号是否为多路径信号的步骤; 以及基于多个时间延迟值和通过将自相关函数矩阵应用于预定的高功能信号分解算法而形成的幅度值,将接收信号中的任意信号确定为直线信号的步骤,如果接收信号是 多径信号。

    자성 나노입자-플래티늄 나노입자-다공성 탄소 복합체 및 그 제조방법
    33.
    发明公开
    자성 나노입자-플래티늄 나노입자-다공성 탄소 복합체 및 그 제조방법 有权
    磁性纳米颗粒 - 纳米颗粒 - 多孔碳复合物及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020110128606A

    公开(公告)日:2011-11-30

    申请号:KR1020100048137

    申请日:2010-05-24

    CPC classification number: G01N33/5434 C01B32/05

    Abstract: PURPOSE: A magnetic nanoparticle-platinum nanoparticle-porous carbon complex and a method for manufacturing the same are provided to improve the activity of peroxidase by integrating platinum nanoparticles and magnetic nanoparticles in the pores of porous carbon. CONSTITUTION: Magnetic nanoparticles are fixed to porous carbon to obtain a magnetic nanoparticle-porous carbon complex by immersing Fe(NO_3)_3 in ethanol and implementing a deposition process under an inert gas atmosphere. Platinum nanoparticles are fixed to the magnetic nanoparticle-porous carbon complex in order to obtain a magnetic nanoparticle-platinum nanoparticle-porous carbon complex by immersing H2PtCl6·6H2O in the 1M of sodium hydroxide/ethylene glycol solution and implement a deposition process under an inert gas atmosphere. The porous carbon is selected from a group including MSU-F, SNU-1, CMK-3, and CMK-5. The magnetic nanoparticle-platinum nanoparticle-porous carbon complex includes peroxidase activity.

    Abstract translation: 目的:提供磁性纳米颗粒 - 铂纳米颗粒 - 多孔碳复合物及其制备方法,以通过将铂纳米颗粒和磁性纳米颗粒纳入多孔碳的孔中来提高过氧化物酶的活性。 构成:将磁性纳米颗粒固定在多孔碳上,通过将Fe(NO 3)3浸入乙醇中并在惰性气体气氛下进行沉积,得到磁性纳米颗粒多孔碳复合物。 将铂纳米颗粒固定在磁性纳米颗粒 - 多孔碳复合物上,以便通过将H2PtCl6·6H2O浸入1M的氢氧化钠/乙二醇溶液中来实现磁性纳米颗粒 - 铂纳米颗粒 - 多孔碳复合物,并在惰性气体下进行沉积 大气层。 多孔碳选自MSU-F,SNU-1,CMK-3和CMK-5。 磁性纳米颗粒 - 铂纳米颗粒 - 多孔碳复合物包括过氧化物酶活性。

    다결정 실리콘 박막을 이용한 EEPROM 및 플래스 메모리와 그 제조방법
    34.
    发明授权
    다결정 실리콘 박막을 이용한 EEPROM 및 플래스 메모리와 그 제조방법 失效
    使用多晶硅薄膜的EEPROM和闪存存储器及其制造方法

    公开(公告)号:KR100216978B1

    公开(公告)日:1999-09-01

    申请号:KR1019970009097

    申请日:1997-03-18

    Abstract: 본 발명은 다결정 실리콘 박막을 이용한 EEPROM 및 플래시 메모리와 그 제조방법에 관한 것으로서, 상세하게는 다결정 실리콘 박막을 이용한 EEPROM 및 플래시 메모리를 싼 가격에 고밀도로 제조하기 위하여 다결정 실리콘 위에 형성된 산화막의 누설전류, 절연파괴전압 및 QBD(charge to breakdowm) 특성이 단결정 실리콘 위에 형성된 열산화막과 유사한 산화막을 게이트 산화막으로 이용하는 것이다.
    이를 위해 본 발명에서는 게이트 산화막을 ICP(Inductively Coupled Plasma), ECR (Electron Cyclotron Resonance) 및 Helicon 등의 전극을 사용하는 고밀도 플라즈마 발생장치를 이용하여 산소 분위기 또는 NO 가스 및 N
    2 O가스와 같은 질소원자를 포함한 가스 분위기에서 N
    2 O 플라즈마 산화막으로 형성한다. 또한 플로팅 게이트와 컨트롤 게이트 사이의 절연체 역시 플라즈마 산화법에 의해 산화막을 형성함으로써 메모리 셀의 신뢰성을 향상을 꾀한 것이다.
    이로써, 다결정 실리콘 박막을 이용한 EEPROM 및 플래시 메모리를 싼 가격에 고밀도로 제조할 수 있다.

    절연체로 N2O 플라즈마 산화막을 이용한 EEPROM 및 플래시 메모리와 그 제조방법
    35.
    发明公开
    절연체로 N2O 플라즈마 산화막을 이용한 EEPROM 및 플래시 메모리와 그 제조방법 失效
    EEPROM和使用N2O等离子氧化膜作为绝缘体的闪存及其制造方法

    公开(公告)号:KR1019980073675A

    公开(公告)日:1998-11-05

    申请号:KR1019970009096

    申请日:1997-03-18

    Abstract: 본 발명은 EEPROM 및 플래시 메모리와 그 제조방법에 관한 것으로서, 상세하게는 플로팅 게이트와 컨트롤 게이트 사이의 절연체(interpoly dielectric)로 N
    2 O 플라즈마 산화막을 이용한 EEPROM 및 플래시 메모리와 그 제조방법이다.
    본 발명에서는 EEPROM 및 플래시 메모리의 절연체로 N
    2 O 플라즈마 산화막을 이용하며, 도핑된 다결정 실리콘의 플로팅 게이트(floating gate) 위에 형성된 산화막의 누설전류 특성이 단결정 실리콘 위에 형성된 열산화막과 유사하고, 스트레스(stress)가 적으며 저온 공정이 가능한 산화막 형성방법을 제시하여 산화막/질화막/산화막(oxide/nitride/oxide)의 3중 층 구조의 첫 번째 산화막을 안정되게 형성한다. 또한 상기 3중 층 구조의 절연체를 단층(single layer)의 산화막으로 하여 제조공정을 단순화시킨 것이다.

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