Abstract:
A tactile sensor utilizing the micro-bending property of optical fiber and a manufacturing method thereof, and a distributed load measuring apparatus using the same are provided to measure the distribution of external load by measuring change in the light intensity generated in the tactile sensor including intersecting optical fibers. A tactile sensor utilizing the micro-bending property of optical fiber comprises a first optical fiber(10a) consisting of core in which the light passes and cladding that surrounds the core, a second optical fiber(10b) arranged in the orthogonal direction on the first optical fiber, and silicon rubber(41) molding the first and the second optical fiber meeting at right angle.
Abstract:
PURPOSE: A floating 3-D metal device on a semiconductor substrate, a circuit of the same, and a method for fabricating the same are provided to improve capacity of a semiconductor device by reducing a loss of a signal. CONSTITUTION: A substrate(11) is prepared. A 3-D sacrificial mold is formed on the substrate. The 3-D mold has the first space extended from a bottom metal layer(13) of the 3-D sacrificial mold to an upper portion and the second space separated from the bottom metal layer(13) of the 3-D sacrificial mold. The first space and the second space are filled by the third metal layer(21). The 3-D sacrificial mold is removed. The third metal layer(21) of a spiral shape is supported by the first support plates(22). A 3-D spiral inductor(104) is fabricated by installing a bottom ground metal layer(29) on a lower portion.
Abstract:
본 발명은 측면 전계 방출을 이용한 2-축 가속도 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 기존의 전계 방출을 이용한 가속도 센서는 수직형 전계 방출을 이용하기 때문에 1-축에 대한 가속도 밖에 측정 할 수 없었다. 그렇지만 본 발명에서는 측면 전계 방출을 이용하기 때문에 2-축에 대한 가속도를 동시에 측정할 수 있다. 화학 기계적 연마방식을 이용하여 탐침 간격이 매우 좁은 탐침 전극을 제조하기 때문에 낮은 전압에서 동작을 하게 되고 또한 기존의 높은 전압에 의한 정전기력을 이용하여 탐침을 가까이 가져오는 단계가 필요하지 않게 된다. 전계 방출을 이용하면 다른 방식의 가속의 감지 방법에 비해서 높은 감지도와 민감도를 가진다.
Abstract:
본 발명은 자외선램프가 장착된 유도결합 플라즈마 구리식각장치에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발aud은 낮은 온도에서도 구리의 삭각율을 높일 수 있으며 대면적의 웨이퍼에도 효과적으로 사용할 수 있도록 유도 결합 플라즈마 장치에 자외선 방지수단을 장착한 구리식각장치 및 전기 장치를 이용하여 구리를 식각하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 구리삭각장치는 공정챔버 내에 유전체창, 안테나 및 라디오파 차단모가 형성되고 할로겐가스와 구리의 반응생성물을 탈착하여 웨이퍼의 구리를 식각하는 유도결합 플라즈마 구리식각장치에 있어서, 웨이퍼에 자외선을 방사하기위한 자외선램프; 전기한 유전체창을 자외선투과가 가능하도록 구성한 투사 유전체창; 및, 전기한 자외선램프에서 방사된 빛의 최대량을 웨이퍼에 입사시키기 위한 평행광용 자외선거울로 구성된 자외선 방사수단이 장착된 것을 특징으로 하며, 본 발명의 구리식각방법은 할로겐가스와 구리의 반응생성물을 탈착하여 웨이퍼의 구리를 식각하는 유도 결합 플라즈마에 의한 구리식각시, 전기 구리식각장치의 자외선 방사수단에 의해 자외선을 입사하여 반응생성물의 탈착에 필요한 에너지를 인가하는 과정을 포함한다.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a heating device and a method for manufacturing a heat spraying type ink jet print head are provided to obtain superior mechanical properties by utilizing a single crystal silicon island such as a single silicon pattern or an isolated substrate surface part as a heating resistance, thereby extending the lifespan of the heating resistance and reducing the number of protection layers surrounding the heating resistance. CONSTITUTION: A method for manufacturing a heat spraying type ink jet print head includes the steps of forming an impurity area(120a) on a surface of a heating part of a single crystal silicon substrate(110) with an impurity doping concentration higher than the substrate by the ion-injection method, forming a single crystal silicon film pattern on the impurity area with an impurity doping concentration lower than the impurity area, forming a porous silicon area in the impurity area only, forming a thermal oxidation film by oxidizing the whole surface and the porous silicon area, forming a thermal oxidation film pattern by patterning the thermal oxidation film to expose a predetermined area of the single crystal silicon film pattern and the substrate surface of a main ink supply part, forming heating electrodes(160a) and electro-plating electrodes(162a), forming an insulation pattern(165a) covering the heating electrodes, forming a plating seed layer(170) on the whole surface, forming a photosensitive film pattern(175a) having an opening part for exposing the plating seed layer, forming a plating layer pattern(180a) for exposing a predetermined area of the photosensitive film pattern, removing the substrate located in the main ink supply part and the electro-plating electrodes, and removing the plating seed layer and the photosensitive film pattern.
Abstract:
본 발명은 화학적 기계적 연마(Chemical-Mechanical-Polishing: CMP) 방법을 이용한 측면형 전계 방출 소자의 제조방법에 관한 것이다. 기존의 측면형 전계 방출 소자는 열적 스트레스 방법이나 전기적 스트레스를 이용하여 제조하기 때문에 전계 방출을 위한 간격의 재현성에 문제가 있는데 반하여, 본 발명에서는 전계 방출 소자 탐침의 간격이 산화막 두께에 의해 결정되기 때문에 초 미세 간격의 형성이 가능하다. 즉, 초 미세 간격이므로 전계 방출 소자의 구동 전압이 매우 낮고, 구동 전류가 커지게 된다. 또한, 제조 공정이 매우 간단하며, 넓은 면적도 제조가 가능해서 디스플레이로도 응용 가능한 장점을 가진다.
Abstract:
120도 이하의 저온에서 단일의 3차원 구조의 포토레지스트 몰드 패터닝과 단일의 금속 도금을 이용한 간단한 공정에 의해서 높은 집적 회로 호환성과 우수한 생산성 및 저렴한 제조 비용으로 종래의 기술로는 제조가 어려웠던 3차원 구조의 쏠레노이드 인덕터를 모놀리식 방식으로 제조하는 방법이 개시되어 있다. 본 발명의 제 1 실시 예에 따르면, 다중 노광 및 단일 현상법에 의해서 3차원 브릿지 몰드를 형성하고 금속 도금을 실시하여, 도전 포스트를 형성한 도금 금속이 넘침에 의해 상부 도전선을 형성함으로써, 도전 포스트와 상부 도전선이 한 몸체인 금속 브릿지를 단일의 금속 도금 과정에서 얻는다. 본 발명의 제 2 실시 예에 따르면, 포토레지스트로 이루어진 희생층을 사용하여 자성 코어를 내포한 쏠레노이드 인덕터를 제작한다. 본 발명의 제 3 실시 예, 제 4 실시 예 및 제 5 실시 예에 따르면, 제 3 씨앗 금속층 또는 더미 포스트를 도입함으로써 길이의 제한이 없는 금속 브릿지를 형성하여, 결국에는 길이의 제한이 없으면서 공심 또는 자성 코어를 내포하는 쏠레노이드 인덕터를 제조한다.
Abstract:
본 발명은 고해상도 고속 프린팅이 가능한 잉크젯 프린트헤드를 제작하는 데 있어서 잉크방에 잉크를 공급하는 통로로 사용되는 잉크 공급로를 기판에 2개 이상 2차원 배열로 배치하여 2차원 노즐 배치를 구현하는 것에 대한 것이다. 본 발명에 의하면 기존의 1개 잉크 공급로 주변에 노즐을 일렬로 배치하는 방식에서 나타나는 집적도의 저하 문제점이 해결되어 기판에 매우 많은 수의 노즐을 집적할 수 있고 이에 따라 고속 프린팅이 요구되는 고해상도 프린트헤드의 구현이 현실화될 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a heating device and a method for manufacturing a heat spraying type ink jet print head are provided to obtain superior mechanical properties by utilizing a single crystal silicon island such as a single silicon pattern or an isolated substrate surface part as a heating resistance, thereby extending the lifespan of the heating resistance and reducing the number of protection layers surrounding the heating resistance. CONSTITUTION: A method for manufacturing a heat spraying type ink jet print head includes the steps of forming an impurity area(120a) on a surface of a heating part of a single crystal silicon substrate(110) with an impurity doping concentration higher than the substrate by the ion-injection method, forming a single crystal silicon film pattern on the impurity area with an impurity doping concentration lower than the impurity area, forming a porous silicon area in the impurity area only, forming a thermal oxidation film by oxidizing the whole surface and the porous silicon area, forming a thermal oxidation film pattern by patterning the thermal oxidation film to expose a predetermined area of the single crystal silicon film pattern and the substrate surface of a main ink supply part, forming heating electrodes(160a) and electro-plating electrodes(162a), forming an insulation pattern(165a) covering the heating electrodes, forming a plating seed layer(170) on the whole surface, forming a photosensitive film pattern(175a) having an opening part for exposing the plating seed layer, forming a plating layer pattern(180a) for exposing a predetermined area of the photosensitive film pattern, removing the substrate located in the main ink supply part and the electro-plating electrodes, and removing the plating seed layer and the photosensitive film pattern.
Abstract:
PURPOSE: A circuit of digital driving for a liquid crystal displayer is provided to reduce the number of data bus lines and data latches by managing the information about bits of the digital image information in order according to time. CONSTITUTION: The device includes the first data latch(31), a shift register(33), the second data latch(32) and a digital/analog converter(34). The first data latch(31) stores the data of the digital image information in order through a data bus. The shift register(33) locks the operation of the first data latch(31) to the location of the digital image information input from the outside. The second data latch(32) stores the digital information stored in the first data latch(31) before converting into analog. The digital/analog converter(34) inputs the data of the digital image information stored in the second data latch(32) in order each bit and converts them into the analog signal.