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公开(公告)号：KR101852084B1
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：KR1020160047582
申请日：2016-04-19
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 본발명은필름형태의가공필름에결합되는가공층을레이저빔으로가공하고, 가공된가공층을다수적층고정시킴으로써, 고강도이고, 초경량이며, 고기능성인 3차원구조체를쉽고용이하게형성할수 있는나노박막의레이저가공을이용한 3차원구조체의제조방법에관한것이다. 이를위해나노박막의레이저가공을이용한 3차원구조체의제조방법은가공층이결합된가공필름을롤러유닛에설치한상태에서롤러유닛을동작시켜가공필름을가공영역에정위치시키는제1정위치단계와, 가공영역에서기설정된패턴에대응하여레이저유닛을동작시켜레이저빔으로가공층을가공하는패터닝단계와, 롤러유닛을동작시켜패터닝단계를거쳐가공된가공층을적층스테이지또는적층스테이지에안착된기판상에정위치시키는제2정위치단계및 가공된가공층이적층스테이지또는기판상에적층되도록스퀴지유닛을동작시켜가공필름을적층스테이지쪽으로가압하는적층단계를포함하고, 상술한단계를순차적으로반복실시하여나노박막으로 3차원구조체를제조할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160029479A
公开(公告)日：2016-03-15
申请号：KR1020140119082
申请日：2014-09-05
Applicant: 한국기계연구원
CPC classification number: B29C33/3857 , B29C59/022 , B29C65/528 , B29C2033/426 , B29C2059/023
Abstract: 3차원다단복합스탬프의제작방법및 3차원다단복합스탬프를이용한위조방지필름의제작방법에서, 상기 3차원다단복합스탬프의제작방법은트랜치(trench)를포함하는몰드패턴을형성하는단계, 상기몰드패턴상에금속을증착하는단계, 상기몰드패턴의트랜치에만금속을잔류시키는단계, 상기잔류한금속을클러스터링(clustering)시키는단계, 상기클러스터링된금속으로상기트랜치상에미세홀을형성하는단계, 및상기클러스터링된금속을제거하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及三维多层复合印模的制造方法和使用三维多层复合印模制造防伪薄膜的方法。 制造三维多层复合印模的方法包括以下步骤：形成包括沟槽的模具图案; 将金属沉积在模具图案上; 仅将金属留在模具图案的沟槽中; 聚集余下的金属; 在沟槽上形成具有聚集金属的细孔; 并移除集群金属。 根据制造三维多层复合印模的方法，可以制造不能锻造和廉价的大规模生产型防伪薄膜。
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公开(公告)号：KR1020140141151A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：KR1020130062560
申请日：2013-05-31
CPC classification number: C23C14/225 , B82Y40/00 , C23C14/04 , G02B5/3058
Abstract: 양각 패턴과 음각 패턴된 형성된 기판에 금속을 증착시키는 단계; 및 상기 증착된 금속에 열처리와 함께 압력을 인가하여 상기 금속을 상기 양각 또는 음각 패턴에 선택적으로 재배열하여, 상기 양각 및 음각 패턴에 대응하는 양각 또는 음각 나노구조체를 형성하는 단계를 포함하며, 여기에서 상기 금속은 상기 음각 패턴 전체를 채우지 않도록 증착되는 것을 특징으로 하는 금속 나노구조체 제조방법이 제공된다.
Abstract translation: 提供一种制备金属纳米结构的方法，包括以下步骤：在形成有压花图案和凹版图案的基板中蒸发金属; 并通过向蒸发的金属施加压力和热过程来选择性地重新排列压花图案或凹版图案上的金属，并形成压花或凹版纳米结构以对应于压花图案和凹版图案，其中金属蒸发不填充 整个凹版图案。
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公开(公告)号：KR1020140092972A
公开(公告)日：2014-07-25
申请号：KR1020130005007
申请日：2013-01-16
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a structure using a bonding process between different materials and an energy element using the same. According to the present invention, the method for manufacturing a structure using the bonding between different materials comprises a structure forming step for forming a structure on a first substrate; a bonding medium layer coating step for coating the structure and a second substrate consisting of different materials with a bonding medium layer; a bonding step for bonding the structure and the bonding medium layer; and a separating step for separating the first substrate so that the structure is left on the second substrate. Therefore, provided is the method for manufacturing a structure using the bonding between different materials capable of increasing the bond strength between a structure and a second substrate by solidifying a bonding medium layer after an element is diffused on a contact surface of the structure and the bonding medium layer or a contact surface of a bonding enhancing layer and the bonding medium layer and alloyed.
Abstract translation: 本发明涉及使用不同材料之间的接合工艺和使用其的能量元件制造结构的方法。 根据本发明，使用不同材料之间的接合制造结构的方法包括在第一基板上形成结构的结构形成步骤; 用于涂覆该结构的粘合介质层涂覆步骤和由不同材料组成的第二基底与粘合介质层; 用于结合所述结构和所述接合介质层的接合步骤; 以及分离步骤，用于分离第一基板，使得结构留在第二基板上。 因此，提供了一种使用能够通过在元件在结构的接触表面上扩散之后固化接合介质层的结合物和能够增加结构和第二基板之间的结合强度的不同材料之间的接合的结构的制造方法， 中间层或接合增强层的接触表面和接合介质层并合金化。
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公开(公告)号：KR101408181B1
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：KR1020120132182
申请日：2012-11-21
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 본 발명은 나노패턴이 형성된 기판 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 나노패턴이 형성된 기판 제조방법은 기판상에 희생층을 적층하는 희생층적층단계; 상기 희생층상에 패턴층을 적층하는 패턴층적층단계; 상기 패턴층에 상호 이웃하며 돌출형성되는 돌출패턴을 형성하는 돌출패턴형성단계; 상기 돌출패턴 및 상호 이웃한 돌출패턴 사이에 평탄층을 적층하는 평탄층적층단계; 상기 기판의 일부가 노출되도록 상기 돌출패턴상에 위치하는 상기 평탄층과 상기 돌출패턴 하측에 위치하는 상기 희생층과 상기 돌출패턴을 식각하는 식각단계; 상기 평탄층 및 상기 노출된 기판상에 재료층를 적층하는 재료층적층단계; 리프트-오프(lift-off) 공정으로 상기 희생층을 제거하여 상기 기판상에 상호 이웃하며 돌출된 나노패턴을 형성하는 나노패턴형성단계;를 포함하며, 상기 식각단계에서 상기 평탄층이 하변의 길이보다 상변의 길이가 긴 역경사를 형성하도록 상기 평탄층의 식각 속도는 상기 희생층과 상기 패턴층의 식각속도 보다 느린 것을 특징으로 한다.
이에 의하여, 패턴층이 식각될 때 하변의 길이보다 상변의 길이가 긴 역경사를 형성함으로써, 최종적으로 형성되는 나노구조의 윗면이 평탄하게 형성되어 소자의 효율이 향상되는 나노패턴이 형성된 기판 제조방법이 제공된다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101399460B1
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：KR1020120117980
申请日：2012-10-23
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 본 발명은 이종 재료 나노패턴이 내장된 기판 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 이종 재료 나노패턴이 내장된 기판 제조방법은 기판위에 기저층을 적층하는 기저층적층단계; 상기 기저층 위에 희생층을 적층하는 희생층적층단계; 상기 희생층 위에 상호 이웃하며 돌출되는 나노패턴을 형성하는 패턴형성단계; 상기 기판의 일부가 노출되도록 이웃하는 나노패턴 사이 공간의 하측에 위치하는 희생층 및 기저층을 식각하는 식각단계; 상기 노출된 기판 및 상기 나노패턴 상에 상기 기저층과 이종재료로 이루어지는 이종층을 적층하는 이종층적층단계; 상기 희생층이 제거되도록 희생층 제거액에 상기 희생층을 침지하여 상기 기저층과 상기 이종층으로 이루어지는 내장 패턴을 형성하는 내장패턴형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 의하여, 기저층에 이종층이 내장되어 평탄하게 연속적으로 구성되는 내장패턴 상에 제작되는 발광소자나 광전소자 등의 효율이 향상되는 이종 재료 나노패턴이 내장된 기판 제조방법이 제공된다.-
公开(公告)号：KR1020140051671A
公开(公告)日：2014-05-02
申请号：KR1020120117980
申请日：2012-10-23
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: The present invention relates to a method of manufacturing a substrate in which a nanopattern having dissimilar materials is embedded. According to the present invention, provided is the method of manufacturing the substrate in which the nanopattern having the dissimilar materials is embedded. The method includes: a base layer laminating step of laminating a base layer on the substrate; a sacrificial layer laminating step of laminating a sacrificial layer on the base layer; a pattern forming step of forming nanopatterns on the sacrificial layer, the nanopatterns protruding and neighboring to each other; an etching step of etching the sacrificial and base layers located at a lower side of a space between the nanopatterns neighboring to each other such that a portion of the substrate is exposed; a dissimilar layer laminating step of laminating a dissimilar layer on the exposed substrate and the nanopatterns, wherein the dissimilar layer is formed of a kind of a material different from the material of the base layer; and an embedded pattern forming step of immersing the sacrificial layer in a sacrificial layer removing solution to remove the sacrificial layer such that an embedded pattern including the base layer and the dissimilar layer is formed. Thus, provided is the method of manufacturing the substrate in which the nanopattern formed of different kinds of materials is embedded, such that efficiency of a light emitting device or a photoelectric element manufactured on an embedded pattern including a dissimilar layer which is even and sequentially embedded in the base layer.
Abstract translation: 本发明涉及一种其中嵌入具有不同材料的纳米图案的基板的制造方法。 根据本发明，提供了嵌入具有不同材料的纳米图案的基板的制造方法。 该方法包括：在基板上层压基层的基层层压步骤; 在所述基底层上层叠牺牲层的牺牲层层压步骤; 在牺牲层上形成纳米图案的图案形成步骤，所述纳米图案彼此突出并相邻; 蚀刻步骤，蚀刻位于彼此相邻的纳米图案之间的空间的下侧的牺牲基底层，使得基底的一部分被暴露; 在暴露的基板和纳米图案上层叠不同层的不同层层叠步骤，其中所述不同层由与所述基层的材料不同的材料形成; 以及将牺牲层浸渍在牺牲层去除溶液中以去除牺牲层的嵌入图案形成步骤，使得形成包括基层和不相似层的嵌入图案。 因此，提供了制造其中嵌入由不同种类的材料形成的纳米图案的基板的方法，使得在包括均匀且顺序地嵌入的不相似层的嵌入图案上制造的发光器件或光电元件的效率 在基层。
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公开(公告)号：KR1020130121553A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：KR1020120044864
申请日：2012-04-27
Applicant: 한국기계연구원
CPC classification number: G03F7/0002 , G03F7/3064 , G03F7/40 , G03F7/70808 , G03F7/70841 , G03F7/70991
Abstract: The present invention relates to a vacuum chamber type large area nano-imprinting apparatus and a method using the same. The vacuum chamber type large area nano-imprinting apparatus in the present invention, for an imprint device pattering resist to be deposited on a substrate, comprises the following: a chamber; a vacuum forming part discharging air inside the chamber to create a vacuum; an elevating part arranged inside the chamber and moving the substrate, in which the resist is deposited, up and down; and a holder releasing the imprinting stamp to do a free fall to the resist during the imprinting process, holding the imprinting stamp to be separated from the resist. Accordingly, excluding a phenomenon in which a cavity is formed in a vacuum state, the vacuum chamber type large area nano-imprinting apparatus enabling a high quality nano-imprinting process is provided. [Reference numerals] (130) Vacuum forming part
Abstract translation: 本发明涉及真空室型大面积纳米压印装置及其使用方法。 在本发明中的真空室型大面积纳米压印装置中，对于沉积在基板上的压印抗蚀剂的印模装置，包括：室; 真空成型部，其排出所述室内的空气以产生真空; 升降部，其布置在所述室内并且移动其中所述抗蚀剂沉积的所述基板上下; 以及在压印过程中释放印记印模以对抗蚀剂进行自由下落的保持器，保持印记印记与抗蚀剂分离。 因此，除了在真空状态下形成空腔的现象之外，还提供了能够实现高质量纳米压印加工的真空室型大面积纳米压印装置。 （附图标记）（130）真空成型部
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公开(公告)号：KR101304467B1
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：KR1020110138507
申请日：2011-12-20
Applicant: 한국기계연구원
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 함몰형 금속패턴 형성방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 함몰형 금속패턴 형성방법은 기판 상에 광경화성 레진층을 적층하는 광경화성 레진층 적층단계; 상기 광경화성 레진 상에 열가소성 레진층을 적층하는 열가소성 레진층 적층단계; 임프린팅(Imprinting)을 이용하여 상기 열가소성 레진층을 패터닝하는 동시에 상기 광경화성 레진층에 함몰영역이 형성되도록 하는 복합 임프린팅 단계; 상기 열가소성 레진층의 상측 및 광경화성 레진층의 함몰영역 내에 금속층을 증착하는 금속층 증착단계; 상기 열가소성 레진층 및 열가소성 레진층의 상측에 적층된 금속층을 제거하는 제거단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 의하여, 균일한 형태의 함몰형 금속패턴을 용이하게 제작할 수 있는 함몰형 금속패턴 형성방법이 제공된다.-
公开(公告)号：KR101299559B1
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：KR1020110070576
申请日：2011-07-15
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 본 발명은 블록공중합체 정렬을 이용한 나노 구조물 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 블록공중합체 정렬을 이용한 나노 구조물 제조방법은 기판 상에 반응층을 적층하는 반응층 적층단계; 상기 반응층 상에 다수의 볼록부를 상호 이격되게 형성하는 볼록부 형성단계; 이웃하는 상기 볼록부 사이의 반응층에 이온빔을 조사함으로써 상기 반응층을 식각하되, 상기 이온빔에 의하여 식각되는 반응층 중 적어도 일부가 상기 볼록부의 측벽면에 재증착되어 프리패턴을 형성하도록 하는 프리패턴 형성단계; 상기 볼록부를 제거하는 볼록부 제거단계; 상기 이웃하는 프리패턴 사이의 기판 상에 남아있는 반응층을 제거하는 반응층 제거단계; 상기 기판 상의 상기 이웃하는 프리패턴 사이에 블록공중합체 패턴을 정렬하는 블록공중합체 패턴 형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 의하여, 단일 공정으로 블록공중합체를 원하는 형태로 정렬하여 나노 구조물을 제조할 수 있는 블록공중합체 정렬을 이용한 나노 구조물 제조방법이 제공된다.
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