Abstract:
The present invention relates to a flexible substrate and a manufacturing method thereof and, more specifically, to a flexible substrate manufacturing method with a buried metal wiring and a flexible substrate with a buried metal wiring manufactured by the same capable of efficiently burying the metal wiring in a polymer substrate by using a sacrificial substrate which is flexible and removable easily and perfectly. The flexible substrate manufacturing method with the buried metal wiring by using the sacrificial substrate according to the present invention includes the following steps of: preparing the sacrificial substrate which is comprised of a soluble material with an alkali metal hydroxide; forming the metal wiring in the upper part of the sacrificial substrate; coating and hardening a hardening polymer on the upper part of the sacrificial substrate by including the metal wiring; and melting the sacrificial substrate by reacting to the alkali metal hydroxide.
Abstract:
본 발명은 자장여과 아크 소스 장치를 이용한 그래핀의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 그래핀에 관한 것으로, 상세하게는 기판 상부에 촉매금속층을 형성시키는 단계(단계 1); 탄소소재 음극을 포함하는 자장여과 아크 소스(Filtered vacuum arc source) 장치의 탄소소재 음극을 플라즈마화 시켜 상기 단계 1에서 형성된 촉매금속층 상부로 10 내지 40 nm 두께로 비정질 탄소박막을 형성시키는 단계(단계 2); 상기 단계 2에서 형성된 비정질 탄소박막을 열처리하는 단계(단계 3); 및 상기 단계 3의 열처리가 수행된 박막을 냉각하여 그래핀층을 형성시킨 후, 기판을 분리하는 단계(단계 4)를 포함하는 그래핀 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 자장여과 아크 소스 장치를 이용한 그래핀의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 그래핀은 취급이 어려운 수소가스를 사용하지 않고 흑연을 원료로 하여 그래핀을 제조할 수 있고, 제조되는 그래핀의 두께를 제어할 수 있다. 또한, 우수한 기계적 특성 및 전기적 특성을 나타내는 그래핀을 높은 생산성으로 제조할 수 있으며, 결함이 적은 고품위의 그래핀이 제조되는 효과가 있다.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a flexible substrate with a buried metal wire and the flexible substrate manufactured by the same are provided to insert a metal wire to the flexible substrate by using a sacrificial layer made of water or organic solvent soluble polymer or photodegradable polymer. CONSTITUTION: A substrate is coated with a sacrificial layer made of water or organic solvent soluble polymer or photodegradable polymer(S100). A metal wire is formed on the upper side of the sacrificial layer(S200). A polymer layer with a buried metal wire is formed by coating the upper side of the sacrificial layer with curable polymer(S300). The substrate is separated from the polymer layer(S400). [Reference numerals] (AA, DD, GG) Sacrificial layer; (BB) Substrate; (CC) Metal wiring electrode; (EE, HH) Substrate; (FF) Curable polymer; (S400) Curable polymer
Abstract:
PURPOSE: A wear-resistant thin film having a micro and nano surface structure and a forming method thereof are provided to allow the application of a wear-resistant thin film to various fields by forming projections and embossing suitable for frictional environments and demanded wear resistances. CONSTITUTION: A wear-resistant thin film(10) comprises a micro-nano surface structure layer(16) and a low-friction layer(18). The micro-nano surface structure layer has micro-size embossing(12) formed on a mechanically grinded work piece(W) and nano-size projections(14) formed on the surface of the embossing. The low-friction layer is formed on the outer side of the micro-nano surface structure layer.
Abstract:
본 발명은 유기태양전지용 다층박막 봉지 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는 서로 다른 구조적 특성의 질화규소(SiN x ) 박막을 상층 및; 하층으로 성막시킨 것을 특징으로 하는 것과 DLC 박막을 하층 및; 질화규소(SiN x ) 박막이 상층으로 성막시킨 것을 특징으로 하는 유기태양전지용 다층박막 봉지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유기태양전지용 다층박막봉지는 높은 광 투과성을 나타내면서도 수분 및 산소의 침투율이 낮으며, 제조과정 중 발생할 수 있는 소자의 열적 손상을 방지 할 수 있는 결과, 제품의 제조안정성을 향상시켜 유기태양전지 및 유기발광소자에 유용하게 사용할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A multi-layered thin film encapsulation for an organic solar cell and a manufacturing method thereof are provided to improve the manufacture stability of a product by preventing the thermal damage of an element which is generated in a manufacturing process. CONSTITUTION: A substrate(1) comprises an upper layer(3) and a lower layer(2). A silicon nitride layer is layered on the lower layer. The silicon nitride layer is layered on the upper layer. The permeability of the lower layer of the silicon nitride is more than 70%. The permeability of the upper layer of the silicon nitride is more than 80%. The silicon nitride layer of the lower layer and the upper layer is layered using a hotwire chemical vapor deposition system. A lower particulate of the silicon nitride has porous morphology and an upper particulate of the silicon nitride has dense morphology.
Abstract:
PURPOSE: A vacuum arc deposition device having a double bending plasma duct is provided to achieve reduced device size because the straight length of the double bending plasma duct is shorter than that of a single bending plasma duct. CONSTITUTION: A vacuum arc deposition device having a double bending plasma duct comprises an evaporation unit, a plasma duct, and a magnetic field generating unit. The plasma duct comprises a first bent portion which has a first radius of curvature and a first center of curvature and a second bent portion which is extended from the first bent portion and has a second radius of curvature and a second center of curvature facing the first center of curvature. The magnetic field generating unit comprises a first and a second magnetic field source surrounding the plasma duct, and a first and a second induced magnetic field source.
Abstract:
본 발명에 관한 유리 성형용 금형은 표면에 금속 중간층이 형성되는 모재와, 금속 중간층 표면에 형성되는 질화물 확산방지막과, 질화물 확산방지막 표면에 형성되는 금속박막을 포함한다. 확산방지막은 고온 환경에서도 화학적으로 안정하며 기계적 성질이 뛰어난 질화물을 포함하므로 산화방지성능과 확산저항성능이 개선되어 유리 성형용 금형의 수명이 향상되는 효과가 있다.