혼합 리간드에 의해 캡슐화된 금속 나노입자 화학 센서 및센서 어레이
    31.
    发明授权
    혼합 리간드에 의해 캡슐화된 금속 나노입자 화학 센서 및센서 어레이 有权
    基于由配体混合物和传感器阵列封装的金属纳米颗粒的化学传感器

    公开(公告)号:KR100578747B1

    公开(公告)日:2006-05-12

    申请号:KR1020030097067

    申请日:2003-12-26

    Abstract: 본 발명에 따라 금속 나노 입자가 상대적으로 전도도가 낮은, 다양한 조성비를 가진 2종 이상의 서로 다른 분자 리간드들에 의해 캡슐화되어 있는 혼합 리간드 금속 나노입자 화학 센서 및 기판 위에 그 금속 나노 입자 센서의 필름을 형성한 화학 센서 어레이가 제공된다.
    본 발명의 혼합 리간드를 이용한 금속 나노입자 센서는 감지 대상에 대한 감도 및 반응 속도가 향상되고, 다양한 감지 대상에 대한 선택성이 우수하여, 금속 나노입자 센서를 구성하는 혼합 리간드의 리간드 종류 및 조성을 조정함으로서 고감도의 나노입자 센서를 센서어레이 기술에 응용가능하게 하며, 센서 특성의 설계가 가능해져 분석 대상에 대한 가장 효율적인 센서 어레이 구성의 체계적 접근을 가능하게 한다. 이러한 고감도 나노입자 센서의 어레이 기술에로의 응용은 인체의 호흡 가스나 그 밖의 분비물을 통한 비침습성 실시간 질병진단 기술에 큰 기여를 할 것으로 기대된다.
    혼합 리간드, 금속 나노입자, 센서, 센서 어레이, 인조 후각, 인조 미각, 패턴인식

    센서 구조체 및 그 제조방법
    32.
    发明授权
    센서 구조체 및 그 제조방법 失效
    传感器结构及其方法

    公开(公告)号:KR100561908B1

    公开(公告)日:2006-03-20

    申请号:KR1020030097259

    申请日:2003-12-26

    CPC classification number: G01N27/126

    Abstract: 본 발명의 센서 구조체는 우물 구조를 갖는 멤브레인 중앙에 가열기 및 온도 센서를 구비하여 낮은 소비전력으로 빠르게 온도제어가 가능하도록 하고, 피분석물 분석은 가열기 상에 구현된 한 쌍의 감지 전극과 감지막을 이용하여 두개 이상의 기판 온도에서 측정한 전도도 변화를 이용한다. 상기 센서 감지막은 전도성 입자와 비전도성 유기물 혼합체로 구성가능하다.
    센서 어레이(sensor array), 전자코(electronic nose), 마이크로 히터(microheater), 멤브레인(membrane), 온도 의존성

    평판 디스플레이 소자 및 평판 디스플레이 소자의 보호막형성 방법
    33.
    发明授权
    평판 디스플레이 소자 및 평판 디스플레이 소자의 보호막형성 방법 失效
    平板显示器和在平板显示器中形成钝化层的方法

    公开(公告)号:KR100507463B1

    公开(公告)日:2005-08-10

    申请号:KR1020020060108

    申请日:2002-10-02

    Abstract: 본 발명은 보호막의 구성원소를 포함하는 전구체들간의 표면화학반응을 통하여 원자층증착법으로 보호막을 형성하는 평판 디스플레이 소자 및 평판 디스플레이 소자의 보호막 형성 방법에 관한 것이다.
    본 발명은 평판 디스플레이 소자를 기판 상에 제조하는 단계, 보호막을 형성하기 위해 기판 상에 제조된 평판 디스플레이 소자를 챔버내에 배치하는 단계, 보호막을 구성하는 원소를 포함하는 전구체들을 상기 챔버에 주입하는 단계 및 전구체들간의 표면화학반응을 통하여 원자층증착법으로 20 내지 220℃ 의 온도에서 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 평판 디스플레이 소자의 보호막 형성방법 및 그 평판 디스플레이 소자를 제공한다.
    이러한 구성을 통하여, 저온에서 양질의 보호막을 비교적 간단한 공정으로 제조할 수 있어, 유기발광소자 또는 디지털페이퍼 등 수분 및 산소에 민감한 소자의 보호막으로 이용하면 소자의 수명을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

    전계 방출 소자의 MIM 에미터 및 그 제조 방법
    36.
    发明授权
    전계 방출 소자의 MIM 에미터 및 그 제조 방법 失效
    通过MIM接口来实现

    公开(公告)号:KR100464007B1

    公开(公告)日:2005-01-03

    申请号:KR1020020025366

    申请日:2002-05-08

    Abstract: PURPOSE: A metal-insulator-metal emitter and a method for manufacturing the same are provided to reduce procedures and shorten the process time, while achieving improved characteristics. CONSTITUTION: A method for manufacturing a metal-insulator-metal emitter comprises the steps of forming a first electrode on a substrate; forming an insulating film on the first electrode through an atomic layer deposition; and forming a second electrode on the insulating film. The step of forming the insulating film includes a first step(S101) of disposing the substrate with the first electrode in a chamber; a second step(S103) of injecting a carrier gas and trimethyl aluminum in the chamber; a third step(S105) of removing the residual particles by injecting nitrogen or inert gas; a fourth step(S107) of forming an aluminum oxide thin film by injecting water or ozone for surface chemical reaction between the water and the trimethyl aluminum; and a fifth step(S109) of removing the residual particles by injecting nitrogen or inert gas.

    Abstract translation: 目的:提供一种金属 - 绝缘体 - 金属发射体及其制造方法,以减少程序并缩短处理时间,同时实现改进的特性。 构成:用于制造金属 - 绝缘体 - 金属发射体的方法包括以下步骤:在衬底上形成第一电极; 通过原子层沉积在第一电极上形成绝缘膜; 以及在绝缘膜上形成第二电极。 形成绝缘膜的步骤包括:第一步骤(S101),将具有第一电极的基板布置在腔室中; 第二步骤(S103),在腔室中注入载气和三甲基铝; 通过注入氮气或惰性气体除去残留颗粒的第三步骤(S105) 第四步骤(S107),通过注入水或臭氧以形成氧化铝薄膜,用于水和三甲基铝之间的表面化学反应; 和通过注入氮气或惰性气体除去残留颗粒的第五步骤(S109)。

    원자층 증착법을 이용한 c축 배향 ZnO 박막 제조방법및 이를 이용한 광소자
    37.
    发明授权
    원자층 증착법을 이용한 c축 배향 ZnO 박막 제조방법및 이를 이용한 광소자 失效
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    公开(公告)号:KR100455070B1

    公开(公告)日:2004-11-06

    申请号:KR1020020010166

    申请日:2002-02-26

    Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a c-axis oriented ZnO thin film using an atomic layer deposition(ALD) method is provided to form a thin film oriented to a c-axis by using a glass substrate of low price and large area at a temperature of 300 deg.C or lower. CONSTITUTION: The substrate is positioned inside a chamber(S101). A zinc precursor is injected to the chamber together with carrier gas so that a zink precursor reactant is absorbed to the substrate(S102). Nitrogen gas or inert gas is injected to remove non-absorbed particles(S103). Oxygen gas is injected(S104). Oxygen precursors are injected to form a zink oxide thin film through a surface chemical reaction(S105). Nitrogen gas or inert gas is injected to eliminate non-absorbed particles and surface chemical byproducts(S106).

    Abstract translation: 目的:提供一种使用原子层沉积(ALD)法制造c轴取向的ZnO薄膜的方法,以通过使用价格低且大面积的玻璃基板在温度下形成取向为c轴的薄膜 300℃或更低。 构成:衬底位于室内(S101)。 将锌前体与载气一起注入腔室,从而将锌前体反应物吸收到基板上(S102)。 注入氮气或惰性气体以去除未吸收的颗粒(S103)。 注入氧气(S104)。 通过表面化学反应注入氧前体以形成氧化锌薄膜(S105)。 注入氮气或惰性气体以消除未吸收的颗粒和表面化学副产物(S106)。

    원자층 증착법을 이용한 c축 배향 ZnO 박막 제조방법및 이를 이용한 광소자
    38.
    发明公开
    원자층 증착법을 이용한 c축 배향 ZnO 박막 제조방법및 이를 이용한 광소자 失效
    使用原子层沉积方法和使用其的光学器件制造C轴定向的ZNO薄膜的方法

    公开(公告)号:KR1020030070675A

    公开(公告)日:2003-09-02

    申请号:KR1020020010166

    申请日:2002-02-26

    Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a c-axis oriented ZnO thin film using an atomic layer deposition(ALD) method is provided to form a thin film oriented to a c-axis by using a glass substrate of low price and large area at a temperature of 300 deg.C or lower. CONSTITUTION: The substrate is positioned inside a chamber(S101). A zinc precursor is injected to the chamber together with carrier gas so that a zink precursor reactant is absorbed to the substrate(S102). Nitrogen gas or inert gas is injected to remove non-absorbed particles(S103). Oxygen gas is injected(S104). Oxygen precursors are injected to form a zink oxide thin film through a surface chemical reaction(S105). Nitrogen gas or inert gas is injected to eliminate non-absorbed particles and surface chemical byproducts(S106).

    Abstract translation: 目的:提供使用原子层沉积(ALD)方法制造c轴取向的ZnO薄膜的方法,以通过使用低价格和大面积的玻璃基板在温度下形成取向为c轴的薄膜 为300℃以下。 构成:衬底位于腔室内(S101)。 将锌前体与载气一起注入到腔室中,使得锌镉前体反应物被吸收到基底上(S102)。 注入氮气或惰性气体以除去未吸收的颗粒(S103)。 注入氧气(S104)。 注入氧前体以通过表面化学反应形成锌氧化物薄膜(S105)。 注入氮气或惰性气体以消除未吸收的颗粒和表面化学副产物(S106)。

    전계 발광 소자 및 그 제조 방법
    39.
    发明公开
    전계 발광 소자 및 그 제조 방법 无效
    电致发光显示器及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020030064028A

    公开(公告)日:2003-07-31

    申请号:KR1020020004433

    申请日:2002-01-25

    CPC classification number: H05B33/145 H05B33/10 H05B33/12 H05B33/26

    Abstract: PURPOSE: An electro-luminescence display is provided to reduce a loss of light to a side portion and improve the luminance by forming a phosphor layer or a transparent conductive layer having a projection-shaped surface. CONSTITUTION: An electro-luminescence display includes a substrate(21), the first electrode(22), a phosphor layer(24), and the second electrode(26). The first electrode is formed on an upper portion of the substrate. The phosphor layer is formed on an upper portion of the first electrode. The second electrode is formed on an upper portion of the phosphor layer. One of the first electrode, the phosphor layer, and the second electrode has a projection-shaped surface. The first insulating layer(23) is formed between the first electrode and the phosphor layer. The second insulating layer(25) is formed between the phosphor layer and the second electrode.

    Abstract translation: 目的:提供电致发光显示器,以减少对侧面部分的光损失,并且通过形成具有突出形状的表面的荧光体层或透明导电层来提高亮度。 构成:电致发光显示器包括基板(21),第一电极(22),荧光体层(24)和第二电极(26)。 第一电极形成在基板的上部。 荧光体层形成在第一电极的上部。 第二电极形成在荧光体层的上部。 第一电极,荧光体层和第二电极中的一个具有突出形状的表面。 第一绝缘层(23)形成在第一电极和荧光体层之间。 第二绝缘层(25)形成在荧光体层和第二电极之间。

    교류-직류 하이브리드형 박막전계발광소자
    40.
    发明授权
    교류-직류 하이브리드형 박막전계발광소자 失效
    - AC-DC薄膜混合电致发光器件

    公开(公告)号:KR100319766B1

    公开(公告)日:2002-01-05

    申请号:KR1019990059759

    申请日:1999-12-21

    Abstract: 다색또는천연색을발광하는전계발광소자에관한것으로, 이를위한본 발명은하나의기판상에복수개의색을발광하기위해교류구동형단색전계발광소자와직류구동형단색전계발광소자를포함하여이루어지고, 그리고본 발명은발광색과모체에따라적합한구동방식을택하여수평및 수직배열하여하이브리드형으로제조하거나, 각각의전계발광소자를포함하는두 기판을접함하므로써보다우수한발광특성을가진다색및 천연색전계발광소자를구현할수 있는효과가있다.

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