-
公开(公告)号：KR1020060067080A
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020050027862
申请日：2005-04-04
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L24/81
Abstract: 본 발명은 플립 칩 본딩방법에 관한 것으로, 반도체 칩의 패드 상에 금속범프를 형성하는 단계와, 상기 금속범프의 말단에 소정두께의 전도성 접착제를 형성하는 단계와, 열 접합공정을 통해 상기 반도체 칩을 미리 마련된 반도체 기판의 패드에 접합시키는 단계를 포함함으로써, 원가가 절감되고 공정이 간편해질 뿐만 아니라 열 방출이 원활하게 할 수 있는 효과가 있다.
플립 칩, 반도체 기판, 반도체 칩, 전도성 접착제, 실버 에폭시, 이방 전도성 필름(ACF), 금속범프-
公开(公告)号：KR100568067B1
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：KR1020030073166
申请日：2003-10-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 리프트오프 방법을 이용함에 따른 재현성 저하를 개선시키는데 적합한 화합물반도체소자의 금속배선 형성 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명은 기판 상부에 접착력 강화를 위한 티타늄(Ti)과 전기도금을 위한 시드 역할을 하는 금(Au)을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 금(Au) 상에 금속배선예정영역을 오픈시키는 감광막패턴을 형성하는 단계, 상기 금속배선예정영역에 금속배선 역할을 하는 금(Au)을 전기도금법으로 형성하는 단계, 상기 감광막패턴을 제거하는 단계, 및 상기 티타늄, 금 및 금속배선용 금의 순서로 적층된 금속배선구조를 형성하기 위해 불산용액을 이용하여 습식식각하는 단계를 포함하여, 리프트오프방법이 아닌 습식식각법을 이용하므로써 재현성이 우수하면서 깨끗한 금속배선을 형성할 수 있는 효과가 있다.
화합물반도체소자, HBT, 금속배선, 시드금속, 전기도금, 리프트오프, 습식식각, 불산용액, Au-
公开(公告)号：KR100494559B1
公开(公告)日：2005-06-13
申请号：KR1020020072689
申请日：2002-11-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/737
Abstract: 본 발명은 에미터 렛지(emitter ledge)를 갖는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 베이스 전극과 에미터 렛지간의 간격이 정밀하게 제어된 이종접합 쌍극자 트랜지스터 및, 추가적인 마스크의 사용없이 정밀한 렛지 보호막을 형성시킬 수 있는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다. 본 발명의 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법에서는, 에미터 메사 형성시 소정 두께의 에미터층을 잔류시켜 에미터 렛지층으로 사용하고, 에미터 메사와 잔류 에미터층 위에 유전체층을 형성하여 식각 마스크로 사용함으로써 에미터층의 측면 식각이 최대한으로 억제된 정밀한 크기의 에미터 렛지를 형성한다. 종래 제조방법에 비하여 식각 정밀도를 향상시킬 수 있으므로 소자 특성에 변화가 없는 균일한 소자의 제조로 수율 향상을 도모할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR100454505B1
公开(公告)日：2004-10-28
申请号：KR1020020050124
申请日：2002-08-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C25D7/12
Abstract: PURPOSE: An electroplating device is provided which further improves uniformity of plating thickness by changing a member for resting an object to be plated into an electrode ring and constructing the electrode ring in an inclined shape so that bubbles generated from the surface of wafer that is the object to be plated are easily removed. CONSTITUTION: The electroplating device comprises a plating pot(100) which forms an external appearance, and in which a plating solution is contained; a metal box(110) positioned inside the plating pot and formed of the same metal as plating metal; an inclined electrode ring(120) which is positioned oppositely to the metal box in the plating pot, and on which an object to be plated is rested; a metal box fixing frame(140) for fixing the metal box; an electrode ring fixing frame(130) for fixing the inclined electrode ring; and power supply terminals(150,160) connected to the metal box and inclined electrode ring, wherein a wafer holder(170) is attached to the inclined electrode ring so that a wafer i.e., the object to be plated is rested on the wafer holder, wherein a chemical resistant material such as Teflon and polyethylene is coated on the surface of the metal box fixing frame and electrode ring fixing frame, and wherein the power supply terminals are connected to the metal box and inclined electrode ring through an inner part of the metal box fixing frame and electrode ring fixing frame.
Abstract translation: 目的：提供一种电镀装置，其通过改变用于将待电镀物体放置到电极环中的构件并且以倾斜形状构造电极环以使得从晶片表面产生的气泡 被镀物体很容易被去除。 构成：电镀装置包括形成外观并且包含电镀液的电镀锅（100） 金属盒（110），所述金属盒（110）定位在所述电镀锅内并且由与电镀金属相同的金属形成; 一个倾斜的电极环（120），该电极环与电镀锅中的金属盒相对地定位，并且在其上放置待电镀的物体; 金属盒固定框架（140），用于固定金属盒; 用于固定倾斜电极环的电极环固定框架（130） 和连接到所述金属盒和倾斜电极环的电源端子（150,160），其中晶片保持器（170）附接到所述倾斜电极环，使得晶片，即待镀物体放置在晶片保持器上，其中 在金属盒固定框架和电极环固定框架的表面涂覆有特氟隆，聚乙烯等耐化学性材料，其中，电源端子通过金属盒内部与金属盒和倾斜电极环连接 固定框架和电极环固定框架。
-
公开(公告)号：KR1019960039297A
公开(公告)日：1996-11-25
申请号：KR1019950009260
申请日：1995-04-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/8246
Abstract: 본 발명은 프로그램 가능 안티퓨즈 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 캐패시터 형태의 구성을 가진 안티퓨즈 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 프로그램 가능 안티퓨즈 소자는, p형 실리콘 기판과; 상기 p형 실리콘 기판 위에 형성되며, 티타늄 텅스텐으로 된 의사 전극층과; 상기 의사 전극층의 일측 위에 형성되며, 티타늄텅스텐/실리콘을 함유한 알루미늄/티타늄 텅스텐의 다층 금속막으로 된 제1전극층과; 상기 의사 전극층의 타측 위에 형성되며, 박막의 티타늄 산화막과 실리콘 산화막으로 된 절연층과; 상기 절연층 위에 형성되며, 티타늄텅스텐/실리콘을 함유한 알루미늄/티타늄 텅스텐의 다층 금속막으로 된 제2전극층으로 구성되며, 절연층인 티타늄 산화막의 두께를 열처리시의 공정조건(시간 및 온도)을 변화하여 조절함으로써 프로그램 전압의 재현성과 제어성을 실현하도록 한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040017698A
公开(公告)日：2004-02-27
申请号：KR1020020050124
申请日：2002-08-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C25D7/12
Abstract: PURPOSE: An electroplating device is provided which further improves uniformity of plating thickness by changing a member for resting an object to be plated into an electrode ring and constructing the electrode ring in an inclined shape so that bubbles generated from the surface of wafer that is the object to be plated are easily removed. CONSTITUTION: The electroplating device comprises a plating pot(100) which forms an external appearance, and in which a plating solution is contained; a metal box(110) positioned inside the plating pot and formed of the same metal as plating metal; an inclined electrode ring(120) which is positioned oppositely to the metal box in the plating pot, and on which an object to be plated is rested; a metal box fixing frame(140) for fixing the metal box; an electrode ring fixing frame(130) for fixing the inclined electrode ring; and power supply terminals(150,160) connected to the metal box and inclined electrode ring, wherein a wafer holder(170) is attached to the inclined electrode ring so that a wafer i.e., the object to be plated is rested on the wafer holder, wherein a chemical resistant material such as Teflon and polyethylene is coated on the surface of the metal box fixing frame and electrode ring fixing frame, and wherein the power supply terminals are connected to the metal box and inclined electrode ring through an inner part of the metal box fixing frame and electrode ring fixing frame.
Abstract translation: 目的：提供一种电镀装置，其通过改变用于将要镀覆的物体放置在电极环中并将该电极环形成为倾斜形状的构件，从而进一步提高电镀厚度的均匀性，使得从晶片的表面产生的气泡为 被镀物体很容易去除。 构成：电镀装置包括形成外观的电镀罐（100），其中包含电镀液; 金属盒（110），其位于所述电镀槽内并由与所述电镀金属相同的金属形成; 倾斜电极环（120），与电镀锅中的金属盒相对地定位，待镀物体放置在该倾斜电极环上; 金属盒固定框架（140），用于固定金属盒; 用于固定所述倾斜电极环的电极环固定框架（130）; 以及连接到金属盒和倾斜电极环的电源端子（150,160），其中晶片保持器（170）附接到倾斜电极环，使得晶片（即被电镀物体）搁置在晶片保持器上，其中 在金属盒固定框架和电极环固定框架的表面上涂覆了特氟龙和聚乙烯等耐化学性材料，其中电源端子通过金属盒的内部连接到金属盒和倾斜电极环 固定框架和电极环固定架。
-
-
公开(公告)号：KR1019970010664B1
公开(公告)日：1997-06-30
申请号：KR1019930027030
申请日：1993-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: A method of controlling the rotation center and an apparatus in an ion etching apparatus for analyzing the properties of a semiconductor material are disclosed. The method places the rotation center of a sample 1 which is contained in a sample container 19 at etching point without exposing the sample 1 to an air by a remote control means 20 which is connected with a control means of a vacuum chamber 16.
Abstract translation: 公开了一种控制旋转中心的方法和用于分析半导体材料的性质的离子蚀刻装置中的装置。 该方法将样本容器19中包含的样品1的旋转中心放置在蚀刻点，而不会通过与真空室16的控制装置连接的遥控装置20将样品1暴露在空气中。
-
公开(公告)号：KR1020070035175A
公开(公告)日：2007-03-30
申请号：KR1020050089724
申请日：2005-09-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/13025 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541
Abstract: 본 발명은 칩과 이를 이용한 칩 스택 및 그 제조방법에 관한 것으로, 웨이퍼상에 형성된 적어도 하나 이상의 패드와 상기 패드의 저면이 노출되도록 상기 웨이퍼를 관통하는 비아홀에 상기 웨이퍼의 저면으로부터 일정한 두께까지 돌출되도록 형성된 금속층을 포함하는 복수개의 칩이 적층되되, 상기 각 칩의 패드와 금속층이 서로 마주보도록 접합되어 적층함으로써, 칩의 제조공정이 간편해지고 칩의 성능을 향상시켜줄 뿐만 아니라 칩 스택 시 풋 프린트(foot print)가 작아지는 효과가 있다.
칩 스택, 웨이퍼, 패드, 비아홀, 플립칩, 범프, 풋 프린트Abstract translation: 芯片及使用该芯片的芯片堆栈及其制造方法技术领域本发明涉及一种芯片，使用该芯片的芯片堆栈及其制造方法，更具体地，本发明涉及一种芯片及使用该芯片的芯片堆栈， 通过堆叠包括所形成的金属层的多个芯片，使得每个芯片的焊盘和金属层彼此面对并层叠它们，芯片的制造工艺被简化并且芯片的性能得到改善，另外， 打印）减少。
-
公开(公告)号：KR100455070B1
公开(公告)日：2004-11-06
申请号：KR1020020010166
申请日：2002-02-26
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a c-axis oriented ZnO thin film using an atomic layer deposition(ALD) method is provided to form a thin film oriented to a c-axis by using a glass substrate of low price and large area at a temperature of 300 deg.C or lower. CONSTITUTION: The substrate is positioned inside a chamber(S101). A zinc precursor is injected to the chamber together with carrier gas so that a zink precursor reactant is absorbed to the substrate(S102). Nitrogen gas or inert gas is injected to remove non-absorbed particles(S103). Oxygen gas is injected(S104). Oxygen precursors are injected to form a zink oxide thin film through a surface chemical reaction(S105). Nitrogen gas or inert gas is injected to eliminate non-absorbed particles and surface chemical byproducts(S106).
Abstract translation: 目的：提供一种使用原子层沉积（ALD）法制造c轴取向的ZnO薄膜的方法，以通过使用价格低且大面积的玻璃基板在温度下形成取向为c轴的薄膜 300℃或更低。 构成：衬底位于室内（S101）。 将锌前体与载气一起注入腔室，从而将锌前体反应物吸收到基板上（S102）。 注入氮气或惰性气体以去除未吸收的颗粒（S103）。 注入氧气（S104）。 通过表面化学反应注入氧前体以形成氧化锌薄膜（S105）。 注入氮气或惰性气体以消除未吸收的颗粒和表面化学副产物（S106）。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.018 seconds)
