公开(公告)号：KR100923165B1

公开(公告)日：2009-10-23

申请号：KR1020070083836

申请日：2007-08-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김용신 ,  김윤태 ,  박덕근

IPC: B82B1/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y10/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81C1/00142 ,  Y10S977/72 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/89 ,  Y10T29/49002

Abstract: 본 발명은 나노선(nanowire)을 활용하여 우수한 감지특성을 갖고, 대량생산이 가능한 부양형(suspended) 나노선 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명의 부양형 나노선 센서는 기판 상부에 형성되며 상호 물리적으로 분리된 제1감지전극 및 제2감지전극, 상기 제1감지전극으로부터 상기 제2감지전극으로 연장되어 형성되고, 상기 제1감지전극과 상기 제2감지전극 사이에서 물리적으로 부양되어 형성된 나노선 감지소재를 포함하고 있으며, 상술한 본 발명에 따르면, 우수한 감지특성을 갖는 부양형 나노선 센서를 대량생산할 수 있는 효과가 있다.
화학센서(chemical sensor), 광센서(light detector), 나노선(nanowire), 부양형 구조(suspended structure)

公开(公告)号：KR1020080052297A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：KR1020070083836

申请日：2007-08-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김용신 ,  김윤태 ,  박덕근

IPC: B82B1/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y10/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81C1/00142 ,  Y10S977/72 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/89 ,  Y10T29/49002

Abstract: A suspended nanowire sensor is provided to be mass-producible, and to have good sensing characteristics by minimizing an interaction between nanowires. A method for manufacturing a suspended nanowire sensor includes the steps of: forming a first sensing electrode(23a) and a second sensing electrode(23b) on a substrate(21), wherein the first and second sensing electrodes are physically separated from each other; and forming a nanowire sensing material(24) which is extended from the first sensing electrode to the second sensing electrode and is physically suspended between the first sensing electrode and the second sensing electrode. Further, a step of forming an insulator film between the first sensing electrode and the second sensing electrode is additionally comprised in the method.

Abstract translation: 提供悬浮的纳米线传感器可大规模生产，并通过最小化纳米线之间的相互作用具有良好的感测特性。 一种悬浮纳米线传感器的制造方法包括以下步骤：在基板（21）上形成第一感测电极（23a）和第二感测电极（23b），其中，所述第一感测电极和所述第二感测电极彼此物理分离; 以及形成从所述第一感测电极延伸到所述第二感测电极并物理地悬挂在所述第一感测电极和所述第二感测电极之间的纳米线感测材料（24）。 此外，在该方法中还包括在第一感测电极和第二感测电极之间形成绝缘膜的步骤。

公开(公告)号：KR1020070061042A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：KR1020060036355

申请日：2006-04-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 고상춘 ,  조성목 ,  김용준 ,  김용신 ,  하승철 ,  양윤석 ,  표현봉 ,  최창억

IPC: G01N27/04 ,  G01N27/00 ,  B82Y15/00

Abstract: A sensor for detecting gas and electronic nose system having the same are provided to represent an accurate output in response to gas reaction of the sensor by automatically initializing an initial output of the sensor through a resistance matching block. A sensor for detecting gas includes a sensing part(111), a resistance matching part(112), a temperature controller(113), a resistance difference detecting part(114), and an amplifier(115). The sensing part includes sensing materials varying a resistance value thereof according to gas existence and concentration and measures a change of a sensing resistance value according to the gas existence and density. The resistance matching part includes a plurality of base resistors(1121) having another resistance and automatically set the base resistance value matched to an initial sensing resistance value of the sensing part by using the plurality of base resistors. The temperature controller uniformly maintains temperature of the sensing part. The resistance difference detecting part detects a difference of a sensing resistance value of the sensing part and the set value of the base resistor. The amplifier amplifies the resistance difference received from the resistance difference detecting part and transmits an amplified value to a multiplexer(15).

Abstract translation: 提供一种用于检测气体和电子鼻系统的传感器，以通过电阻匹配块自动初始化传感器的初始输出来响应于传感器的气体反应来表示准确的输出。 用于检测气体的传感器包括感测部分（111），电阻匹配部分（112），温度控制器（113），电阻差检测部分（114）和放大器（115）。 感测部件包括根据气体存在和浓度改变其电阻值的感测材料，并且根据气体存在和密度来测量感测电阻值的变化。 电阻匹配部包括具有另一电阻的多个基极电阻（1121），并且通过使用多个基极电阻自动设定与感测部的初始感测电阻值相匹配的基极电阻值。 温度控制器均匀地保持感测部件的温度。 电阻差检测部检测感测部的感测电阻值与基本电阻的设定值的差。 放大器放大从电阻差检测部分接收的电阻差，并将放大的值发送到多路复用器（15）。

公开(公告)号：KR100529233B1

公开(公告)日：2006-02-24

申请号：KR1020030062413

申请日：2003-09-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 하승철 ,  김용신 ,  양윤석 ,  김용준 ,  양해식 ,  김윤태

IPC: G01N27/416

CPC classification number: G01N27/128

Abstract: 본 발명은 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 센서 물질을 담을 수 있는 우물(well)이 형성된 반도체 기판과 센서 물질의 전기적 변화를 측정하기 위한 전극, 멤브레인(membrane) 그리고 가열기로 이루어진 센서 및 그 제조 방법으로 다음과 같은 것이다. 기판(substrate) 위에 전극과 멤브레인 그리고 가열기를 순서 대로 형성한 후 기판의 반대면에 이방성 습식각을 이용하여 실리콘을 제거하여 줌으로써 전극 위에 우물을 형성시킨다. 이때 생성된 우물들은 용매(solvent)에 녹여진 다양한 센서 물질(sensor material)들을 각각의 전극 위에 증착 시 널리 퍼지지 못하게 하여 작은 크기로 센서 어레이를 집적화 할 수 있을 뿐 아니라 멤브레인 구조를 지니고 있어 열손실이 작아 센서막을 저전력으로 원하는 온도에서 유지시켜 줄 수 있다.
센서 어레이(sensor array), 전자코(electronic nose), 마이크로 히터(microheater), 멤브레인(membrane), 이방성 습식식각(anisotropic wet etching), 우물(well)

公开(公告)号：KR1020050059364A

公开(公告)日：2005-06-20

申请号：KR1020030091014

申请日：2003-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조성목 ,  김용신 ,  김용준 ,  하승철 ,  양윤석 ,  양해식 ,  김윤태

IPC: G01N27/12 ,  B82Y15/00

Abstract: 본 발명은 카본 나노튜브를 이용한 가스센서용 가스 흡착 및 탈착 장치에 관한 것으로, 가열층 역할을 하는 전극, 상기 전극 위에 선택적으로 성장되며 흡착제로 작용하는 카본 나노튜브, 그리고 이들을 수용하는 구조체 등으로 구성된다. 본 발명의 흡착 및 탈착 장치는 일반적인 반도체 제조 공정으로 제작이 가능하며, 가스센서 등과 일체형으로 집적할 수 있어 소형화가 용이하다. 또한, 카본 나노튜브의 뛰어난 열전도 특성으로 인해 탈착시에 효율적인 가열이 이루어지므로 저전력으로 동작된다.

公开(公告)号：KR100475307B1

公开(公告)日：2005-03-11

申请号：KR1020020069882

申请日：2002-11-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정문연 ,  신동호 ,  양해식 ,  김용신 ,  윤태환 ,  전치훈 ,  김윤태 ,  강승열 ,  이용의 ,  안성덕 ,  서경수

IPC: C12Q1/68

Abstract: 본 발명은 입사광을 특정 셀에 조사하여 DNA 등의 생체분자 혹은 고분자 어레이를 형성하기 위한 투과형 프로그래머블 마스크 및 이를 이용한 생체분자 혹은 고분자 어레이를 형성 방법에 관한 것이다.
프로그래머블 마스크의 단위 화소들 각각은 입사광의 진행을 방해하고 전기 영동에 의해 이동하는 전하를 띤 입자들을 구비하는 용액과 입자들의 배열을 변화시켜 입사광의 투과도를 조절하기 위해서, 입자들에 전압을 인가하기 위한 전극들을 구비하여 구성된다.

公开(公告)号：KR100451663B1

公开(公告)日：2004-10-08

申请号：KR1020020026698

申请日：2002-05-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정문연 ,  양해식 ,  전치훈 ,  김윤태 ,  김용신 ,  신동호

IPC: C12Q1/68

CPC classification number: B01J19/0046 ,  B01J2219/00434 ,  B01J2219/00527 ,  B01J2219/00529 ,  B01J2219/00596 ,  B01J2219/00605 ,  B01J2219/00608 ,  B01J2219/00659 ,  B01J2219/00675 ,  B01J2219/00677 ,  B01J2219/00689 ,  B01J2219/00711 ,  B01J2219/00722 ,  B82Y30/00 ,  C40B40/06 ,  C40B60/14 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/13725 ,  G02F1/216 ,  G02F2203/12 ,  G03F7/70291 ,  G03F7/7035 ,  H01L27/146

Abstract: A programmable mask used in a photolithography process for fabricating a biomolecule array and a method for fabricating a biomolecule array using the same are disclosed. Particularly, a TFT-LCD type programmable mask for selectively transmitting incident light in accordance with an electrical signal applied thereto and a method for fabricating a biomolecule array using the same are provided. The ultraviolet light is selectively illuminated to a sample substrate so that the biomolecule array having high density can be fabricated.

Abstract translation: 公开了用于制造生物分子阵列的光刻工艺中使用的可编程掩模和使用其制造生物分子阵列的方法。 特别地，提供了用于根据施加到其上的电信号选择性地传输入射光的TFT-LCD型可编程掩模以及使用该TFT-LCD型可编程掩模制造生物分子阵列的方法。 紫外光被选择性地照射到样品基板，从而可以制造具有高密度的生物分子阵列。

公开(公告)号：KR100449856B1

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：KR1020010071462

申请日：2001-11-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김용신 ,  윤선진 ,  박상희 ,  이용의

IPC: H05B33/22

CPC classification number: H05B33/22

Abstract: 본 발명은 구동전압을 낮추고 고해상도를 구현하기 위한 박막전계발광소자에 관한 것으로, 본 발명의 직류구동형 박막전계발광소자는 박막형광층과 금속전극의 사이에 상기 박막형광층에 접하는 박막에너지장벽층과 상기 금속전극에 접하는 박막전류제한층이 적층된 박막전류제어층을 삽입되며, 본 발명의 교류구동형 박막전계발광소자는 박막형광층의 상,하부에 박막에너지장벽층과 박막전류제한층이 적층된 박막전류제어층이 삽입되되, 상기 박막에너지장벽층은 상기 박막형광층에 접하여 이루어진다.

公开(公告)号：KR1020030065262A

公开(公告)日：2003-08-06

申请号：KR1020020025366

申请日：2002-05-08

Applicant: 엘지전자 주식회사 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 박상희 ,  윤선진 ,  이용의 ,  김용신 ,  강남석

IPC: H01J1/30

Abstract: PURPOSE: A metal-insulator-metal emitter and a method for manufacturing the same are provided to reduce procedures and shorten the process time, while achieving improved characteristics. CONSTITUTION: A method for manufacturing a metal-insulator-metal emitter comprises the steps of forming a first electrode on a substrate; forming an insulating film on the first electrode through an atomic layer deposition; and forming a second electrode on the insulating film. The step of forming the insulating film includes a first step(S101) of disposing the substrate with the first electrode in a chamber; a second step(S103) of injecting a carrier gas and trimethyl aluminum in the chamber; a third step(S105) of removing the residual particles by injecting nitrogen or inert gas; a fourth step(S107) of forming an aluminum oxide thin film by injecting water or ozone for surface chemical reaction between the water and the trimethyl aluminum; and a fifth step(S109) of removing the residual particles by injecting nitrogen or inert gas.

Abstract translation: 目的：提供一种金属 - 绝缘体 - 金属发射器及其制造方法，以减少工艺并缩短工艺时间，同时实现改进的特性。 构成：制造金属 - 绝缘体 - 金属发射体的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一电极; 通过原子层沉积在第一电极上形成绝缘膜; 以及在所述绝缘膜上形成第二电极。 形成绝缘膜的步骤包括：将具有第一电极的基板设置在室中的第一步骤（S101） 在所述室中注入载气和三甲基铝的第二步骤（S103） 通过注入氮气或惰性气体去除残留颗粒的第三步骤（S105）; 通过在水和三甲基铝之间注入水或臭氧进行表面化学反应形成氧化铝薄膜的第四步骤（S107）; 以及通过注入氮气或惰性气体除去残留颗粒的第五步骤（S109）。

公开(公告)号：KR1020020043161A

公开(公告)日：2002-06-08

申请号：KR1020010071462

申请日：2001-11-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김용신 ,  윤선진 ,  박상희 ,  이용의

IPC: H05B33/22

CPC classification number: H05B33/22

Abstract: PURPOSE: A thin film electro luminescent device having a current control layer is provided to reduce a driving voltage and improve luminescent efficiency and resolution. CONSTITUTION: A thin film electro luminescent device having a current control layer comprises a transparent electrode(22), a thin film fluorescent layer(23), a thin film current control layer(26) and metal electrodes(27), sequentially layered on a transparent substrate(21). A pulse type DC power supplying apparatus(28) applies a positive voltage pulse to the transparent electrode(22) relative to the metal electrodes(27). The thin current control layer(26) includes a thin film energy barrier layer(24) and many thin current restriction layers(25). The thin current restriction layers(25) are etched to have a same width as the metal electrodes(27) to form on the thin film energy barrier layer(24).

Abstract translation: 目的：提供具有电流控制层的薄膜电致发光器件以降低驱动电压并提高发光效率和分辨率。 构成：具有电流控制层的薄膜电致发光器件包括透明电极（22），薄膜荧光层（23），薄膜电流控制层（26）和金属电极（27） 透明基板（21）。 脉冲型直流供电装置（28）相对于金属电极（27）对透明电极（22）施加正电压脉冲。 薄电流控制层（26）包括薄膜能量阻挡层（24）和许多薄电流限制层（25）。 蚀刻薄电流限制层（25）以具有与金属电极（27）相同的宽度，以在薄膜能量阻挡层（24）上形成。