公开(公告)号：KR1019930011219A

公开(公告)日：1993-06-24

申请号：KR1019910021079

申请日：1991-11-25

Applicant: 주식회사 케이티 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 권광호 ,  박형호 ,  김보우

IPC: H01L27/108

Abstract: 본 발명은 반도체 집적회로의 제조방법에 관한 것으로, 특히 반응성 이온 건식식각에 의해 형성된 잔류막의 표면에 형성되는 SiC 막을 이용하여 캐패시티(capactor)를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 방법은, 실리콘 기판상에 불순물이 주입된 제1다결정 실리콘을 증착하는 단계와, 상기 제1다결정 실리콘을 소정의 두께로 식각하여 잔류막을 형성하는 단계와, 급속 열처리 방법으로 하여 열처리하여 소정 두께의 SiC박막을 형성하는 단계와, 상기 급속열처리 방법에 의해 생성된 흑연(graphite)탄소층을 제거하는 단계와, 상기 SiC 박막 상에 절연막을 증착하는 단계와, 상부 전극을 형성하기 위하여 상기 절연막 상에 제2다절정 실리콘을 증착하는 단계와, 감광막을 사용하여 캐패시터 영역을 정의하는 단계 및, 반응성 이온 건식시각 방법으로 유전물까지 상기 캐패시터 영역이외의 부분을 식각한 후 상기 감광막을 제거하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1019930008997A

公开(公告)日：1993-05-22

申请号：KR1019910018986

申请日：1991-10-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박형호 ,  권광호 ,  곽병화 ,  권오준

IPC: H01L21/324

Abstract: 본 발명은 미세패턴 형성 등과 같은 반도체장치의 제조시 사용되는 반응성 건식 이온식각 공정후 실리콘 기판(1)의 표면에 생성되는 잔류막(3)을 제거하고 손상층(2)을 회복시키는 방법에 관한 것으로 상기 실리콘 기판(1)의 진공 또는 O
2 , N
2 및 불활성 기체 또는 상기 기체들의 혼합가스 분위기 하에서 약 700℃내지 1100℃의 온도에서 1분 내지 5분 동안 급속 열처리(Rapid Thermal Alloy)함으로써 잔류막(3)을 효과적으로 제고하고 손상층(2)을 회복시킬 수 있어 실리콘 기판의 특성을 향상시킬 수 있다.