Abstract:
PURPOSE: A method for fabricating an optical wave guide is provided by using the principle that a refractivity is increased according to diffusion of metal ions into a polymer. CONSTITUTION: A method for fabricating an optical wave guide by metal diffusion comprises a first step for depositing a polymer core layer(2) on a substrate(1) according to spin coating; a second step for depositing a metal layer(3) by using a thermal deposition unit; a third step for forming a metal layer(4) by pattering the metal layer(3) according to an expected optical wave guide; a fourth step for forming an optical wave guide(6) by heating the above-formed layers on a heat plate(5) at a predetermined temperature for a predetermined time in order to diffuse metal ions into a polymer and remove the residual metal; and a fifth step for fabricating a polymer optical wave guide by forming an upper cladding polymer thin film(7) according to spin coating. As a result, refractivity can be minutely controlled in a wide range, and a sectional size of the optical wave guide can be easily adjusted, thereby fabricating various polymer optical devices.
Abstract:
PURPOSE: A method for fabricating a thermo-optical variable wavelength filter is provided to control passing wavelength by using a polymer optical wave guide and a polymer brag lattice. CONSTITUTION: A method for fabricating a thermo-optical variable wavelength filter comprises the steps of forming a polymer optical wave guide on a semiconductor substrate using polymer material, forming a polymer brag lattice on the optical wave guide using O2 RIE and polymer spin coding, and forming a thermo-optical variable electrode on the polymer optical wave guide where the brag lattice is integrated.
Abstract:
본 발명은 광학적 복굴절성이 큰 전기 광학 폴리머를 이용한 편광 조절기 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘(Si) 기판 위에 금을 열증착하여 하부 전극을 형성하는 제 1 공정과, 상기 하부 전극 위에 코아층 폴리머보다 굴절률이 낮고 복굴절성이 없는 폴리머를 코팅하여 하부 클래딩을 형성하는 제 2 공정과, 상기 하부 클래딩층 위에 복굴절성이 큰 전기광학 폴리머를 코팅하고 열건조한 후, 활성 이온 식각법과 리쏘그라피로 원하는 패턴을 형성하여 광도파로를 형성하는 제 3 공정과, 상기 광도파로 위에 코아층 폴리머보다 굴절률이 낮고 복굴절성이 없는 폴리머를 코팅하여 상부 클래딩을 형성하는 제 4 공정과, 상기 상부 클래딩층 위에 폴링과 상부 전극을 위해서, 금을 열증착하여 상부 전극용 금을 형성하는 제 5 공정과, 상기 형성된 상부 전극용 금 과 하부 전극을 이용하여 유리전이 온도에서 전계를 가하여 폴링하며 상부에 증착된 금을 리쏘그라피로 원하는 패턴을 형성하는 제 6 공정과, 실리콘(Si) 절단면을 이용한 단면 절개법이나 단면 연마 방법을 이용하여 광파의 입출력을 위한 단면을 형성한 후 양 단면에 광섬유를 부착하는 제 7 공정으로 구성되어, 제작 공정이 손쉬우며, 고성능, 저가의 제품을 만들기에 유리하다.
Abstract:
본 발명은 하기 화학식 (1)로 표시되는 아크릴기 혹은 시나밀기를 가진 불소 치환 폴리아릴렌 에테르, 그 제조방법 및 그 불소 치환 폴리아릴렌 에테르를 사용한 광도파로형 광소자에 관한 것이다. 불소 치환 폴리아릴렌 에테르 유도체는 데카풀루오로바이페닐 혹은 데카풀루오로벤조페논과 아로마틱 디올의 열축중합에 의하여 얻어지며, 이들 고분자에 아크릴기 혹은 시나밀기를 도입하여 본 발명의 광도파로 소자용 고분자를 제조한다. 상기 고분자는 주쇄 구조에서 높은 불소 치환으로 분자 진동에 의한 물질 고유의 광통신 영역에서의 광흡수를 배제하여 고분자 광소자의 가장 큰 문제점인 광진행 손실이 아주 낮다. 또한 고분자 말단이나 고분자 측쇄에 광경화성 아크릴기 혹은 시나밀기를 도입 함으로서 고분자 메트릭스의 광가교를 통한 내화학성을 향상 시켜 다층 막박 공정이 가능하며, 300℃이상에서도 열적으로 분해와 승화되지 않는 열안정성이 뛰어난 우수한 광도파로형 광소자를 제조할 수 있다. (화학식 1)
상기식에서, X는 없거나, -C=O- 또는 -SO 2 -이다. R 1 은 H, 광가교성 아크릴레이트, 메타크릴레이트 또는 시나메이트이다. R 2 은 광가교성 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 또는 시나메이트이다. n은 중합도로 1∼100의 자연수이다.
Abstract:
본 발명은 광학적 복굴절성이 큰 전기 광학 폴리머를 이용한 편광 조절기 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘(Si) 기판 위에 금을 열증착하여 하부 전극을 형성하는 제 1 공정과, 상기 하부 전극 위에 코아층 폴리머보다 굴절률이 낮고 복굴절성이 없는 폴리머를 코팅하여 하부 클래딩을 형성하는 제 2 공정과, 상기 하부 클래딩층 위에 복굴절성이 큰 전기광학 폴리머를 코팅하고 열건조한 후, 활성 이온 식각법과 리쏘그라피로 원하는 패턴을 형성하여 광도파로를 형성하는 제 3 공정과, 상기 광도파로 위에 코아층 폴리머보다 굴절률이 낮고 복굴절성이 없는 폴리머를 코팅하여 상부 클래딩을 형성하는 제 4 공정과, 상기 상부 클래딩층 위에 폴링과 상부 전극을 위해서, 금을 열증착하여 상부 전극용 금을 형성하는 제 5 공정과, 상기 형성된 상부 전극용 금 과 하부 전극을 이용하여 유리전이 온도에서 전계를 가하여 폴링하며 상부에 증착된 금을 리쏘그라피로 원하는 패턴을 형성하는 제 6 공정과, 실리콘(Si) 절단면을 이용한 단면 절개법이나 단면 연마 방법을 이용하여 광파의 입출력을 위한 단면을 형성한 후 양 단면에 광섬유를 부착하는 제 7 공정으로 구성되어, 제작 공정이 손쉬우며, 고성능, 저가의 제품을 만들기에 유리하다.
Abstract:
본 발명은 광학적 복굴절성이 큰 폴리머를 이용한 Y-분기형 광도파로 편광 분리기의 구조 및 제작방법에 관한 것으로서, 복굴절 폴리머가 위치한 가지의 유효 굴절률이 도파광의 편광에 따라 다른 값을 갖도록 복굴절이 큰 폴리머를 Y-분기 폴리머 광도파로 소자의 한쪽 가지에 정렬하여 제작하여 두 가지의 상대적인 유효 굴절률 차이가 도파광의 편광에 따라 다르게 되며, 도파로 구조를 유효 굴절률 값이 TE(Transverse Electric) 편광에 대해서 복굴절 폴리머가 있는 가지가 더 높고 TM(Transverse Magnetic) 편광에 대해서는 반대쪽 가지가 더 높게 디자인하며, Y-분기형 광도파로에서 분기 각도가 충분히 작고 두 가지의 유효 굴절률이 서로 다른 경우에 도파광은 모드 진화 현상에 의해 더 높은 굴절률을 갖는 가지로 완전히 넘어가서 출력하도록 함으로 인해 광도� �로 소자는 임의의 편광 성분을 가지는 광이 입력될 때 TE, TM 편광 성분을 각기 다른 가지로 나뉘어져서 출력시키는 편광 분리기로 동작하도록 함으로써, 편광 분리비가 높고 손실이 작으며, 쉽게 제작 가능한 장점을 가지므로 실용성이 높고, 폴리머를 이용하여 저가의 대량생산이 가능하므로 향후 다 방면의 편광 관련 시스템에 응용될 수 있고, 폴리머 광도파로 소자들과 집적하여 새로운 형태의 광도파로 소자를 제작할 수도 있는 효과를 가진다.
Abstract:
광통신에 사용되는 반도체 레이저 및 반도체 스위치 등과 같은 소자의 입출력단의 광도파로와 광섬유 사이의 연결 부위가 많은 소자에 있어서, 결합부의 광 결합효율을 높이는 것은 매우 중요한 기술이다. 본 발명은 반응성 이온 식각 방법을 이용하여 점차 가늘어지는 도파로를 만드는 방법에 관한 것이다. 특히, 반응성 이온 식각시에 식각 마스크의 면적이 변화됨에 따라 식각율이 달라지는 것을 이용함으로써, 넓은 면적에 균일하게 적용할 수 있을 뿐만 아니라 재현성 및 경제성 측면에서의 문제도 해결할 수 있는 방법이다.
Abstract:
본 발명은 광스위치의 광도파로와 반도체 광증폭기를 최적화시키는 반도체 광증폭기의 구조 및 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 n형의 화합물 반도체 기판(15)상에 형성되는 도핑되지 않은 화합물 반도체 도파로층(14)과, 제 1 및 제 2 클래드층(12,13)이 홈모양으로 선택식각되는 도파로(3)영역과, 상기 홈모양의 도파로(3)영역상에 형성된 홈모양의 광증폭기(1)영역의 도핑되지 않은 반도체 화합물 활성층(11) 및 반도체 화합물 클래드층(10), 화합물 반도체 캡층(9)과, 상기 홈모양의 측면에 형성된 전류차단층을 포함하는 구조를 이루고 있다. 또한 본 발명의 제조방법은 도파로층 도핑되지 않은 InGaAsP(14)과 제 1 및 제 2 클래드층(12,13)을 1차 결정 성장시키는 단계와, 선택식각액으로 증폭기(1)영역의 도파로층 InGaAsP(14)과 제 1 및 제 2 클래드층(12,13)을 홈모양으로 선택식각하는 단계와, 증폭기의 도핑되지 않은 활성층 InGaAsP(11), 클래드층 p-InP(12) 및 p+-InGaAs(9)을 제 2 차 결정시키는 단계와, 도파로를 식각하고 전극을 증착하는 단계로 이루어진다. 상기한 바와같이 본 발명은 2회의 결정 성장만으로도 제작이 가능하며 전류를 차단시킬 수 있으며, 옴저항을 최소화 할 수 있으며 일정 부분에 반송자의 집속시켜 입력광에 대한 효과적인 이득을 얻어 일정한 광이득을 얻기 위한 동작전류를 최소화 할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 광의 생성, 검출, 변조 및 분배기능을 수행하는 각종의 광소자의 플립-칩(flip-chip bonding) 방법과 이 방법에 의해 플립-칩 본딩된 광소자와 광섬유를 패키징하는 방법에 관한 것으로서, 특히 실리콘 V-홈(groove)을 이용하여 기판과 칩 사이의 간격을 최소화시킬 수 있는 플립-칩 본딩방법 및 그를 사용한 패키징방법에 관한 것이다. 본 발명은 실리콘기판내에 소정의 V-홈(groove)을 형성하는 단계와, 상기 기판의 V-홈 내부에 솔더범프용 금속패드를 형성하는 단계와, 상기 금속 패드상부에 솔더 범프를 형성하는 단계와, 절연막, 금속패드 및 광소자 등을 구비한 소정 칩을 뒤집어서 상기 기판과 정렬시킨 후, 상기 솔더범프를 용융점 이상의 온도로 가열하여 리플로우(reflow)시킨 상태에서 칩에 압력을 가하여 상기 기판과 칩을 밀착, 고정시키는 단계와, 상기 기판위에 광섬유가 고정될 별도의 V-홈을 형성한 후, 광섬유를 상기 별도의 V-홈에 정렬시키고, 에폭시를 이용하여 고정시키는 단계를 포함한다.