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公开(公告)号：KR1019970006608B1
公开(公告)日：1997-04-29
申请号：KR1019930027342
申请日：1993-12-11
Abstract: A method for fabricating an optical switch is described that performs an etching process using a self-aligned mask prior to a selective re-growing process. The method includes the steps of forming an n+-InP buffer region 3, n-InGaAsP light pass path layer 4, undoped InP layer 10 and a semi-insulated InP layer 11, depositing SiNx layer 12, forming a pattern for the part where current is applied, performing an etching until the boundary between the undoped InP layer 10 and light pass path layer 4 is exposed, forming a p+-InP layer 13 and p+-InGaAs ohmic contact layer 14 and thus forming n-ohmic layer 1, etching the SiNx layer 12 and then performing a selective etching until the boundary between the light pass path layer 4 and semi-insulated InP layer 11 is exposed, and forming an n-ohmic metal layer 1. Thereby, it is possible to make a total reflection surface, and improve a switching efficiency and ohmic characteristic.
Abstract translation: 描述了一种用于制造光开关的方法，其在选择性再生长处理之前使用自对准掩模进行蚀刻处理。 该方法包括以下步骤：形成n + -InP缓冲区3，n-InGaAsP光通路层4，未掺杂InP层10和半绝缘InP层11，沉积SiNx层12，形成电流 进行蚀刻，直到未掺杂的InP层10和光通过层4之间的边界露出，形成p + -InP层13和p + -InGaAs欧姆接触层14，从而形成n欧姆层1，蚀刻 然后进行选择性蚀刻，直到曝光光通路层4和半绝缘InP层11之间的边界，并形成n欧姆金属层1.由此，可以形成全反射面 ，提高开关效率和欧姆特性。
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公开(公告)号：KR1019960027101A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940035489
申请日：1994-12-21
IPC: H01S5/227
Abstract: 누설전류 및 고속변조 특성이 개선된 반도체 레이저의 제조방법을 개시한다.
비평면 수직메사 구조위에 저압유기금속 화학증착을 이용해 밴드갭이 큰 In
1-x Ga
x P(0≤x≤0.84)/AlSb 초격자 구조의 디지탈 알로이(7)를 100㎚ 정도의 두께로 성장시키고, 전류차단층(8)을 상기 SiN
x 마스크(6) 위치까지 성장시키고, 계속해서 p형 클래드층(5)으로부터의 정공주입을 막기위해 n-InP층으로 이루어지는 정공주입방지층(9)을 약 0.5㎛ 정도의 두께로 성장시킨 후, SiN
x 마스크(6)를 식각해내고, p-InP클래드층(11)과 p
+ -InGaAs 저항성 접촉층(11)을 재성장시킨다.
이로써, p형 광도파층 바로위의 p-InP클래드층의 도판트인 Zn과 반절연 InP의 도판트인 Fe과의 상호 확산도 효과적으로 방지하게 되므로 광출력 특성 또한 선형적으로 증가하게 되어 고출력 특성을 가지게 된다.-
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公开(公告)号：KR1019950019795A
公开(公告)日：1995-07-24
申请号：KR1019930027625
申请日：1993-12-14
IPC: G02B6/26
Abstract: 본 발명은 트랜치를 이용한 내부 전반사형 광스위치의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 광스위치는 에피의 성장, 식각을 통한 트랜치의 형성, 재성장을 통한 오믹충의 형성, 전극증착등에 의해 제작되어지고, 입력광에 대하여 반사면을 이루는 부분을 식각한 후 재성장법을 사용하여 종래의 Zn확산법에 의해 형성되는 전반사 영역보다 도핑분포를 조절함이 용이하여 전류주입층과 도파로층간이 도핑이 계단형 분포를 이룸으로 전류주입에 의한 스위칭 효율을 증가시킬 수 있다. 또한 상승 플래딩에 반절연 InP를 삽입하여 광도파로의 전파손실을 주지 않으면서 전류주입시 전류의 확산을 막는 구조이다.
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公开(公告)号：KR1020170007703A
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：KR1020170001575
申请日：2017-01-04
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은레이저발생기를제공한다. 이레이저발생기는직선부및 상기직선부일단으로부터연장되는테이퍼부를포함하는중공광학커플러, 상기직선부및 상기테이퍼부를연속적으로관통하는제1 광섬유, 상기중공광학커플러의상기직선부의타단에연결되는제2 광섬유, 상기제2 광섬유의일단에연결된펌프광원, 상기제1 광섬유의일단과연결된반사체, 상기제1 광섬유의타단과연결되고, 상기반사체와함께레이저캐비티(cavity)를구성하는출력커플러, 상기제1 광섬유의상기일단과상기반사체사이에배치되고, 상기레이저케비티(cavity)의선택도(Q factor)를조절하는변조기를포함하되, 상기중공광학커플러는상기펌프광원을통하여상기제2 광섬유로부터공급되는광을상기제1 광섬유에사이드결합(side coupling) 할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101382522B1
公开(公告)日：2014-04-18
申请号：KR1020100088472
申请日：2010-09-09
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 광대역 파장 가변과 초고속 고출력으로 동작하는 광신호를 출력하는 파장 가변 레이저 광원 모듈을 개시한다. 그 모듈은, 서로 다른 복수개의 발진 파장들을 갖는 광신호를 발진하는 레이저 어레이와, 상기 레이저 어레이의 온도를 변화시키는 온도 조절기와, 상기 레이저 어레이의 상기 온도 조절기에 대향되는 측부에서 상기 광신호를 변조 또는 증폭 출력하는 광 집적 소자를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020110126971A
公开(公告)日：2011-11-24
申请号：KR1020100046549
申请日：2010-05-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/2581 , H04B10/43
CPC classification number: H01S5/0428 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H04B10/25
Abstract: PURPOSE: A wavelength independent light source is provided to include the output characteristic in a wide operation wavelength range. CONSTITUTION: A forward upper electrode layer(112f) is arranged in order to be overlapped on an upper clad layer. A forward bias is applied to the forward upper electrode layer. A reverse upper electrode layer(112r) is separated from the forward upper electrode layer on the upper clad. The reverse upper electrode layer is arranged in order to be overlapped with the absorber.
Abstract translation: 目的：提供波长独立的光源，以在宽的工作波长范围内包括输出特性。 构成：配置正向上电极层（112f）以便重叠在上包层上。 正向偏压施加到正向上电极层。 反向上电极层（112r）与上包层上的前上电极层分离。 布置反向上电极层以与吸收体重叠。
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公开(公告)号：KR101062395B1
公开(公告)日：2011-09-06
申请号：KR1020080130968
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/12 , H04B10/291
Abstract: 본 발명은 광증폭기에 관한 것이다. 본 발명의 광증폭기는, 입사된 광신호를 입력받는 수동 도파로 영역, 및 상기 수동 도파로 영역에 접합되고, 상기 입력된 광신호를 변조하는 능동 도파로 영역을 포함하되, 상기 수동 도파로 영역은 다중 모드 간섭계를 갖는 것을 특징으로 한다.
광증폭기, MMI, RSOA-
公开(公告)号：KR1020110073232A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020100088472
申请日：2010-09-09
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/02438 , H01S5/0261 , H01S5/18313 , H01S5/18386
Abstract: PURPOSE: A wavelength variable laser module is provided to uniformly vary wavelengthes oscillated from a laser array by changing the temperature of the laser array integrated in a temperature controller. CONSTITUTION: A laser array(10) oscillates an optical signal with a plurality of different oscillating wavelengths. A temperature controller(20) changes the temperature of the laser array. The temperature controller includes a thermoelectric element which heats or cools the laser array. An optical integrated element(80) modulates or amplifies the optical signal at a lateral side opposite to the temperature controller of the laser array. The optical integrated element includes a multimode interference coupler(40), an optical modulator(50), and a semiconductor optical amplifier(60).
Abstract translation: 目的：提供波长可变激光模块，通过改变集成在温度控制器中的激光器阵列的温度来均匀地改变从激光器阵列振荡的波长。 构成：激光阵列（10）振荡具有多个不同振荡波长的光信号。 温度控制器（20）改变激光器阵列的温度。 温度控制器包括加热或冷却激光器阵列的热电元件。 光学集成元件（80）在与激光器阵列的温度控制器相对的横向侧上调制或放大光信号。 光集成元件包括多模干涉耦合器（40），光调制器（50）和半导体光放大器（60）。
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公开(公告)号：KR1020100073968A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020090080500
申请日：2009-08-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/12
Abstract: PURPOSE: An optical amplifier according to the present invention is provided to obtain broad frequency bandwidth even in the low current. CONSTITUTION: A manual waveguide area(341) is inputted with an incident optical signal. The mode is controlled. An active waveguide area(342) is connected to the passive waveguide domain. The concentration of the carrier is varied by the applied current. The gain of the optical signal passing through the passive waveguide area is modulated. The active waveguide area uses the resonance phenomenon through controlling the internal loss.
Abstract translation: 目的：提供根据本发明的光放大器，即使在低电流下也能获得宽频带宽。 构成：手动波导区域（341）被输入入射光信号。 模式被控制。 有源波导区域（342）连接到无源波导域。 载体的浓度由所施加的电流而变化。 通过无源波导区域的光信号的增益被调制。 有源波导区域通过控制内部损耗来应用共振现象。
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