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公开(公告)号：KR1020100071693A
公开(公告)日：2010-06-29
申请号：KR1020080130496
申请日：2008-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/107 , H01L31/02366 , H01L31/0392 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an avalanche photo diode is provided to suppress an edge breakdown by reducing the curvature of a junction interface without a guard ring. CONSTITUTION: A first conductive amplification layer(105) is formed on a first conductive substrate(101). A recess region including a first recess unit(113) and a second recess unit(117) is formed by etching the first conductive amplification layer. A second conductive diffusion layer(130) is formed by diffusing conductive diffusion materials to the first conductive amplification layer. A second conductive electrode(150) connected to the second conductive diffusion layer is formed on the first conductive amplification layer. A first conductive electrode(160) is formed on the rear of the first conductive substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种制造雪崩光电二极管的方法，通过降低没有保护环的接合界面的曲率来抑制边缘击穿。 构成：第一导电性放电层（105）形成在第一导电性基板（101）上。 通过蚀刻第一导电放大层形成包括第一凹部单元（113）和第二凹部单元（117）的凹部区域。 通过将导电扩散材料扩散到第一导电放大层来形成第二导电扩散层（130）。 连接到第二导电扩散层的第二导电电极（150）形成在第一导电放大层上。 第一导电电极（160）形成在第一导电基板的后部。
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公开(公告)号：KR100785772B1
公开(公告)日：2007-12-18
申请号：KR1020060036356
申请日：2006-04-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: 전도대의 전자장벽을 높이고 정공의 흐름을 원활하게 할 수 있는 반도체 레이저 다이오드를 제공한다. 그 다이오드는 활성층의 타측에 접촉되며, 활성층에 대하여 에너지 단차를 이루는 제2 화합물 반도체층 및 제2 화합물 반도체층과 비전도대 에너지 단차(ΔEv)가 0인 임계점을 갖도록, 제2 반도체층에 삽입되어 제2 화합물 반도체층을 분리하는 제3 화합물 반도체층을 포함한다.
전자장벽, 정공, 에너지 단차, 임계, 타입-II-
公开(公告)号：KR100627703B1
公开(公告)日：2006-09-26
申请号：KR1020040105704
申请日：2004-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/18316 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/18369 , H01S5/18375 , H01S5/18377
Abstract: 본 발명은 반도체 광소자 중 표면방출 레이저 제작방법에 관한 것으로 화합물 반도체 기판 위에 거울층과 활성층으로 구성된 에피 구조를 유전체 거울층과 결합하고, 이를 다시 새로운 기판 위에 금속접합 방법으로 결합한 후 기존 기판을 제거한 후 새로운 기판 위에서 표면방출 레이저를 제작하는 방법에 관한 기술을 개시한다. 이러한 기술은 표면방출 레이저를 구성하는 상부 거울 및 하부 거울과 활성층에 전기적, 광학적 영향없이 표면방출 레이저 구조를 외부적인 금속접합 방법으로 새로운 기판에 옮겨 붙여 제작하는 방법으로, 기존의 표면방출 레이저의 제작방법을 이용하면서 열적 특성이 우수한 새로운 기판으로 옮겨 제작함으로써 우수한 열 방출 특성을 얻게 하여, 궁극적으로 제작이 용이하면서 신뢰성이 높으며, 우수한 특성의 표면방출 레이저 제작을 가능하게 한다.
표면방출 레이저(Vertical Cavity Surface Emitting Lasers, VCSELs), 금속접합(metallic bonding), 화합물 반도체(compound semiconductor), 유전체 거울층(dielectric mirror), 반도체 거울층(semiconductor Distributed Brag reflector, DBR), 습식선택 식각, 건식선택 식각-
公开(公告)号：KR1020030062792A
公开(公告)日：2003-07-28
申请号：KR1020020003187
申请日：2002-01-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/335
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating high power and high frequency(RF) high electron mobility transistor(HEMT) by quenching is provided to improve a contact characteristic and an electrical characteristic by improving the uniformity of the surface of a metal layer and adhesion on an interface between the metal layer and a semiconductor layer. CONSTITUTION: The first and second semiconductor layers that have different bandgap to form a heterojunction are sequentially formed on a substrate. A source/drain made of a multiple metal layer is formed on the second semiconductor layer. A heat treatment process is performed on the substrate having the source/drain to make an ohmic contact between the source/drain and the second semiconductor layer. The first quenching is performed on the resultant structure with no time delay. A gate made of a multiple metal layer is formed on the second semiconductor layer between the source/drain. A heat treatment process is performed on the substrate including the gate to make a Schottky contact between the gate and the semiconductor layer. The second quenching is performed on the resultant structure with no time delay.
Abstract translation: 目的：提供通过淬火制造高功率和高频（RF）高电子迁移率晶体管（HEMT）的方法，以通过改善金属层表面的均匀性和界面上的粘合来改善接触特性和电特性 在金属层和半导体层之间。 构成：在衬底上依次形成具有不同带隙以形成异质结的第一和第二半导体层。 在第二半导体层上形成由多金属层制成的源极/漏极。 在具有源极/漏极的衬底上进行热处理工艺以在源极/漏极和第二半导体层之间形成欧姆接触。 在没有时间延迟的情况下对所得结构进行第一次淬火。 在源极/漏极之间的第二半导体层上形成由多金属层制成的栅极。 在包括栅极的基板上进行热处理工艺，以在栅极和半导体层之间形成肖特基接触。 对所得到的结构进行第二次淬火，没有时间延迟。
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公开(公告)号：KR1020170098521A
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：KR1020160020540
申请日：2016-02-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은레이저특성을개선할수 있도록한 파장가변레이저장치에관한것이다. 본발명의실시예에의한파장가변레이저장치는광신호를출력하는이득부와; 상기이득부의일측에위치되며, 상기광신호를제 1파장간격으로반사하는제 1회절격자반사기와; 상기이득부의타측에위치되며, 상기광신호를제 2파장간격으로반사하는제 2회절격자반사기와; 상기이득부와상기제 2회절격자반사기사이에위치되며, 제 3파장간격의광신호만이출력되도록제어하는광필터를구비한다.
Abstract translation: 本发明涉及能够改善激光特性的波长可调激光装置。 根据本发明实施例的可调谐激光装置包括：用于输出光信号的增益单元; 第一衍射光栅反射器，其位于增益部分的一侧并以第一波长间隔反射光信号; 位于增益部分的另一侧并且以第二波长间隔反射光信号的第二衍射光栅反射器; 以及位于增益部分和第二衍射光栅反射器之间并被配置为仅输出具有第三波长间隔的光信号的滤光器。
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公开(公告)号：KR1020140029564A
公开(公告)日：2014-03-11
申请号：KR1020120094258
申请日：2012-08-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/42
CPC classification number: G02B6/4274 , G02B6/4249 , G02B6/4263 , G02B6/4279
Abstract: The present invention relates to a multi-channel receiver optical sub assembly, including: a multi-channel PD array in which a number of photo diodes (PD) which are arranged on a first capacitor and include a receiver part arranged on the center and an anode electrode pad arranged in an opposite direction of 180° between PDs adjacent to the receiver part are monolithic-integrated; a number of transimpedance amplifiers (TIA) which are arranged on a number of second capacitors, and are connected to the anode electrode pad of each PD through wire bonding; a sub mount in which the first capacitor, the second capacitors and a number of transmisson lines are embedded; and a transistor outline (TO) comprising a plurality of pins including a power pin to supply a power source voltage to the multiple PDs and the multiple TIAs through the multiple transmission lines, a ground pin to supply a ground voltage to the multiple TIAs and an output pin to output a signal of the multiple TIAs. The sub mount is embedded in the TO.
Abstract translation: 本发明涉及一种多通道接收机光学子组件，其包括：多通道PD阵列，其中布置在第一电容器上并包括布置在中心的接收器部分的多个光电二极管（PD）和 在与接收器部分相邻的PD之间以相反方向180°布置的阳极电极焊盘是单片集成的; 多个跨阻放大器（TIA），其布置在多个第二电容器上，并且通过引线接合连接到每个PD的阳极电极焊盘; 其中嵌入有第一电容器，第二电容器和多个透射线; 以及包括多个引脚的晶体管轮廓（TO），所述多个引脚包括电源引脚，以通过所述多个传输线向所述多个PD提供电源电压和所述多个TIA;接地引脚，用于向所述多个TIA提供接地电压，以及 输出引脚输出多个TIA的信号。 子安装座嵌入到TO中。
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公开(公告)号：KR101211085B1
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：KR1020090043174
申请日：2009-05-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/146
Abstract: 본발명에다른고유포토다이오드이미지센서는포토다이오드, 상기포토다이오드로부터의전자를집속하는확산영역, 상기포토다이오드와상기확산영역을연결하는트랜스퍼트랜지스터및 상기확산영역으로부터신호를득출하는득출회로를포함하는적어도 2개이상의단위화소를포함하는이미지센서에있어서, 이웃한상기단위화소는상기포토다이오드가서로이웃하도록대칭적으로배치되어하나의공유포토다이오드를형성한다. 따라서, 공유포토다이오드이미지센서는성능에제한을주는암전류를발생하는소자분리막를제거할뿐만아니라, 소자분리막과관련된기본적인최소설계요구조건(간격, 면적)을제거하여, 이러한영역을포토다이오드로사용할수 있거나, 추가적인화소스케일링에이용할수 있도록함으로써포토다이오드자체의스케일링한계를획기적으로개선하고, 화소의스케일링에도픽셀성능을유지할수 있도록한다.
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公开(公告)号：KR1020120047042A
公开(公告)日：2012-05-11
申请号：KR1020100108685
申请日：2010-11-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/10 , H01L21/306 , H01L21/20
CPC classification number: H01L31/107 , H01L31/02027 , H01L31/02161 , H01L31/184 , Y02E10/544
Abstract: PURPOSE: An avalanche photodiode and a forming method thereof are provided to improve the receiving sensitivity of a avalanche photodiode by accurately controlling an amplification factor with avalanche amplification. CONSTITUTION: A compound semiconductor absorbing layer(202) is formed on a substrate(200). A compound semiconductor grading layer(204) is formed on the compound semiconductor absorbing layer. A charge sheet layer(207) is formed on the compound semiconductor grading layer. A compound semiconductor amplification layer(209) is formed on the charge sheet layer. An dielectric layer(230) is formed on the compound semiconductor amplification layer.
Abstract translation: 目的：提供雪崩光电二极管及其形成方法，以通过雪崩放大精确控制放大系数来提高雪崩光电二极管的接收灵敏度。 构成：在基板（200）上形成化合物半导体吸收层（202）。 在化合物半导体吸收层上形成化合物半导体分级层（204）。 在化合物半导体分级层上形成电荷层（207）。 在充电片层上形成化合物半导体放大层（209）。 在化合物半导体放大层上形成介电层230。
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