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公开(公告)号：KR1020000007257A
公开(公告)日：2000-02-07
申请号：KR1019980026477
申请日：1998-07-01
IPC: H01S5/30
Abstract: PURPOSE: The laser device achieves high optical coupling efficiency with an optical fiber. CONSTITUTION: The laser device comprises an emission angle control optical wave guide(42) fabricated in a mesa etching process to define an active region(40) without etching and crystal growth to suppress the optical absorption of the emission angle control region after epitaxial crystal growth to form the active region of the semiconductor laser. The laser device comprises the active region for the operation of the laser, the wave guide to control the emission angle, a high reflection(HR) coating(41) to operate the laser in the active region and an anti-reflection(AR) coating to obtain high optical output intensity.
Abstract translation: 目的：激光器件利用光纤实现高耦合效率。 构成：激光装置包括在台面蚀刻工艺中制造的发光角度控制光波导（42），以在没有蚀刻和晶体生长的情况下限定有源区（40），以抑制外延晶体生长后的发射角控制区的光吸收 以形成半导体激光器的有源区。 激光装置包括用于激光的操作的有源区域，用于控制发射角的波导，用于在激活区域中操作激光的高反射（HR）涂层（41）和抗反射（AR）涂层 以获得高的光输出强度。
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公开(公告)号：KR100243411B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019970053151
申请日：1997-10-16
IPC: H01S5/026
Abstract: 본 발명은 반도체 레이저와 광검출기가 단일칩 집적된 양방향 소자 구조에 관한 것으로서, 한 가닥의 광섬유를 사용하여 송신 및 수신 광신호를 동시에 전송하는 양방향 광통신에 있어서 별도의 광도파로 형태의 광분기 소자 없이 광송신용 반도체 레이저와 광수신용 광검출기 소자를 동일한 반도체 기판위에 수직 집적시켜 반도체 레이저의 활성영역과 광검출기 소자의 광흡수 영역이 매우 근접하도록 위치시키므로써 동일한 광섬유와의 광결합이 상기 두 가지 소자에 대해 모두 용이하게 이루어지도록 구성함으로써, 광부품 수 절감 및 광패키징 공정 간략화에 따라 양방향 광통신용 광모듈의 소형화, 제작 원가 절감 및 특성 개선의 효과를 갖는다.
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公开(公告)号：KR100232709B1
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：KR1019960033174
申请日：1996-08-09
IPC: H01S3/094
Abstract: 본 발명은 반도체 레이저 모듈을 구성하는 케이싱 내부로 연장된 플랜지의 내측 선단에 일정한 파장의 광만을 선택적으로 투과시킬 수 있는 선택적 광 투과필터를 설치한 것을 그 요지로 하며, 본 발명에 따른 광 투과 필터는 유리 표면에 유전체막을 증착함으로서 형성되며, 이 광 투과 필터는 프레임에 고정된 상태에서 플랜지의 홈에 수용된 프레임의 양축이 플랜지의 홈내에서의 자유로운 회전이 이루어짐에 따라 프레임이 양 축을 기준으로 회전되어 광 투과 필터에 대한 광의 입사각을 조절할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019990042571A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970063420
申请日：1997-11-27
IPC: H04J14/02 , H04B10/572
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 파장 의존성을 갖는 광검출기를 이용한 파장 안정화 장치에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은, 파장에 따라 수신 감도가 다른 광검출기를 이용하여 복수의 광검출기에 입사된 광세기들의 차이에 해당하는 전류를 출력하여 광원의 파장을 안정시킬 수 있는 파장 안정화 장치를 제공하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은, 외부로부터 입력된 광원을 분할하여 파장의 변화에 관계없이 일정한 전기적 신호를 검출하고 파장에 따라 변화되는 전기적 신호를 검출하는 광 검출부; 입력된 전기적 신호들을 증폭한 후에 이를 차동 증폭하는 증폭부; 차동 증폭된 출력전압을 기준검출전압으로 나눈 값과 외부로부터 입력된 기준전압과의 오차전압을 출력하는 연산부; 및 오차전압을 전류로 변환하여 출력하는 변환부를 포함한다.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 다채널 광전송 시스템 등에 이용됨.-
公开(公告)号：KR1019990032176A
公开(公告)日：1999-05-06
申请号：KR1019970053151
申请日：1997-10-16
IPC: H01S5/026
Abstract: 본 발명은 반도체 레이저와 광검출기가 단일칩 집적된 양방향 소자 구조에 관한 것으로서, 한 가닥의 광섬유를 사용하여 송신 및 수신 광신호를 동시에 전송하는 양방향 광통신에 있어서 별도의 광도파로 형태의 광분기 소자 없이 광송신용 반도체 레이저와 광수신용 광검출기 소자를 동일한 반도체 기판위에 수직 집적시켜 반도체 레이저의 활성영역과 광검출기 소자의 광흡수 영역이 매우 근접하도록 위치시키므로써 동일한 광섬유와의 광결합이 상기 두 가지 소자에 대해 모두 용이하게 이루어지도록 구성함으로써, 광부품 수 절감 및 광패키징 공정 간략화에 따라 양방향 광통신용 광모듈의 소형화, 제작 원가 절감 및 특성 개선의 효과를 갖는다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990000230A
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019970022975
申请日：1997-06-03
IPC: H01S5/227
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 레이저 제조 분야
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 부가 공정 없이 고출력을 얻을 수 있으며, 동시에 광섬유와 광결합 효율을 증가시키기 위하여 출력광의 크기를 증가시킬 수 있는 평면 매립형 반도체 레이저 장치를 제공하고자 한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 전면으로부터 후면을 향하여 그 폭이 선형적으로 증가하는 제1 영역과, 상기 선형 영역의 끝단의 폭을 상기 후면까지 연장한 제2 영역을 포함하는 활성층을 제안 하였다.
4. 발명의 중요한 용도
광통신, 특히 광송신기에 이용됨.-
公开(公告)号：KR100155513B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019950042601
申请日：1995-11-21
IPC: H01S5/10
Abstract: 본 발명은 고출력 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 상부 및 하부 표면을 갖는 제1도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부 표면에 형성된 제1도전형의 제1클래드층과, 상기 제1클래드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성된 제1광도파로층과, 상기 제1광도파로층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 제1광도파로층 보다 광굴절률이 큰 물질이 양자우물 구조로 형성된 활성층과, 상기 활성층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 활성층 보다 광굴절율이 작은 상기 제1광도파로층과 동일한 물질로 형성된 제2클래드층과, 상기 제2광도파로층 상부에 소정 폭을 갖고 길이 방향으로 길게 형성되며 광굴절률이 제2 광도파로 보다 작은 서브 릿지와, 상기 서브 릿지의 상부에 서브 릿지 보다 좁은 폭을 갖고 길이 방향으로 길게 형성된 제2도� ��형의 제2클래드층과 상기 제2클래드층의 상부에 형성된 불순물이 고농도로 도핑된 제2도전형의 오믹접촉층과, 상기 반도체 기판의 하부 표면과 상기 릿지의 오믹접촉층에 형성된 제1 및 제2도전형 전극을 포함한다.
따라서, 고출력 동작시 공진기 내의 광출력 밀도를 낮게하여 고차 모드 발생에 의한 방사 패턴의 변화를 방지하여 레이저 다이오드 모듈에서 출력되는 광량과 광출력의 안정도를 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019970004492B1
公开(公告)日：1997-03-28
申请号：KR1019930018144
申请日：1993-09-09
IPC: H01L31/107
Abstract: This invention about guard ring manufacturing method prevents the premature breakdown of an avalanche photodiode(APD) caused by electric field concentration. The method includes the steps of: step(A) that is forming a n-type InGaAsP absorption layer(2) on the surface of a n+ type InP substrate(1), a n-type InGaAsP layer(3) on the absorption layer(2), a n+ type InP layer(4) on the n-type InGaAsP layer(3), and a n- type InP amplifying layer(5) on the n+ type InP layer(4); step(B) depositing a SiNx etching protect film(6) on the surface of the n-type InP amplifying layer(5) and, by that, etching designated region needed to form a guide; step(C) where the SiNx etching protect film is removed after the etched region is etched as the pattern with designated thickness T1 and width W1; and step(D) coating a p-type InP layer(7) by the liquid epitexial method and doping the p-type InP layer(7) lighter than the p-type InP layer(7) by the prescribed liquid epitexial method.
Abstract translation: 关于保护环制造方法的本发明防止由电场浓度引起的雪崩光电二极管（APD）的过早击穿。 该方法包括以下步骤：在n +型InP衬底（1）的表面上形成n型InGaAsP吸收层（2）的步骤（A），吸收层上的n型InGaAsP层（3） （2），n型InGaAsP层（3）上的n +型InP层（4）和n +型InP层（4）上的n型InP放大层（5）; 步骤（B）在n型InP放大层（5）的表面上沉积SiNx蚀刻保护膜（6），由此刻蚀形成导向器所需的指定区域; 在蚀刻区域被蚀刻为具有指定厚度T1和宽度W1的图案之后，去除SiNx蚀刻保护膜的步骤（C）; 和步骤（D），通过液体荧光法涂覆p型InP层（7），并通过规定的液体荧光法掺杂比p型InP层（7）更轻的p型InP层（7）。
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公开(公告)号：KR1019970004186A
公开(公告)日：1997-01-29
申请号：KR1019950017305
申请日：1995-06-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/10
Abstract: 본 발명은 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 오믹접촉층 상부의 전극이 서로 소정 거리 이격되고 오믹접촉층의 길이 방향과 수직을 이루는 다수 개의 빗살을 갖는 빗의 형상으로 형성하여 활성층에서 광을 불연속적으로 발생시키거나, 또는,리지형태인 제3클래드층과 오믹접촉층의 폭을 주기적으로 다르게하여 활성층에서 광을 공진기의 폭(W1)(W2)에 따라 서로다른 횡모드 분포를 갖도록 발생시켜 공진기의 가장자리 부분에서 상대적으로 높은 이득에 의해 중심 부분 보다 밝게되는광을 공진기의 길이 방향으로 짧은 길이를 갖도록 유도한다. 따라서, 높은 차수의 횡모드에 대응하는 밝은 띠가 짧게 무질서하게 형성되거나 발진자체를 억제하여 공진기의 기본 횡모드만 여기시킴으로써 출력되는 광의 방사 패턴의 중심 축이굴절되는 것을 방지하여 광출력의 안정도를 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019960027104A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940036367
申请日：1994-12-23
IPC: H01S5/12
Abstract: 본 발명은 회절격자 구조를 변형시켜 광통신용 분포 궤환형 레이저다이오드 성능을 향상시킬 수 있는 분포 궤환형 레이저다이오드에 관한 것으로, λ/4 위상천이 레이저다이오드의 문제점을 해결하기 위하여 소정의 적절한 위치에 소정의 적절한 수치의 위상천이를 수행함으로써 곁모드 억제율 향상과, 발진 파장의 조절과, 공진기 내부 광자 분포의 조절과, 양 거울면 잔유반사의 영향 감소, 및 광출력 비율의 조절을 가능하게 할 수 있다.
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