-
公开(公告)号：KR1020010010639A
公开(公告)日：2001-02-15
申请号：KR1019990029628
申请日：1999-07-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/28
Abstract: PURPOSE: A polymer waveguide grating wavelength division optical device using a GaAs board and a fabrication method thereof are provided to improve the property of the device, and to achieve the integration with the other active device. CONSTITUTION: A n-GaAs lower clad layer(2), an i-lnGaAs absorption layer(3), a p-GaAs upper clad layer(4), and a p-lnGaAs layer(5) are formed on a n-GaAs substrate using a semiconductor thin film deposition equipment for forming an optical detector device. A waveguide of the optical detector device is patterned using an optical etching method. The area around the pattern is coated using a polyimide, thereby limiting the electric property of the optical detector device. A p-ohmic metal layer is formed on the optical detector device, and a n-ohmic metal layer(8) is formed under the optical detector device. A SiNx thin film is deposited on the whole GaAs substrate. A polymer optical waveguide lower clad layer(9), a polymer optical waveguide core layer(10), and a polymer optical waveguide upper clad layer(12) are successively formed using a spin coating method. The polymer material deposited on the optical detector device and the SiNx thin film are removed using a BOE etching solution. A cross section for input and output of a light wave is formed using a cleaving method and a polishing method. In this way, the fabrication of the optical detector device is completed.
Abstract translation: 目的：提供一种使用GaAs板的聚合物波导光栅波长分割光学器件及其制造方法，以提高器件的性能，并实现与其他有源器件的集成。 构成：在n-GaAs上形成n-GaAs下包层（2），i-InGaAs吸收层（3），p-GaAs上覆层（4）和p-InGaAs层（5） 使用用于形成光学检测器装置的半导体薄膜沉积设备的衬底。 使用光学蚀刻方法对光学检测器件的波导进行构图。 使用聚酰亚胺涂覆图案周围的区域，从而限制光学检测器装置的电性能。 在该光学检测器件上形成一个欧姆金属层，在该光学检测器件下方形成一个n-欧姆金属层（8）。 在整个GaAs衬底上沉积SiNx薄膜。 使用旋涂法连续形成聚合物光波导下包层（9），聚合物光波导芯层（10）和聚合物光波导上包层（12）。 使用BOE蚀刻溶液除去沉积在光学检测器件和SiNx薄膜上的聚合物材料。 使用切割方法和抛光方法形成光波的输入和输出的横截面。 以这种方式，完成了光学检测器装置的制造。
-
公开(公告)号：KR1020000050318A
公开(公告)日：2000-08-05
申请号：KR1019990000079
申请日：1999-01-05
IPC: G02B6/00
Abstract: PURPOSE: A wave transformer is provided to cause the reflection rate of both arms of an interference system to be zero by using a semiconductor optical amplifier as a phase modulating unit. CONSTITUTION: A wave transformer includes a phase modulating unit which has a non-linear device such as a semiconductor optical device. The wave transformer comprises a probe light(1), an optical coupler(6), a signal light(17), an optical coupler(14), optical fibers(9,15), an optical coupler(12), an optical fiber(11), a phase modulating unit(10). The phase modulating unit(10) modulates the signal which is inputted to the input port(a) of the optical coupler(14) when the signal of the signal light(17) is inputted to the input port(b) of the optical coupler(14).
Abstract translation: 目的：提供一种波形变压器，通过使用半导体光放大器作为相位调制单元，使干涉系统的两臂的反射率为零。 构成：波变压器包括具有诸如半导体光学器件的非线性器件的相位调制单元。 波形变压器包括探测光（1），光耦合器（6），信号光（17），光耦合器（14），光纤（9,15），光耦合器（12），光纤 （11），相位调制单元（10）。 当信号光（17）的信号输入到光耦合器（14）的输入端口（b）时，相位调制单元（10）调制输入到光耦合器（14）的输入端口（a）的信号 （14）。
-
公开(公告)号：KR100226442B1
公开(公告)日：1999-10-15
申请号：KR1019970054781
申请日：1997-10-24
Abstract: 본 발명은 하기 화학식(1)을 갖는 에티닐기를 갖는 불소 치환 폴리아릴렌 에테르계 고분자, 그의 제조방법 및 이를 사용하는 통상의 방법으로 광도파로형 광소자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 상기 고분자는 주쇄 구조에서의 높은 불소 치환으로 분자 진동에 의한 물질 고유의 광통신 영역에서의 광흡수를 배제할 수 있으므로 고분자 광소자의 가장 큰 문제점인 광진행 손실을 크게 낮출 수 있다. 또한 고분자 말단에 열경화성 에티닐기가 도입됨으로 인해 고분자 매트릭스의 열가교를 통한 내화학성이 향상되어 다층 박막 공정이 가능하며, 500℃ 이상에서도 열적으로 분해 및 승화되지 않는 열안정성이 뛰어난 우수한 광도파로형 광소자를 제조할 수 있다.
(화학식 1)-
公开(公告)号：KR100226441B1
公开(公告)日：1999-10-15
申请号：KR1019970046379
申请日：1997-09-09
Abstract: 본 발명은 열 적으로 안정한 전기 광학적 성질을 가지며, 폴리아믹산을 거치지 않고 직접 이미드화되는 방법을 도입하여 용해도가 좋고, 광전송 손실이 아주 낮은 비선형 광학 물질을 함유하는 폴리이미드 화합물 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 폴리이미드 화합물을 하기 화학식 4에 나타냈다.
[화학식 4]
상기 화학식 4에서,
n 은 중합도로서, 10∼100 범위의 자연수이고,
X 는 SO
2 , CO, C(CF
3 )
2 , O 또는 Si(CH
3 )
2 이고,
NLO 는 DANS(4-[N-(2-알킬옥시)아미노]-4'-니트로스틸벤) 유도체,
DASS(4-[N-(2-알킬옥시)술포닐]-4'-(N,N'-디알킬아미노)스틸벤 유도체,
또는 디스퍼스 레드 1이다.-
35.发明公开
公开(公告)号：KR1019990052196A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970071645
申请日：1997-12-22
IPC: G02B6/35
Abstract: 본 발명은 전기광학 고분자 박막의 광축이 폴링 전장 방향과 동일하게 형성되는 특성을 이용한 것으로서, 폴링 후 마하-젠드 간섭계 양 팔의 도파층에 형성된 광축 방향이 서로 수직인 구조를 갖는 편광 독립 고분자 광 변조기/스위치에 관한 것이다. 본 발명은 간섭계 양 팔(20, 21)의 폴링방향을 기판에 대하여 +45°와 -45°로 서로 수직하게 폴링하고, 폴링 방향과 동일한 방향으로 구동 전압을 인가하기 위하여 폴링용 전극(16 및 18, 17 및 19)을 구동 전극으로 사용하여, 양 팔에 같은 극(polarity)과 크기를 갖는 전장을 동시에 인가 함으로써 편광에 무관하게 동작할 수가 있다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990050539A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970069671
申请日：1997-12-17
IPC: H04L12/52
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 공간 병렬형 광 페이지의 시간 분할 교환 장치 및 방법에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은, 화상 정보를 비트 단위로 처리하지 않고 그대로 전송 및 교환하여, 대용량의 광신호 처리를 저속의 제어 시스템으로도 가능토록 하고, 대용량의 광 정보를 기존의 전자 교환 장치로 용이하게 처리토록 하는 공간 병렬형 광 페이지의 시간 분할 교환 장치 및 방법을 제공하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은, 화상 신호를 시간축 상에 일직선으로 늘어 놓는 형태로 시간 다중화를 하는 시간 다중화 수단과, 다중화된 신호를 전송받아 교환하고자 하는 채널간에 각 시간 슬럿을 바꿔 치기하는 시간 슬럿 교환 수단, 및 시간 슬럿 교환 수단으로부터 위치가 바꾸어진 화상 신호를 전송받아 채널별 신호로 분리 시키는 시간 역다중화 수단을 포함한다.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 광 전송 및 교환 시스템에 이용됨.-
公开(公告)号：KR100198935B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960056157
申请日：1996-11-21
IPC: G02B6/24
Abstract: 1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술 분야
평면 광 집적회로에 필요한 파장 필터에 이용되는 비대칭 방향성 커플러
2.발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
파장 대 유효 굴절율 곡선의 기울기 차가 심한 두 개의 도파로를 갖고 있어, 좁은 선폭의 파장 필터가 가능한 비대칭 방향성 커플러 및 그 제조 방법을 제공하고자 함.
3.발명의 해결 방법의 요지
감광 공정을 사용하여 파장 대 유효 굴절율 곡선의 기울기가 완만한 제1도파로와, 식각 공정을 사용하여 파장 대 유효 굴절율 곡선의 기울기가 급격한 제2도파로를 갖는 비대칭 방향성 커플러를 한 기판에 만든다.
4. 발명의 중요한 용도
파장 필터의 비대칭 방향성 커플러-
公开(公告)号：KR1019990033424A
公开(公告)日：1999-05-15
申请号：KR1019970054781
申请日：1997-10-24
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 (1)을 갖는 에티닐기를 갖는 불소 치환 폴리아릴렌 에테르계 고분자, 그의 제조방법 및 이를 사용하여 통상의 방법으로 광도파로형 광소자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 상기 고분자는 주쇄 구조에서의 높은 불소 치환으로 분자 진동에 의한 물질 고유의 광통신 영역에서의 광흡수를 배제할 수 있으므로 고분자 광소자의 가장 큰 문제점인 광진행 손실을 크게 낮출 수 있다. 또한 고분자 말단에 열경화성 에티닐기가 도입됨으로 인해 고분자 매트릭스의 열가교를 통한 내화학성이 향상되어 다층 박막 공정이 가능하며, 500℃ 이상에서도 열적으로 분해 및 승화되지 않는 열안정성이 뛰어난 우수한 광도파로형 광소자를 제조할 수 있다.
(화학식 1)-
39.发明授权
公开(公告)号：KR100169910B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019960020080
申请日：1996-06-05
Abstract: 본 발명은 하기 일반식 (1)및 (2)로 표시되는 비선형 광학 폴리이미드, 그의제조방법 및 하기 일반식 (1)및 (2)로 표시되는 비선형 광학 폴리이미드를 코어층으로서 사용한 광도파로형 광소자에 관한 것이다.
상기 식에서,n은 유변기의 길이로서, 2내지 10의 자연수이고;X는 C(CF
3 )
2 , C(CH
3 )
2 , Si(CH
3 )
2 , CO, SO
2 , O및 S이고;D는 전자주게기로, O, NH및 알킬아민(NR
1 , 이때 R
1 은 C
1 내지 Ca의 알킬기)이고;B는 연결기로 아무것도 없거나, CH=CH, N=N, C=C이고;A는 전자받게기로, N0
2 , 트리시아노에틸렌, CN, SO
2 R
2 (이때,R
2 는 C
1 내지 C
6 의 알킬기)이고; 및, Y는 C(CF
3 )
2 , C(CH
3 )
2 , Si(CH
3 )
2 , CO, SO
2 , O및 S이다. -
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
75
records
(took 0.02 seconds)
