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公开(公告)号：KR100199004B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019950052656
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/00
Abstract: 본 발명은 광 투과 이차원 광논리 기판을 이용한 구조에서의 각 기판의 소자 배치에 관한 것으로서, 그 특징은 적층구조에서의 각 기판의 소자배치방법에 있어서, 소정 번째의 기판에서 하나 혹은 그 이상의 출력용 시드들을 필요에 따라 혼 곳에 집척 배치하는 데에 있으므로, 본 발명은 광 논리 소자 공간 밀도를 높이기 위한 적층 형태의 병렬형 광 논리 연산 구조에서 다른 구성요소보다 단위 면적이 큰 광 관통구가 전체 집적도를 제약하는 정도를 현저히 완화하며, 자연스럽게 다음 단계에서 서로 연관지어 논리계산을 수행할 결과를 내어놓는 출력 시드들을 한 곳에 몰아 설계하여 기판 자체의 설계 및 해석이 쉬어진다는 데에 그 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019990027361A
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019970049802
申请日：1997-09-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B5/28
Abstract: 본 발명은 다중 모드 간섭계 및 회절격자를 이용한 파장 검출기에 관한 것으로, 특히 폭이 좁은 파장을 추출하여 파장에 민감한 광 교환 소자 및 광 논리 소자들의 제어를 확실하게 할 수 있는 파장 검출기에 관한 것이다.
파장 분할 전송에서 많이 이용되고 있는 다중/역다중 방식은 광 도파로 격자를 사용하고, 아울러 매우 극소수로써 다중 모드 간섭계를 이용한 phasar(phased array)를 사용하고 있는 실정이다. 그러나 광도파로 격자를 사용하는 경우, 다중 파장에서 단일 파장을 검출하는데 입력된 빛의 세기가 매우 약하게 감쇄되는 단점과 그 구조의 복잡함으로 인하여 제조가 용이하지 않은 단점이 있다.
본 발명에서는 다중 모드 간섭계로 균등 분할된 광을 다중 회절격자를 사용하여 여러 파장 중에서 단일 파장을 검출한 후, 광들이 서로 위상차를 갖도록 함으로써 특정 포트로 출력된 파장을 민감한 광 교환 소자 및 광 논리 소자에 입력 시킬 수 있는 파장 검출기를 제시한다.-
公开(公告)号：KR100170191B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019950053669
申请日：1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F3/02
Abstract: 본 발명은 광 쌍안정 논리소자에 관한 것으로 특히, 반 절연 반도체 기판 위에 화합물 반도체 다층 거울층을 성장시키는 제1 과정과; 상기 제1 과정에서 형성된 하부 거울층 위에 제1 도전층을 형성하는 제2 과정과; 상기 제2 과정에서 형성된 제1 도전층 위에 광학적 활성중간층 다중 양자 우물층을 형성하는 제3 과정과; 상기 제3 과정에서 형성된 층위에 상기 제1 도전층의 형성을 위해 사용되었던 도핑물질과 극성이 다른 도핑물질을 사용하여 제2 도전층을 형성하는 제4 과정과; 상기 제4 과정에서 형성된 제2 도전층위에 광학적 활성중간층 다중 양자 우물층을 형성하는 제5 과정과; 이 우물층 위에 상기 제2 과정의 제1 도전층을 형성하는 제6 과정과; 상기 제3, 제4 과정(혹은 제5, 제6 과정)을 순차적으로 반복 수행하여서 상기 제1 과정의 하부 거울층으로부터 소정의 두께(L)의 위치에 상부 거울층을 형성하는 제7 과정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 무전압 광쌍안정소자의 제조방법 및 그에 따른 공명구조와 적층 다이오드구조가 결합된 수직구조형 광변조기를 외부인가 전압없이 자체의 다이오드 바이어스에 의해 동작하도록 외부전원 없이 자체적으로 구동되는 것을 특징으로 하는 무전압 광쌍안정 논리소자의 구조를 제공하여 자체의 바이어스를 이용하며, 적층 구조에 비대칭 공명구조를 결합함으로써 적층된 각 다이오드의 중간층의 두께를 줄여 자체 바이어스에 의해서도 충분히 큰 구동전계를 얻을 수 있도록 하는 효과가 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100155529B1
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019950047435
申请日：1995-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G06E1/00
Abstract: 본 발명은 표면방출 레이저, 광논리소자 및 마이크로렌즈 어레이들을 수직으로 조밀하게 배열시키므로서 광의 경로를 극소화시킨 병렬 광논리처리 시스템에 관한 것으로, 광원과 광논리소자가 있는 기판을 통해 빛이 직선적으로 지나갈 수 있는 경로를 제공하고, 또한 빛이 직선적으로 진행하며 작동될 수 있는 광논리소자를 이용하므로서 빛이 경로를 변경시키는 부품을 배제시켜 집적효율을 높인 병렬 광논리처리 시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.
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公开(公告)号：KR1019980050460A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069283
申请日：1996-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/00
Abstract: 다중 전송 통신 시스템에 있어서 전송되어온 빛을 어떻게 분리하여 다시 여러개의 단말기에 분배를 하는가 하는 것이 해결해야할 중요한 문제로 대두되어 왔는데, 광검출기 구조에서 흡수층을 동작파장에 해당하는 다중양자우물 또는 필터를 이용하여 구성하면, 각 파장에 대하여 흡수율이 1:2:4:8의 비율을 갖는 파장을 선택할 수 있고, 이러한 4중 빛을 사용할 경우 검출기에 흐르는 전류의 총합으로 4개의 빛 중 어떤 빛이 들어 왔는지를 결정 할 수 있어, 본 발명은 이러한 방식의 광검출기를 구현하였다.
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公开(公告)号：KR1019970054555A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950047054
申请日：1995-12-06
IPC: H01L31/107
Abstract: 본 발명은 애벌랜치 포토다이오드에 관한 것으로, 활성층영역이 주위보다 높은 전하량을 갖도록 형성하되 전기장(전계)을 보다 상세하게 조절하여 소자의 동작특성이 안정화되도록한 애벌랜치 포토다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 애벌랜치 포토다이오드 활성층에 해당하는 물질층을 그 사이에 n-InP 전하층(25), 도핑하지 않은 InP 층(26) 및 n-InP 전하층(27)을 차례로 적층된 구조로 형성하여 불순물층을 n-InP 전하층(25)과 n-InP 전하층(27)으로 2층으로 형성함으로써 활성층의 전하량을 높이는 동시에 조절을 용이하게 하여 소자의 동작특성이 개선된다.-
公开(公告)号：KR1019970051858A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950051484
申请日：1995-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 광투과 기판을 사용한 병렬 광논리처리 시스템의 구조에 관한 것으로서, 빛을 발진하는 광투과형 표면 방출 레이저가 어레이로 배열된 레이저 어레이 기판과, 상기 레이저 어레이에서 발진된 빛이 평행해지도록 빛을 접속하는 마이크로 렌즈가 어레이로 배열된 마이크로 렌즈 어레이 기판과, 상기 마이크로 렌즈 어레이 기판을 투과한 빛을 논리 회로의 창문으로 투과시켜 데이터를 읽어 논리 기능을 수행하는 광논리 소자 어레이로 이루어진 다수 개의 단위 칩으로 이루어져 빛이 직선적으로 상기 각 기판을 투과하면서 논리를 수행하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 빛이 각 기판을 통해 직선적으로 투과되면서 진행되므로 빛의 경로를 최단 거리로 할 수 있으며, 빛이 레이저 어레이 기판을 투과하므로 투과 면적이 증가되어 단위 칩 사이의 빛의 진행 경로를 맞추기 위한 정렬이 용이하다.-
公开(公告)号：KR1019970048681A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950052644
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B26/00
Abstract: 본 발명은 두 개의 다른 파장 소자를 집적시켜 논리, 스위칭, 파장 변환 등의 역할이 가능한 광 소자에 관한 것으로, 제1도전형으로 도우핑된 반도체 기판(1)위에 상기 기판(1)에 대해 투명한 파장에서 동작하는 광 소자로서 제1도전형전극(2)과 광학적 활성층의 다중양자 우물구조층(3) 및 제2도전형전극(4)이 순차적으로 순차적으로 형성되는 제1광소자 구조를 구비하고, 상기 제1광소자 구조위에 상기 제1광소자 구조에서 사용되는 제1파장과 또 자른 제2파장에서 동시에 고반사율을 갖는 거울 구조(5)를 구비하며, 상기 거울 구조(5)위에 상기 제2파장에서 동작하는 제2도전형전극(6)과 광학적 활성층의 다중양자 우물구조층(7) 및 제2도전형 반도체 전극층(8)이 순차적으로 형성되는 제2광소자 구조를 구비하고, 상기 제1도전형 기반(1)과 제2도전형전극(6)에 대 오믹전극(9)과, 상기 제2도전형전극(4)과 제2도전형 반도체 전극층(8)에 대한 오믹전극(10)과, 상기 제2광소자 구조에 대한 무반사막(11)과, 상기 제1광소자 구조에 대한 무반사막(12)이 구비되고 상기 제2도전형전극(4)과 제2도전형전극(6)을 연결하는 금속으로 구성되는이중 파장 DBR을 이용한 수직 구조형의 광변조기에 관한 것이다.
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