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公开(公告)号：KR100251534B1
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019970065336
申请日：1997-12-02
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: PURPOSE: A method for generating a multi-peak using a flank photo resonant transmission device is provided to deform a part of a structure of a dual barrier and generate a multi-peak characteristic by irradiating energy more than a band gap of an interval layer to a frank of a resonant transmission device having the structure of the dual barrier. CONSTITUTION: A beam having higher energy than a band gap of an interval layer is irradiated to a resonant transmission device(21) of a dual barrier structure(22) including interval layers formed on both ends. A multi-peak characteristic is generated by a difference between a resonant transmission condition of a beam absorption region and a resonant transmission condition of a non-beam absorption region. The resonant transmission device(21) has a diameter corresponding to two times to ten times of a reducing length of the absorbed beam.
Abstract translation: 目的：提供使用侧面光电共振传输装置产生多峰的方法，以使双重屏障的结构的一部分变形，并通过将间隔层的带隙照射的能量照射到多峰特性上而产生多峰特性 具有双重屏障结构的谐振传输装置的坦克。 构成：具有比间隔层的带隙高的能量的光束被照射到包括形成在两端的间隔层的双重屏障结构（22）的谐振传输装置（21）。 通过光束吸收区域的谐振传播条件与非光束吸收区域的谐振传输条件之间的差产生多峰特性。 谐振传输装置（21）具有对应于吸收光束的减小长度的两倍至十倍的直径。
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公开(公告)号：KR100212460B1
公开(公告)日：1999-08-02
申请号：KR1019960038192
申请日：1996-09-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/18
Abstract: 본 발명은 장파장 표면방출 레이저 칩 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 광 펌핑으로 동작되는 장파장 레이저 칩을 전기적으로 동작되는 단파장 표면방출 레이저 칩으로 광 펌핑하여 장파장 레이저 빔을 방출함으러써, 레이저 칩의 성장이 간단해지고, 광 펌핑 후 잔류된 단파장 레이저 빔을 InP 기판에서 흡수하므로 자동적으로 여과될 수 있도록 한 장파장 표면방출 레이저 칩 및 그 제조 방법이 개시된다.
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公开(公告)号：KR100178492B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019950053677
申请日：1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/18
CPC classification number: H01S5/18355 , H01S5/18308 , H01S5/18352 , H01S5/2063 , H01S5/2086 , H01S5/3202 , Y10S148/095 , Y10S148/099 , Y10S438/978
Abstract: 본 발명은 수직공진형 표면방출 레이저다이오드의 제작방법에 관한 것으로, 편광특성을 제어하기 위해 공진층을 110 또는
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960012639A
公开(公告)日：1996-04-20
申请号：KR1019940025171
申请日：1994-09-30
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 수직공진형 표면방출 레이저에 관한 것으로 서특히 공진기의 측면에 전극을 형성하여 공진기의 상부표면으로 레이저가 방출될 수 있는 마이크로레이저의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 활성층에 전류를 주입시키는 전극을 공진기의 측면에 형성함으로써 점점 미세화 되어가는 마이크로레이저에 보다 쉽게 전극을 형성시킬 있을 뿐만 아니라, 방출부 인상부 거울층을 둘러싸는 측면전극으로 인하여 레이저 활성층 내로 전류가 효율적으로 주입됨으로써 보다 작은 개시전류로도레이저를 동작시킬 수 있으며 공진기의 직렬저항을 격감시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019940017023A
公开(公告)日：1994-07-25
申请号：KR1019920024320
申请日：1992-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/18
Abstract: 본 발명은 메사(mesa) 패턴이 형성된 기판을 사용하여 표면방출형 레이저 다이오드 소자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 반도체 기판상에서 메사패턴을 형성하는 공정과, 메사패턴이 형성된 반도체 기판상에 식각중지층, n형 클래드층, 활성층, P형 클래드층 및 P형 콘택트층을 차례로 형성하는 공정과, P형 콘택트층 상에 소정 패턴의 포토레지스트를 형성한 다음 건식식각 마스크용 절연막을 형성하여 레이저 발진부분을 정의하는 공정과, 절연막을 마스크로 사용하여 식각중지층의 상면까지 식각하여 레이저 발진부분을 형성하는 공정과 레이저 발진부분의 P형 콘택트층의 상부에 P형 전극을 형성하고 아울러 이 레이저 발진부분과 대응하는 기판의 하부에 N형 전극을 형성하는 공정과, 메사패턴의 경사진 부분과 상하부의 일부분 상에 반사경을 형성한 공정을 포함한 것이다.
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公开(公告)号：KR100155529B1
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019950047435
申请日：1995-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G06E1/00
Abstract: 본 발명은 표면방출 레이저, 광논리소자 및 마이크로렌즈 어레이들을 수직으로 조밀하게 배열시키므로서 광의 경로를 극소화시킨 병렬 광논리처리 시스템에 관한 것으로, 광원과 광논리소자가 있는 기판을 통해 빛이 직선적으로 지나갈 수 있는 경로를 제공하고, 또한 빛이 직선적으로 진행하며 작동될 수 있는 광논리소자를 이용하므로서 빛이 경로를 변경시키는 부품을 배제시켜 집적효율을 높인 병렬 광논리처리 시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.
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