반도체입자가 담지된 금속 설파이드계 광촉매 및 그제조방법, 그리고 이를 이용한 수소의 제조방법
    31.
    发明公开
    반도체입자가 담지된 금속 설파이드계 광촉매 및 그제조방법, 그리고 이를 이용한 수소의 제조방법 失效
    半导体颗粒支持的金属硫化物基光催化剂,其制备方法和使用其制造氢的方法

    公开(公告)号:KR1020040021075A

    公开(公告)日:2004-03-10

    申请号:KR1020020052516

    申请日:2002-09-02

    Abstract: PURPOSE: A semiconductor particle supported metal sulfide based photocatalyst used in manufacturing hydrogen from water by photoreaction is provided, a method for manufacturing the same is provided, and a method for manufacturing hydrogen using the same is provided. CONSTITUTION: The semiconductor particle supported metal sulfide based photocatalyst is characterized in that it has the following general formula 1: Ax/MyM1zS, where A is a supported semiconductor particle selected from Si, SiC and TiO2, x for representing a mole ratio £Ax/(MyM1zS)| of A to MyM1zS has a value of 0.5 to 2.0, M is a metal selected from Sn and Zn, M1 is a metal selected from Co, Mn, Fe, Cu and Ru, y for showing a mixing ratio represented in an atom% of M/(M+M1) has a value of 50.0 to 95.0, and z for showing a mixing ratio represented in an atom% of M1/(M+M1) has a value of 5.0 to 80.0.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于通过光反应从水中制造氢的半导体颗粒负载的金属硫化物基光催化剂,其制造方法,并且提供了使用其制造氢的方法。 构成:半导体颗粒负载的金属硫化物基光催化剂的特征在于其具有以下通式1:Ax / MyM1zS,其中A是选自Si,SiC和TiO 2的负载型半导体颗粒,x表示摩尔比£Ax / (MyM1zS)| 的A至MyM 1 zS的值为0.5〜2.0,M为选自Sn,Zn的金属,M1为选自Co,Mn,Fe,Cu,Ru,y的金属,表示以原子%表示的混合比 M /(M + M1)的值为50.0〜95.0,用于表示M1 /(M + M1)的原子%表示的混合比的z的值为5.0〜80.0。

    이온이 첨가된 신규 산화티타늄계 화합물 박막 광전극 및 그 제조방법 그리고 이를 이용한 광전류 발생방법
    32.
    发明公开
    이온이 첨가된 신규 산화티타늄계 화합물 박막 광전극 및 그 제조방법 그리고 이를 이용한 광전류 발생방법 失效
    添加氧化钛的化合物的薄膜光电体,其制备方法和使用其生成光电流的方法

    公开(公告)号:KR1020010036280A

    公开(公告)日:2001-05-07

    申请号:KR1019990043232

    申请日:1999-10-07

    CPC classification number: H01L31/022425 H01L31/022466 H01L31/0264

    Abstract: PURPOSE: Provided is a thin-film photoelectrode made of ion-added titanium oxide compound which is used for converting light energy to electric energy. And a method for preparing the same and a method for generating photoelectrical current using the same are also provided. CONSTITUTION: The thin-film photoelectrode made of titanium oxide compound is represented by the formula (1) CG/TixMyO2: wherein, CG is a conducting glass, which collects photoelectrical current generated from a semiconductor, such as indium tin oxide glass or SnO2 glass; M is ionic materials added to synthesize the titanium oxide semiconductor compound and is selected from the group consisting of P, As, Sb, Cr, V, Mo, Mn, Re, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Al, Ga, Sn, Pb, S, Y, Rb, Na, Mg and Ca; x represents atom % of Ti/(Ti+M) and is 92.00-99.99; and y represents atom % of M/(Ti+M) and is 0.01-8.00. The method for preparing the thin-film photoelectrode of titanium oxide compound comprises steps of: (i) gradually adding Ti(OCH(CH3)2)4 mixed with isopropyl alcohol to distilled water to make atom % of Ti/(Ti+M) be 92.00-99.99 under nitrogen atmosphere and intensely stirring the solution for 5-20 minutes; (ii) after adding HNO3 to the obtained solution of the step (i) until the pH value gets 1-2 to accurately deposit titania, adding ionic materials to the solution to make atom % of M/(Ti+M) be 0.01-8.00; (iii) intensely mixing the solution at a temperature of 60-100 deg.C for 5-10 hours and then evaporating water to obtain sol having viscosity; (iv) after dropping fixed amount of the obtained sol on ITO plate to coat the plate with the sol in order to have uniform thickness, sintering the ITO plate at a temperature of 200-550 deg.C for 30-60 minutes.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于将光能转换成电能的离子加成氧化钛化合物制成的薄膜光电极。 还提供了制备该方法和使用该方法产生光电流的方法。 构成:由氧化钛化合物制成的薄膜光电极由式(1)CG / TixMyO2表示:其中,CG是导电玻璃,其收集由半导体产生的光电流,例如氧化铟锡玻璃或SnO 2玻璃 ; M是合成氧化钛半导体化合物的离子材料,选自P,As,Sb,Cr,V,Mo,Mn,Re,Fe,Ru,Co,Rh,Ir,Ni,Pd, Pt,Cu,Ag,Al,Ga,Sn,Pb,S,Y,Rb,Na,Mg和Ca; x表示Ti /(Ti + M)的原子%,为92.00-99.99; y表示M /(Ti + M)的原子%,为0.01-8.00。 制备氧化钛化合物的薄膜光电极的方法包括以下步骤:(i)逐渐加入与异丙醇混合的Ti(OCH(CH 3)2)4蒸馏水,使原子%的Ti /(Ti + M) 在氮气氛下为92.00-99.99,剧烈搅拌溶液5-20分钟; (ii)在所得到的步骤(i)的溶液中加入HNO 3直到pH值达到1-2以精确地沉积二氧化钛,向溶液中加入离子物质使M /(Ti + M)的原子%为0.01〜 8.00; (iii)将溶液在60-100℃的温度下强烈混合5-10小时,然后蒸发水以获得具有粘度的溶胶; (iv)在ITO板上固定量的所得溶胶放置后,用溶胶涂布以均匀的厚度,将ITO板在200-550℃的温度下烧结30-60分钟。

    가시광용 수소발생장치
    33.
    发明公开
    가시광용 수소발생장치 失效
    氢发生器可见光

    公开(公告)号:KR1020010002899A

    公开(公告)日:2001-01-15

    申请号:KR1019990022954

    申请日:1999-06-18

    Inventor: 박대철 백진욱

    CPC classification number: C01B3/066 B01J35/004 B01J2219/00033 C01B2203/0277

    Abstract: PURPOSE: A hydrogen generator is provided, which produces hydrogen by the continuous process and minimize management cost by automation of process CONSTITUTION: A reactor(1) comprises i) an input pipe(5) that input a photocatalyst of formula 1(Ni(a)Cd£M(b)|S, wherein, a is 0.1-5.00wt%(based on the photocatalyst) of Ni, M is one atom selected from V, Cr, Al, P, As, Sb and Pb, and b is 0.001-20.00mole% of M/(M+Cd)), an electron donator(Na2S), a reductant(Na2SO3 or NaH2PO2) and the purified water; ii) a hydrogen exhaust pipe(7); iii) a vacuum pump(3) that remove air of initial state being impurity; iv) a compressor; and then v) a scattered reflection glass cover(2) that cover the upside of the reactor(1) and have a thickness of 3-5mm.

    Abstract translation: 目的:提供氢气发生器,其通过连续过程产生氢气并通过过程自动化来最小化管理成本构成:反应器(1)包括i)输入管道(5),其输入式1的光催化剂(Ni(a )Cd£M(b)| S,其中a为Ni为0.1-5.00wt%(基于光催化剂),M为选自V,Cr,Al,P,As,Sb和Pb中的一个原子,b为 M /(M + Cd)的0.001-20.00摩尔%),电子给体(Na 2 S),还原剂(Na 2 SO 3或NaH 2 PO 2)和纯化水; ii)氢气排气管(7); iii)除去作为杂质的初始状态的空气的真空泵(3) iv)压缩机; 然后v)覆盖反应器(1)的上侧并具有3-5mm厚度的散射反射玻璃盖(2)。

    신규한 광촉매 및 그 제조방법, 그리고 이를 이용한 수소의 제조방법
    34.
    发明授权
    신규한 광촉매 및 그 제조방법, 그리고 이를 이용한 수소의 제조방법 失效
    新的光催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:KR100130515B1

    公开(公告)日:1998-04-03

    申请号:KR1019950007721

    申请日:1995-04-03

    Inventor: 박대철 정경환

    Abstract: The invention is a photo catalyst for creating hydrogen. The catalyst is not harmful to the environment and is used to create hydrogen from water by photo reaction at low temperature. The invention also reveals the method for getting the catalyst and the method of creating hydrogen using the catalyst and a promoter.

    Abstract translation: 本发明是用于产生氢的光催化剂。 催化剂对环境无害,用于在低温下通过光反应从水中产生氢。 本发明还揭示了使用催化剂和助催化剂获得催化剂的方法和产生氢的方法。

    에틸리덴 디 아세테이트 제조용 유기체 담지 촉매 및 이를 이용한 에틸리덴 디 아세테이트의 제조방법

    公开(公告)号:KR1019930003650B1

    公开(公告)日:1993-05-08

    申请号:KR1019900015918

    申请日:1990-10-08

    CPC classification number: C07C67/29 C07C69/16

    Abstract: A catalyst supported on an organic substance is given formula MaP. In formula, M is selected from RhCl(CO)[P(C6H5)3 2, RhCl(CO)[P(C6H5)3 3, (CH3CO2)2Pd, RhH(CO)[P(C6H5)3 3, and RhCl[P(C6H5)3 3; P is an organic support chosen from 2-20 % divinylbenzene polystyrene copolymer; and a is the wt.% of the metal. In the production of ethylidene diacetate of formula Ch3CH(OCOCH3)2, methyl acetate, 20-70 wt.% methyl iodide, CO, hydrogen are reacted in the presence of catalyst (I) and 1-10 wt.% picoline at 90-250 deg.C, under 20-70 atms. The catalyst can be easily separated from the ethylidene diacetate product.

    Abstract translation: 负载在有机物质上的催化剂给出式为MaP。 在式中,M选自RhCl(CO)[P(C6H5)3 2,RhCl(CO)[P(C6H5)3 3,(CH3CO2)2Pd,RhH(CO)] [P(C6H5) [P(C6H5)3 3; P是选自2-20%二乙烯基苯聚苯乙烯共聚物的有机载体; a是金属的重量%。 在制备式Ch 3 CH(OCOCH 3)2的亚乙基二乙酸酯的情况下,乙酸甲酯,20-70重量%甲基碘,CO,氢在催化剂(I)和1-10重量%甲基吡啶的存在下在90- 250℃,20-70℃以下。 催化剂可以容易地从亚乙基二乙酸酯产物中分离出来。

    반도체입자가 담지된 금속 설파이드계 광촉매 및 그제조방법, 그리고 이를 이용한 수소의 제조방법
    37.
    发明授权
    반도체입자가 담지된 금속 설파이드계 광촉매 및 그제조방법, 그리고 이를 이용한 수소의 제조방법 失效
    通过半导体粒子及其制备方法支持的MyM'zS光催化剂及其使用方法生产氢气

    公开(公告)号:KR100486388B1

    公开(公告)日:2005-04-29

    申请号:KR1020020052516

    申请日:2002-09-02

    Abstract: 본 발명은 물을 광반응으로 분해하는 데에 사용되는 반도체입자가 담지된 금속 설파이드계 광촉매 및 그 제조방법, 그리고 이에 의한 물분해 수소 제조방법 관한 것으로, 이 광촉매는 하기의 일반식 I를 가지는 것을 특징으로 한다.
    A
    x /M
    y M'
    z S ------------------------------------------ 일반식 I
    (상기 일반식에서 A는 담지된 반도체입자로서, Si, SiC, TiO
    2 중 선택된 1종이며, x는 M
    y M'
    z S에 대한 A의 mole비[A
    x /(M
    y M'
    z S)]를 나타낸 것으로 0.5 ∼ 2.0 의 값을 갖는다. M은 Sn, Zn 중 선택된 금속이고, M'은 Co, Mn, Fe, Cu, Ru 중 선택된 금속이다. y는 M/(M+M')의 atom %로 표시된 혼합비를 나타낸 것으로 50.0 ∼ 95.0의 값을 갖는다. z는 M'/(M+M')의 atom %로 표시된 혼합비를 나타낸 것으로 5.0 ∼ 80.0의 값을 갖는다.)
    본 발명의 광촉매는 두 종류 이상의 상이한 반도체물질들과 혼합 금속 설파이드계 광촉매과의 접합으로 제조된 새로운 광촉매이며, 가시광선영역에서 물분해 광촉매로서 이상적인 band gap energy 와 band edge position을 가진 신규 반도체 광촉매이다.

    하이드로 포밀화 반응용 로듐포스파이트 착물 촉매 및이의 제조방법 그리고 이를 이용한 알데하이드의 선택적제조 방법
    38.
    发明公开
    하이드로 포밀화 반응용 로듐포스파이트 착물 촉매 및이의 제조방법 그리고 이를 이용한 알데하이드의 선택적제조 방법 无效
    用于氢化反应的硫酸氢盐复合催化剂,其制备方法和使用它们选择性地制备二氢呋喃的方法

    公开(公告)号:KR1020040051000A

    公开(公告)日:2004-06-18

    申请号:KR1020020078817

    申请日:2002-12-11

    Abstract: PURPOSE: Provided are a rhodium (I) phosphite complex catalyst for a hydroformylation reaction, a method for preparing thereof and a method for selectively preparing an aldehyde by using the same. CONSTITUTION: The method for preparing a rhodium (I) phosphite complex catalyst for a hydroformylation reaction by using supercritical carbon dioxide having an excellent selectivity comprises a step of the following reaction III. The method for selectively preparing an aldehyde through the following reaction IV, which selectively prepares the aldehyde by hydroformylating 1-octene under synthesized gas of CO/H2 by using a metal catalyst, is characterized in that the rhodium phosphite complex catalyst for the hydroformylation reaction is used as the catalyst and a supercritical fluid is used as a reaction solvent.

    Abstract translation: 目的:提供用于加氢甲酰化反应的铑(I)亚磷酸酯配合物催化剂,其制备方法和使用它们选择性制备醛的方法。 构成:通过使用具有优异选择性的超临界二氧化碳制备用于加氢甲酰化反应的铑(I)亚磷酸酯配合物催化剂的方法包括以下反应III的步骤。 通过以下反应IV选择性制备醛的方法,其通过使用金属催化剂在CO / H 2的合成气体下加氢甲酰化1-辛烯选择性地制备醛,其特征在于用于加氢甲酰化反应的铑亚磷酸酯配合物催化剂为 用作催化剂,使用超临界流体作为反应溶剂。

    양이온이 첨가된 수소발생용 황화카드뮴아연계 광촉매 및그 제조방법, 그리고 이에 의한 수소의 제조방법
    39.
    发明授权
    양이온이 첨가된 수소발생용 황화카드뮴아연계 광촉매 및그 제조방법, 그리고 이에 의한 수소의 제조방법 失效
    哦加入硫化氢产生阳离子方法镉联光催化剂mitgeu制备,并且该方法用于通过产生氢

    公开(公告)号:KR100342856B1

    公开(公告)日:2002-07-02

    申请号:KR1020000008555

    申请日:2000-02-22

    Inventor: 박대철 백진욱

    Abstract: 본 발명은 물을 광반응으로 분해하는 데에 사용되는 CdZnMS계 광촉매 및 그 제조방법, 그리고 이에 의한 수소의 제조방법에 관한 것으로, 이 하기의 일반식 VII를 가지는 것을 특징으로 한다.
    m(a)/Cd
    x Zn
    y M
    z S ------------------------------------ 일반식 VII
    (상기 일반식에서 m은 전자받게로서 도핑된 금속을 나타내며 Ni, Pt, Ru 또는 이들의 산화물 중 선택된 1종 이상이며, a는 m의 중량 백분율을 나타내며 0.10 ∼ 5.00의 값을 갖는다. M은 Mo, V, Al, Cs, Ti, Mn, Fe, Pd, Pt, P, Cu, Ag, Ir, Sb, Pb, Ga, Re 중 선택된 금속이고, z는 M/(Cd+Zn+M)의 atom %를 나타낸 것으로 0.05 ∼ 20.00의 값을 갖는다. x, y는 각각 Cd/(Cd+Zn+M)의 atom % 및 Zn/(Cd+Zn+M)의 atom %를 나타낸 것으로 10.00 ∼ 90.00의 값을 갖는다.)
    본 발명의 광촉매는 가시광에서 높은 촉매활성을 가진 CdS계 광촉매와 자외광에서 상대적으로 고활성을 내는 ZnS계 촉매의 장점들을 동시에 가져 폭넓은 영역의 광원을 이용할 수 있으며, 종래의 광촉매가 보인 환원제에 대한 제한적인 활성을 획기적으로 해결하였을 뿐만 아니라, 얻어진 촉매의 수명이 매우 길고, 물분해에 의한 수소발생량이 종래의 방법보다 현저히 증가하였다.

    황화카드뮴계수소발생용광촉매및그제조방법,그리고이를이용한수소의제조방법
    40.
    发明授权
    황화카드뮴계수소발생용광촉매및그제조방법,그리고이를이용한수소의제조방법 失效
    一种硫化镉镉生成用光触媒及其制造方法以及使用其的氢生成方法

    公开(公告)号:KR100304349B1

    公开(公告)日:2001-11-30

    申请号:KR1019980037180

    申请日:1998-09-09

    Inventor: 박대철 백진욱

    Abstract: 본 발명은 물로부터 광반응으로 수소를 제조하는 데에 사용되는 새로운 황화카드뮴(CdS)계 광촉매 및 그 제조방법, 그리고 이를 이용한 수소의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 광촉매는 하기의 화학식 5를 가지는 것을 특징으로 한다.
    [화학식 5]
    m(A)/Cd[M(B)]S
    (상기 일반식에서 m은 전자받게로서 도핑된 금속을 나타내며, Pt, Ru, Ir, Co, Rh, Cu, Pd, Ni 또는 이들의 산화물 중 선택된 1종 이상이고, A는 m의 중량 백분율을 나타내며 0.10∼2.50의 값을 가진다. M은 V, Cr, Al, p 중 선택된 금속이고, B는 M/(M+Cd)의 몰%를 나타낸 것으로 0.05∼20.00의 값을 갖는다.)
    본 발명의 광촉매는 여러 가지 도핑(Doping)금속의 도입 및 다양한 조촉매의 활용과 첨가기술에 의하여 종래의 광촉매가 보인 광원에 대한 제한적인 활성을 해결하였을 뿐만 아니라, 광촉매의 제조공정이 종래의 여러 가지 방법과 비교하여 더욱 간단하며, 얻어진 촉매의 수명이 매우 길고, 물로부터의 수소발생량이 종래의 방법보다 증가하였다.

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