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    황화 니켈 박막의 제조 방법
    31.
    发明授权
    황화 니켈 박막의 제조 방법 有权
    镍硫化物膜的制备方法

    公开(公告)号：KR101521800B1

    公开(公告)日：2015-05-20

    申请号：KR1020130050315

    申请日：2013-05-03

    Applicant: 한국화학연구원 ,  한양대학교 산학협력단

    Inventor： 박보근 ,  김창균 ,  정택모 ,  성명모 ,  한규석

    IPC: C23C16/44 ,  C23C16/448 ,  H01L21/205

    CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/305 ,  H01G9/2022 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02612 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

    Abstract: 본발명은 a) 증착챔버내로기판을도입하는단계; b) 상기기판상에원자층증착법으로하기화학식 1로표시되는니켈전구체를흡착하는단계; c) 상기흡착된니켈전구체를제외한나머지부산물을제거하는단계; d) 상기증착챔버내로황 원을유입시켜, 상기기판에흡착된상기니켈전구체와교환반응시켜상기기판상에황화니켈박막을형성하는단계; 및 e) 상기황화니켈박막을제외한나머지부산물을제거하는단계;를포함하는원자층증착법을이용한황화니켈박막의제조방법에관한것이다. [화학식 1]본발명의원자층증착법(Atomic Layer Deposition)을이용한황화니켈박막의제조방법에의하여황화니켈박막을제조하는경우, 금속층두께의조절이용이하면서도균일한금속층을형성하고, 기판상에금속층을형성하는온도를상대적으로낮출수 있다.

    유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 캐패시터, 유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 트랜지스터 및 이들의 제조 방법
    34.
    发明授权
    유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 캐패시터, 유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 트랜지스터 및 이들의 제조 방법 有权
    有机无机纳米线性非易失性存储器电容器，有机无机纳米晶非易失性存储器晶体管及其制备方法

    公开(公告)号：KR101305054B1

    公开(公告)日：2013-09-11

    申请号：KR1020110113496

    申请日：2011-11-02

    Applicant: 한양대학교 산학협력단

    Inventor： 성명모 ,  한규석

    IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

    Abstract: 기재 상에 유기-무기 나노하이브리드 터널링층(tunneling layer)을 형성하는 단계; 상기 유기-무기 나노하이브리드 터널링층 상에 전하 트랩층(charge trap layer)을 형성하는 단계; 및 상기 전하 트랩층 상에 유기-무기 나노하이브리드 절연층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 유기-무기 나노하이브리드 터널링층, 상기 전하 트랩층 및 상기 유기-무기 나노하이브리드 절연층은 각각 독립적으로 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition = ALD), 분자층 증착법(Molecular Layer Deposition = MLD), 또는 분자층 증착-원자층 증착법(MLD-ALD)에 의해 형성되는 것인, 비휘발성 메모리 캐패시터 또는 트랜지스터의 제조 방법, 및 그에 의한 캐패시터와 트랜지스터를 제공한다.

    액체 유동층을 매개로한 나노 전사 직접 인쇄법을 이용한 미세 패턴 형성 방법
    35.
    发明授权
    액체 유동층을 매개로한 나노 전사 직접 인쇄법을 이용한 미세 패턴 형성 방법 有权
    使用溶剂介导的纳米转印直接印刷的高分辨率图案化方法

    公开(公告)号：KR101273618B1

    公开(公告)日：2013-06-11

    申请号：KR1020090002378

    申请日：2009-01-12

    Applicant: 한양대학교 산학협력단

    Inventor： 성명모 ,  황재권

    IPC: H01L21/027 ,  B82Y40/00

    Abstract: 본 발명은, 패턴이 형성된 스탬프를 준비하는 단계; 상기 패턴이 형성된 스탬프의 음각 부분에만 선택적으로 기능성 재료를 채우는 형성하는 단계; 피전사 기판을 준비하는 단계; 상기 피전사 기판의 표면에 용매를 뿌려 액체 유동층을 형성하는 단계; 상기 음각 부분에만 선택적으로 기능성 재료가 채워진 스탬프를 상기 액체 유동층이 형성된 피전사 기판에 접촉시켜 상기 기능성 재료의 패턴을 상기 피전사 기판 위에 전사시키는 단계; 및 상기 피전사 기판과 접촉된 스탬프를 상기 피전사 기판으로부터 분리시키는 단계를 포함하는, 액체 유동층을 매개로한 나노 전사 직접 인쇄법을 이용한 미세 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
    액체 유동층, 기능성 재료, 패턴 형성 방법

    금속층 형성 방법
    36.
    发明授权
    금속층 형성 방법 有权
    形成金属层的方法

    公开(公告)号：KR101184924B1

    公开(公告)日：2012-09-20

    申请号：KR1020090026388

    申请日：2009-03-27

    Applicant: 한양대학교 산학협력단

    Inventor： 성명모 ,  이병훈 ,  남재우

    IPC: H01L21/205

    Abstract: 본 발명은, 증착 챔버 내로 기판을 도입하는 단계, 상기 기판 상에 제 1 금속의 전구체 착화합물을 흡착하는 단계, 상기 증착 챔버 내로 제 2 금속의 전구체 가스를 유입시켜, 상기 기판에 흡착된 상기 제 1 금속의 전구체 착화합물의 리간드와 상기 제 2 금속의 전구체를 교환 반응시켜 상기 기판 상에 상기 제 1 금속의 층을 형성하는 단계, 및 상기 제 1 금속의 층을 제외한 나머지 부산물을 제거하는 단계를 포함하는, 원자층 증착법을 이용한 금속층 형성 방법에 관한 것이다.
    전구체, 리간드, 교환 반응, 금속층, 구리층

    액체 유동층을 매개로 하는 나노 전사 롤 투 롤 인쇄법을 이용한 미세 패턴 형성 방법
    37.
    发明公开
    액체 유동층을 매개로 하는 나노 전사 롤 투 롤 인쇄법을 이용한 미세 패턴 형성 방법 有权
    使用溶剂介质纳米转印辊轧辊印刷的高分辨率图案化方法

    公开(公告)号：KR1020100107977A

    公开(公告)日：2010-10-06

    申请号：KR1020090026387

    申请日：2009-03-27

    Applicant: 한양대학교 산학협력단

    Inventor： 성명모 ,  황재권 ,  곽은비

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  B82Y40/00

    CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/161 ,  G03F7/2012

    Abstract: PURPOSE: A fine pattern forming method is provided to form a liquid bridge between a roll and a substrate by using a liquid flow layer between the roll and the substrate. CONSTITUTION: A functional liquid material(300) is stored in a container(11). A first roll(12) transfers the functional liquid material in a second roll(13) direction. The second roll transcribes the functional liquid material, which is filled in an intaglio pattern(13a), in a substrate(100). A third roll(14) faces the second roll and the substrate is arranged between the second and the third roll. A solvent injection device(17) forms a liquid flow layer(200) on the surface of the substrate.

    Abstract translation: 目的：提供精细图案形成方法，通过使用辊和基底之间的液体流动层，在辊和基底之间形成液体桥。 构成：将功能液体材料（300）储存在容器（11）中。 第一辊（12）在第二辊（13）方向上转移功能液体材料。 第二辊转印在衬底（100）中填充有凹版图案（13a）的功能性液体材料。 第三辊（14）面向第二辊，并且基板布置在第二辊和第三辊之间。 溶剂注入装置（17）在衬底的表面上形成液体流动层（200）。

    Ｎ-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막, 상기의 제조 방법 및 전자 기기적 용도
    38.
    发明公开
    Ｎ-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막, 상기의 제조 방법 및 전자 기기적 용도 有权
    N型有机无机纳米晶超声透明半导体薄膜，其制备方法及其电子设备的用途

    公开(公告)号：KR1020100074375A

    公开(公告)日：2010-07-02

    申请号：KR1020080132777

    申请日：2008-12-24

    Applicant: 한양대학교 산학협력단

    Inventor： 성명모 ,  박예록

    IPC: H01L21/205 ,  H01L29/786

    CPC classification number: H01L51/0562 ,  H01L21/02554 ,  H01L29/7869

    Abstract: PURPOSE: An n type organic-inorganic nano hybrid super lattice transparent semiconductor thin film, a manufacturing method thereof, and electronic and mechanical use are provided to obtain high electric field effect mobility suitable for a flexible electronic device by including an organic layer and an inorganic semiconductor layer. CONSTITUTION: A substrate is arranged inside a chamber(S10). An inorganic precursor and an oxidation precursor are injected into a chamber to form an N type inorganic semiconductor layer. The N type inorganic semiconductor layer is formed on the substrate with an atomic layer deposition method(S20). The N type inorganic semiconductor layer is doped by implanting a doping precursor for controlling the charge carrier density. The organic precursor is inserted into the chamber. The organic layer is formed on the N type inorganic semiconductor layer with a molecular layer deposition method(S30).

    Abstract translation: 目的：提供n型有机 - 无机纳米混合超晶格透明半导体薄膜，其制造方法以及电子和机械应用，以通过包括有机层和无机物来获得适用于柔性电子器件的高电场效应迁移率 半导体层。 构成：衬底布置在腔室内（S10）。 将无机前体和氧化前体注入室内以形成N型无机半导体层。 用原子层沉积法在衬底上形成N型无机半导体层（S20）。 通过注入用于控制电荷载流子密度的掺杂前体来掺杂N型无机半导体层。 将有机前体插入室中。 通过分子层沉积法在N型无机半导体层上形成有机层（S30）。

    자기조립 다층 분자막의 제조방법
    39.
    发明授权
    자기조립 다층 분자막의 제조방법 失效
    制备自组装多分子层的方法

    公开(公告)号：KR100941109B1

    公开(公告)日：2010-02-10

    申请号：KR1020070138397

    申请日：2007-12-27

    Applicant: 한양대학교 산학협력단

    Inventor： 성명모 ,  이병훈

    IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  B82Y40/00

    Abstract: 본 발명은 자기조립 다층 분자막의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 (S1) 기판 표면에 분자층 증착법(MLD; Molecular Layer Deposition)을 이용하여 기상 반응에 의해 자기조립 유기 단분자막을 형성하는 단계; (S2) 상기 기판을 O
    3 로 처리하여 자기조립 유기 단분자막의 말단기를 -OH 또는 -COOH로 치환하는 단계; 및 (S3) 상기 자기조립 유기 단분자막 상에 원자층 증착법(ALD; Atomic Layer Deposition)으로 금속 전구체를 반응시켜 금속 수산화물 단분자층을 형성하는 단계;를 수행하되 상기 (S1) 내지 (S3) 단계를 1사이클로 하여 반복 수행하는 자기조립 다층 분자막의 제조방법에 관한 것이다.
    이러한 제조방법은 단시간 내에 고품질의 다층 분자막을 제조할 수 있으며, 자기조립 유기 단분자막 사이에 금속 수산화물 단분자층이 물리적이 아닌 화학결합으로 결합되어 다층 분자막이 보다 안정화될 수 있다. 이렇게 제조된 자기조립 다층 분자막은 반도체 또는 전자소자 제조를 위한 나노패터닝, 화학적 센서 및 생체 센서, 나노트라이볼로지, 표면 개질, 나노전자기계 시스템(NEMS), 마이크로전자기계 시스템(MEMS), 비휘발성 메모리 등 다양한 분야에 응용이 가능하다.
    자기조립, 분자층 증착, 원자층 증착

    유기-무기 복합 초격자 박막 및 이의 제조방법
    40.
    发明公开
    유기-무기 복합 초격자 박막 및 이의 제조방법 失效
    有机无机混合超滤膜及其制备方法

    公开(公告)号：KR1020090092589A

    公开(公告)日：2009-09-01

    申请号：KR1020080017914

    申请日：2008-02-27

    Applicant: 한양대학교 산학협력단

    Inventor： 성명모 ,  이병훈

    IPC: C23C16/00 ,  C23C16/30

    CPC classification number: C23C16/45529 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45555

    Abstract: An organic-inorganic complex superlattice film and a manufacturing method thereof are provided to have excellent leakage current characteristic and high dielectric constant by alternately using titanium oxide and Al oxide. An organic-inorganic complex superlattice film comprises a substrate, a self-assembled monolayer and a metal oxide layer. The self-assembled monolayer is formed on the substrate with a method for molecular layer deposition. The metal oxide layer is formed on the self-assembled monolayer with a method for atomic layer deposition. The self-assembled monolayer and the metal oxide layer are successively and repeatedly formed. The metal oxide layer comprises one or more metals selected from a group consisting of the Al, Zr, Ti, Hf and Zn. The metal oxide layer is formed by selecting one combination among Ti:Al, Al:Zr, Zr:Hf, and Al:Hf.

    Abstract translation: 通过交替使用氧化钛和Al氧化物，提供有机 - 无机复合超晶格膜及其制造方法以具有优异的漏电流特性和高介电常数。 有机 - 无机复合超晶格膜包括基底，自组装单层和金属氧化物层。 用分子层沉积的方法在衬底上形成自组装单层。 金属氧化物层通过原子层沉积的方法形成在自组装单层上。 连续重复形成自组装单层和金属氧化物层。 金属氧化物层包含一种或多种选自Al，Zr，Ti，Hf和Zn的金属。 通过选择Ti：Al，Al：Zr，Zr：Hf和Al：Hf中的一种组合形成金属氧化物层。

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