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公开(公告)号：WO2017183932A1
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：PCT/KR2017/004259
申请日：2017-04-21
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 안정화된 금속 단원자층 구조체가 개시된다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 안정화된 금속 단원자층 구조체는 이차원 층상 구조를 가지는 적어도 한 층의 금속 단원자층 및 상기 금속 단원자층의 상면 및 하면 중 적어도 일면에 마련되는 유기분자층을 포함하여 이루어질 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种稳定的金属单层结构。 在根据本发明jacheung结构可包含有机分子层的一个实施方案中，稳定化的金属部设置在所述金属部jacheung和具有二维层状结构的至少一个层的金属部分jacheung的顶面和底面中的至少一个表面上
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公开(公告)号：WO2016010356A1
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：PCT/KR2015/007331
申请日：2015-07-15
Applicant: 한양대학교 산학협력단
CPC classification number: C23C16/403 , C07F5/068 , C23C16/407 , C23C16/45529 , C23C16/45553 , C23C28/00 , C23C28/04 , G02F1/133305 , G09F9/33 , G09F9/35 , H01L27/3244 , H01L51/0081 , H01L51/0097 , H01L51/52 , H01L51/5253
Abstract: 무기막 구조체가 제공된다. 상기 무기막 구조체는, 금속 산화물, 및 상기 금속 산화물의 금속 원소와 결합된 링킹 원소(linking atom)를 포함하는 유기 링킹 물질(organic linking material)을 포함한다.
Abstract translation: 提供无机膜结构。 无机膜结构包括金属氧化物和含有与金属氧化物的金属原子结合的原子的有机连接材料。
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公开(公告)号：WO2014178686A1
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：PCT/KR2014/003959
申请日：2014-05-02
Applicant: 한국화학연구원 , 한양대학교 산학협력단
IPC: C23C16/44 , C23C16/448 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45553 , C23C16/305 , H01G9/2022 , H01L21/02568 , H01L21/02612 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 a) 증착 챔버 내로 기판을 도입하는 단계; b) 상기 기판 상에 원자층 증착법으로 화학식 1로 표시되는 니켈 전구체를 흡착하는 단계; c) 상기 흡착된 니켈 전구체를 제외한 나머지 부산물을 제거하는 단계; d) 상기 증착 챔버 내로 황 원을 유입시켜, 상기 기판에 흡착된 상기 니켈전구체와 교환 반응시켜 상기 기판 상에 황화 니켈 박막을 형성하는 단계; 및 e) 상기 황화 니켈 박막을 제외한 나머지 부산물을 제거하는 단계;를 포함하는 원자층 증착법을 이용한 황화 니켈 박막의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)을 이용한 황화 니켈 박막의 제조 방법에 의하여 황화 니켈 박막을 제조하는 경우, 금속층 두께의 조절이 용이하면서도 균일한 금속층을 형성하고, 기판 상에 금속층을 형성하는 온도를 상대적으로 낮출 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用原子层沉积方法制造硫化镍薄膜的方法，包括以下步骤：a）将衬底装载到沉积室中; b）通过原子层沉积法在基板上吸收由化学式1表示的镍前体; c）除去吸附在基材上的镍前体除去副产物; d）将硫源引入沉积室，并使硫源与吸收在衬底上的镍前体进行交换反应，以在衬底上形成硫化镍薄膜; 和e）除去除了硫化镍薄膜之外的副产物。 在利用本发明的原子层沉积方法制造硫化镍薄膜的方法制造硫化镍薄膜的情况下，可以形成均匀的金属层，其厚度可以容易地调整 并且相对降低在基板上形成金属层的温度。
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公开(公告)号：WO2017069549A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：PCT/KR2016/011870
申请日：2016-10-21
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 그래핀 층을 갖는 기판을 준비하는 단계, 상기 그래핀 층 상에 유기 링커(organic linker)를 제공하여, 유기 링커 층을 형성하는 단계, 및 상기 유기 링커 층 상에 금속을 포함하는 도펀트(dopant) 물질을 제공하여, 도펀트 층(dopant layer)을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 유기 링커 층 및 상기 도펀트 층은 인-시츄(in-situ)로 형성되는 것을 포함하는 기능화된 그래핀 구조체의 제조 방법이 제공될 수 있다.
Abstract translation: 制备具有石墨烯层的衬底;在所述石墨烯层上提供有机连接体以形成有机连接体层; 提供包含金属的掺杂剂材料以形成掺杂剂层，其中有机连接剂层和掺杂剂层原位形成， 可以提供制造官能化石墨烯结构的方法。
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公开(公告)号：WO2015030298A1
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：PCT/KR2013/009910
申请日：2013-11-04
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: C23C16/00 , C23C16/448
CPC classification number: H01L23/3192 , C07F3/06 , C07F5/063 , C23C16/45529 , C23C16/45553 , G02F1/1333 , G02F1/133305 , G02F1/133345 , G02F2001/133302 , G02F2201/501 , G02F2202/022 , H01L21/563 , H01L23/293 , H01L31/0203 , H01L51/0034 , H01L51/005 , H01L51/0096 , H01L51/5253 , H01L2251/301 , H01L2251/305 , H01L2251/308 , H01L2251/558
Abstract: 본 발명은 유무기 혼성 박막이 적층된 기판 구조물 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판 위에 안정적인 새로운 작용기를 포함하는 유무기 혼성 박막 및 무기물 전구체 및 유기물 전구체를 교대로 사용하여 공기중에서 안정적이기 때문에 발광체, 디스플레이 소자, 태양광 소자의 봉지용으로 사용될 수 있는 유무기 혼성 박막이 적층된 기판 구조물 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种其中混合有机和无机薄膜堆叠的基片结构及其制造方法，更具体地涉及：在基片上包括稳定和新颖的官能团的杂化有机和无机薄膜; 其中混合有机和无机薄膜堆叠并且交替使用无机和有机前体赋予空气中的稳定性以便能够用于封装发光体，显示装置和太阳能电池的基板结构; 及其制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2015030297A1
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：PCT/KR2013/009909
申请日：2013-11-04
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: C23C16/00 , C23C16/448
CPC classification number: H01L23/3192 , C07F3/06 , C07F5/063 , C23C16/45529 , C23C16/45553 , G02F1/1333 , G02F1/133305 , G02F1/133345 , G02F2001/133302 , G02F2201/501 , G02F2202/022 , H01L21/563 , H01L23/293 , H01L31/0203 , H01L51/0034 , H01L51/005 , H01L51/0096 , H01L51/5253 , H01L2251/301 , H01L2251/305 , H01L2251/308 , H01L2251/558
Abstract: 본 발명은 유무기 혼성 박막 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 안정적인 새로운 작용기를 포함하는 유무기 혼성 박막 및 무기물 전구체 및 유기물 전구체를 교대로 사용하여 분자층증착법에 의하여 형성되는 유무기 혼성 박막의 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及混合有机/无机薄膜及其制造方法，更具体地涉及包括稳定和新颖的官能团的杂化有机/无机薄膜，以及制备杂化有机/无机薄膜的方法 通过交替使用有机和无机前体通过分子层沉积技术形成。
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7.发明申请가압식 금속 단원자층 제조 방법, 금속 단원자층 구조체 및 가압식 금속 단원자층 제조 장치 审中-公开加压金属部jacheung制造方法中，所述金属结构和所述加压部jacheung金属部的制造装置jacheung
公开(公告)号：WO2017188785A1
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：PCT/KR2017/004579
申请日：2017-04-28
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/52 , C23C16/14
Abstract: 가압식 금속 단원층 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 가압식 금속 단원자층 제조 방법은, 기판이 마련된 챔버 내를 밀폐시킨 상태에서, 금속 전구체로 이루어진 금속 전구체 가스를 제공함으로써, 상기 챔버 내의 압력을 증가시켜, 상기 금속 전구체를 상기 기판에 흡착시키는 금속 전구체 가스 가압 도징(dosing) 단계, 상기 금속 전구체 가압 도징 단계 이후, 퍼지시키는 메인 퍼징(main purging) 단계, 상기 메인 퍼징 단계 후에, 반응 가스를 제공하여, 상기 기판에 흡착된 금속 전구체를 금속 단원자층으로 환원하는 반응 가스 도징 단계 및 상기 반응 가스 도징 단계 이후, 퍼지시키는 메인 퍼징 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.
Abstract translation: 提供了一种用于制造加压金属单层的方法。 根据本发明的一个实施例中，在密封所述室基底的状态下加压金属部jacheung制造方法形成，通过提供由金属前体的金属前体气体，在所述腔室增加压力，金属前体 在金属前体加压步骤之后清洗金属前体的主净化步骤，向衬底供应反应气体的主净化步骤， 后定量给料步骤和所述气体反应步骤中，反应气体的给药用于减少金属部jacheung的金属前体，它可以被制成，包括吹扫主清洗的步骤。
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公开(公告)号：WO2017061838A1
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：PCT/KR2016/011285
申请日：2016-10-08
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/02 , H01L27/32
CPC classification number: H01L21/02 , H01L27/32 , H01L29/786
Abstract: 박막 트랜지스터의 제조 방법이 제공된다. 상기 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 플라스틱 기판을 준비하는 단계, 상기 플라스틱 기판 상에, 아연을 포함하는 제1 소스를 제공하는 단계, 및 황을 포함하는 제2 소스를 제공하는 단계를 7:1~13:1의 비율로 수행하여, 상기 플라스틱 기판 상에 투명 활성층을 원자층 증착법으로 형성하는 단계, 상기 투명 활성층과 중첩되는 게이트 전극을 제공하는 단계, 및 상기 게이트 전극 및 상기 투명 활성층 사이에 게이트 절연막을 제공하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 提供了制造薄膜晶体管的方法。 制造薄膜晶体管的方法包括以下步骤：制备塑料基板; 通过以7：1-13:1的速率通过原子层沉积在塑料基板上形成透明有源层，该步骤在塑料基板上提供包含锌的第一源，以及提供第二源的步骤，该第二源包括 硫; 提供与所述透明有源层重叠的栅电极; 以及在栅电极和透明有源层之间提供栅极绝缘膜。
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公开(公告)号：KR101521800B1
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：KR1020130050315
申请日：2013-05-03
Applicant: 한국화학연구원 , 한양대학교 산학협력단
IPC: C23C16/44 , C23C16/448 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45553 , C23C16/305 , H01G9/2022 , H01L21/02568 , H01L21/02612 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은 a) 증착챔버내로기판을도입하는단계; b) 상기기판상에원자층증착법으로하기화학식 1로표시되는니켈전구체를흡착하는단계; c) 상기흡착된니켈전구체를제외한나머지부산물을제거하는단계; d) 상기증착챔버내로황 원을유입시켜, 상기기판에흡착된상기니켈전구체와교환반응시켜상기기판상에황화니켈박막을형성하는단계; 및 e) 상기황화니켈박막을제외한나머지부산물을제거하는단계;를포함하는원자층증착법을이용한황화니켈박막의제조방법에관한것이다. [화학식 1]본발명의원자층증착법(Atomic Layer Deposition)을이용한황화니켈박막의제조방법에의하여황화니켈박막을제조하는경우, 금속층두께의조절이용이하면서도균일한금속층을형성하고, 기판상에금속층을형성하는온도를상대적으로낮출수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150026748A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：KR1020140018212
申请日：2014-02-18
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: C23C16/00 , C23C16/448
CPC classification number: H01L23/3192 , C07F3/06 , C07F5/063 , C23C16/45529 , C23C16/45553 , G02F1/1333 , G02F1/133305 , G02F1/133345 , G02F2001/133302 , G02F2201/501 , G02F2202/022 , H01L21/563 , H01L23/293 , H01L31/0203 , H01L51/0034 , H01L51/005 , H01L51/0096 , H01L51/5253 , H01L2251/301 , H01L2251/305 , H01L2251/308 , H01L2251/558
Abstract: The present invention relates to a hybrid organic/inorganic thin film and a manufacturing method thereof and, more particularly, to a hybrid organic/inorganic thin film including a stable and novel functional group, and to a method of manufacturing a hybrid organic/inorganic thin film formed via a molecular layer deposition technique by alternately using organic and inorganic precursors.
Abstract translation: 本发明涉及一种混合有机/无机薄膜及其制造方法，更具体地涉及包含稳定和新颖的官能团的杂化有机/无机薄膜，以及制备混合有机/无机薄膜的方法 通过交替使用有机和无机前体通过分子层沉积技术形成的膜。
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