Abstract:
유무기 하이브리드층, 이를 구비하는 유무기 적층체, 및 이를 가스 배리어로 구비하는 유기전자소자를 제공한다. 상기 유무기 적층체는 적어도 두 층의 금속 산화물층들; 및 상기 금속 산화물층들 사이에 배치되고, 금속 원자층 및 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 유기 분자층을 구비하는 단위층을 적어도 한 층 포함하는 유무기 하이브리드층을 포함한다. [화학식 1] (-X a R a )(X b1 R b )C(R c X c -)(R d X d -) [화학식 2] (-X a R a )(-X b2 R b )C(R c X c -)(R d X d -) 상기 화학식 1 또는 화학식 2에서, -들은 서로에 관계없이 상기 금속 원자층 또는 상기 금속 산화물층 내의 금속과의 결합을 의미하고, X a , X b2 , X c , 및 X d 는 서로에 관계없이 O, S, Se 또는 NH이고, X b1 은 수소이고, R a , R b , R c , 및 R d 는 서로에 관계없이 결합 또는 C1 내지 C5의 알킬렌기이다.
Abstract:
그래핀 층을 갖는 기판을 준비하는 단계, 상기 그래핀 층 상에 유기 링커(organic linker)를 제공하여, 유기 링커 층을 형성하는 단계, 및 상기 유기 링커 층 상에 금속을 포함하는 도펀트(dopant) 물질을 제공하여, 도펀트 층(dopant layer)을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 유기 링커 층 및 상기 도펀트 층은 인-시츄(in-situ)로 형성되는 것을 포함하는 기능화된 그래핀 구조체의 제조 방법이 제공될 수 있다.
Abstract:
기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에 롤(roll) 형태의 스탬프를 배치하는 단계, 상기 기판 및 상기 스탬프 사이에 페로브스카이트(perovskite) 전구체 용액(precursor solution)을 주입하는 단계, 및 상기 전구체 용액을 건조하여 페로브스카이트 결정 구조체를 제조하는 단계를 포함하되, 상기 스탬프는, 상기 기판 상에서 제1 방향으로 구르고(roll), 상기 페로브스카이트 결정 구조체는 상기 기판과 상기 스탬프 사이에서 상기 제1 방향으로 연속적으로 결정화(crystallization)되어 제조되는 것을 포함하는 페로브스카이트 결정 구조체의 제조 방법이 제공될 수 있다.
Abstract:
본 발명은 유무기 혼성 박막이 적층된 기판 구조물 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판 위에 안정적인 새로운 작용기를 포함하는 유무기 혼성 박막 및 무기물 전구체 및 유기물 전구체를 교대로 사용하여 공기중에서 안정적이기 때문에 발광체, 디스플레이 소자, 태양광 소자의 봉지용으로 사용될 수 있는 유무기 혼성 박막이 적층된 기판 구조물 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 유무기 혼성 박막 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 안정적인 새로운 작용기를 포함하는 유무기 혼성 박막 및 무기물 전구체 및 유기물 전구체를 교대로 사용하여 분자층증착법에 의하여 형성되는 유무기 혼성 박막의 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract:
다층 분자막 포토레지스트가 제공된다. 상기 다층 분자막 포토레지스트는 기판의 상부방향으로 각각 연장되고 횡방향으로 다수개 배치된 분자선들을 구비한다. 각 분자선은 다수의 무기 단분자들과 상기 무기 단분자들 중 적어도 일부의 무기 단분자들 사이에 개재된 유기 단분자가 결합에 의해 연결된 것이다.
Abstract:
본 발명은 아크릴레이트계 모너머 및 화학식 1로 나타낸 실란 화합물을 포함하고, 상기 실란 화합물은 상기 아크릴레이트계 모너머에 대해서 1wt% 내지 10wt%로 포함되는 유전체 조성물이고, 상기 유전체 조성물을 UV조사하여 형성된 유전체막은 유전율이 2 내지 2.7인 디스플레이 유전체막용 저유전율 유전체 조성물을 포함한다.
Abstract:
안정화된 금속 단원자층 구조체가 개시된다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 안정화된 금속 단원자층 구조체는 이차원 층상 구조를 가지는 적어도 한 층의 금속 단원자층 및 상기 금속 단원자층의 상면 및 하면 중 적어도 일면에 마련되는 유기분자층을 포함하여 이루어질 수 있다.
Abstract:
본 발명의 일 실시 예에 따른 막 구조체는 적어도 한 축 방향으로 양자화된 에너지 레벨을 가지는 적어도 한 층의 액티브 모노레이어(active monolayer) 및 상기 적어도 한 층의 액티브 모노레이어와 교번 적층되는 적어도 한 층의 배리어(barrier)를 포함하되, 상기 액티브 모노레이어에는 전류가 흐르되, 상기 양자화된 에너지 레벨에 의하여 전류의 흐름이 제한될 수 있다.
Abstract:
본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 및 상기 게이트 전극 상에 마련된, 적어도 하나의 층으로 이루어진 금속 단원자층 및 상기 금속 단원자층과 접촉하는 배리어층으로 이루어진 채널층을 포함하여 이루어질 수 있다.