中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

261 records (took 0.029 seconds)

    Image forming member for electrophotography
    33.
    发明专利
    Image forming member for electrophotography 未知

    公开(公告)号：DE3927353A1

    公开(公告)日：1990-05-17

    申请号：DE3927353

    申请日：1989-08-18

    Applicant: CANON KK

    Inventor： SAITOH KEISHI ,  SANO MASAFUMI ,  MATSUDA KOICHI

    IPC: G03G5/082

    Abstract: Member has at least a photoconductive layer and a surface layer on a base. The photoconductive layer is composed of non-monocrystalline silicon including 1 10 at % of H and 5 15 at % of C, and having 0.01 0.05 ratio of expansion mode of C-H bond and that of Si-H bond by infrared ray absorbing spectral, and has the layer structure not including graphite structure, or including less than 1% of graphite structure per unit vol. The surface layer is composed of non-monocrystalline silicon carbide including 50 70 at % of H and 20 40 at % of C, and has the layer structure not including the graphite structure of including less than 1 % of graphite structure per unit vol. The charge injection preventing layer is formed between the base and the photoconductive layer.

    АМОРФНЫЙ ОКСИД И ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С ЕГО ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ
    35.
    发明专利
    АМОРФНЫЙ ОКСИД И ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С ЕГО ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ 未知

    公开(公告)号：RU2402106C2

    公开(公告)日：2010-10-20

    申请号：RU2008143340

    申请日：2008-10-31

    Applicant: CANON KK ,  TOKIO INSTIT JUT OF TEKNOLODZHI

    Inventor： SANO MASAFUMI ,  NAKAGAVA KATSUMI ,  KHOSONO KHIDEO ,  KAMIJA TOSIO ,  NOMURA KENDZI

    IPC: H01L29/786

    Abstract: Изобретениеотноситсяк аморфномуоксидуи полевомутранзисторус егоиспользованием. Сущностьизобретения: ваморфныйоксид, составкоторогоизменяетсяв направлениитолщиныслоя, содержитсоединение, имеющеев кристаллическомсостояниисостав, представленныйформулой In2-XM3XO3(Zn1-YM2YO)m, гдеМ2 - элементгруппы II сатомнымномеромменьше, чему Zn (например, Mg илиСа), М3 - элементгруппы III сатомнымномером, меньшечему In (например, В, Al, Ga или Y), хнаходитсяв промежуткеот 0 до 2, унаходитсяв промежуткеот 0 до 1, и m равно 0 илинатуральномучислу, меньшемучем 6, иприэтомаморфныйоксидимеетконцентрациюэлектронныхносителейнеменеечем 1012/см3 именеечем 1018/см3 иимеетподвижностьэлектронов, котораяувеличиваетсяс увеличениемконцентрацииэлектронныхносителей. Техническимрезультатомизобретенияявляетсяпредоставлениеаморфногооксида, которыйфункционируеткакполупроводникдляиспользованияв активномслоетранзистора. 3 н. и 4 з.п. ф-лы, 10 ил.

    ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР
    36.
    发明专利
    ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР 未知

    公开(公告)号：RU2390072C2

    公开(公告)日：2010-05-20

    申请号：RU2008122971

    申请日：2006-11-01

    Applicant: CANON KK

    Inventor： AIBA TOSIAKI ,  SANO MASAFUMI ,  KADZI NOBUJUKI

    IPC: B82B1/00 ,  H01L29/786

    Abstract: Изобретениеотноситсяк полевымтранзисторамс использованиемаморфногооксидадляактивногослоя. Сущностьизобретения: вполевомтранзисторе, содержащемактивныйслойи изолирующуюзатворпленку, активныйслойсодержитслойоксида, содержащего In, Zn и Ga, аморфнуюобластьи кристаллическуюобласть, иприэтомкристаллическаяобластьотделенаотпервойповерхностираздела, котораяявляетсяповерхностьюразделамеждуслоемоксидаи изолирующейзатворпленкой, расстояниемв 1/2 илименеетолщиныактивногослояи находитсяв пределах 300 нмотповерхностиразделамеждуактивнымслоеми изолирующейзатворпленкойилинаходитсяв точечномсостояниив контактес этойповерхностьюраздела. Изобретениеобеспечиваетполучениеполевоготранзисторас высокойдрейфовойподвижностью. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.

    ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР
    37.
    发明专利
    ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР 未知

    公开(公告)号：RU2358355C2

    公开(公告)日：2009-06-10

    申请号：RU2007121702

    申请日：2005-11-09

    Applicant: CANON KK ,  TOKIO INSTIT JUT OF TEKNOLODZH

    Inventor： SANO MASAFUMI ,  NAKAGAVA KATSUMI ,  KHOSONO KHIDEO ,  KAMIJA TOSIO ,  NOMURA KENDZI

    IPC: H01L29/786

    Abstract: Использование: изобретениеможетбытьиспользованов микроэлектронике. Сущностьизобретения: вполевомтранзисторе, содержащемэлектродистока, электродстока, изоляторзатвора, электродзатвораи активныйслой, активныйслойсодержитаморфныйоксид, вкоторомконцентрацияэлектронныхносителейниже 1018/см3 ив которомподвижностьэлектроновувеличиваетсяс увеличениемконцентрацииэлектронныхносителей. Поменьшеймере, одинизэлектродаистока, электродастокаи электродазатвораявляетсяпрозрачнымдлявидимогосвета, приэтомток, протекающиймеждуэлектродомистокаи электродомстока, еслик электродузатворанеприложенонапряжение, непревышает 10 микроампер. Транзисторысогласноизобретениюобладаютулучшеннымихарактеристикамив отношении, поменьшеймере, одногоизсвойств: прозрачность, электрическиесвойстватонкопленочноготранзистора, свойствапленки, изолирующейзатвор, предотвращениетокаутечкии адгезивностьмеждуактивнымслоеми подложкой. 9 н. и 12 з.п. ф-лы, 12 ил.

    38.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：BRPI0517560A

    公开(公告)日：2008-10-14

    申请号：BRPI0517560

    申请日：2005-11-09

    Applicant: CANON KK ,  TOKYO INST TECH

    Inventor： SANO MASAFUMI ,  NAKAGAWA KATSUMI ,  HOSONO HIDEO ,  KAMIYA TOSHIO ,  NOMURA KENJI

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363

    Abstract: A novel field-effect transistor is provided which employs an amorphous oxide. In an embodiment of the present invention, the transistor comprises an amorphous oxide layer containing electron carrier at a concentration less than 1×10−18/cm3, and the gate-insulating layer is comprised of a first layer being in contact with the amorphous oxide and a second layer different from the first layer.

Patent Agency Ranking