公开(公告)号：RU2390072C2

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：RU2008122971

申请日：2006-11-01

Applicant: CANON KK

Inventor： AIBA TOSIAKI ,  SANO MASAFUMI ,  KADZI NOBUJUKI

IPC: B82B1/00 ,  H01L29/786

Abstract: Изобретениеотноситсяк полевымтранзисторамс использованиемаморфногооксидадляактивногослоя. Сущностьизобретения: вполевомтранзисторе, содержащемактивныйслойи изолирующуюзатворпленку, активныйслойсодержитслойоксида, содержащего In, Zn и Ga, аморфнуюобластьи кристаллическуюобласть, иприэтомкристаллическаяобластьотделенаотпервойповерхностираздела, котораяявляетсяповерхностьюразделамеждуслоемоксидаи изолирующейзатворпленкой, расстояниемв 1/2 илименеетолщиныактивногослояи находитсяв пределах 300 нмотповерхностиразделамеждуактивнымслоеми изолирующейзатворпленкойилинаходитсяв точечномсостояниив контактес этойповерхностьюраздела. Изобретениеобеспечиваетполучениеполевоготранзисторас высокойдрейфовойподвижностью. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.