公开(公告)号：WO2006051993A3

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：PCT/JP2005020980

申请日：2005-11-09

Applicant: CANON KK ,  TOKYO INST TECH ,  SANO MASAFUMI ,  NAKAGAWA KATSUMI ,  HOSONO HIDEO ,  KAMIYA TOSHIO ,  NOMURA KENJI

Inventor： SANO MASAFUMI ,  NAKAGAWA KATSUMI ,  HOSONO HIDEO ,  KAMIYA TOSHIO ,  NOMURA KENJI

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363 ,  H01L21/428

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: A novel amorphous oxide applicable, for example, to an active layer of a TFT is provided. The amorphous oxide comprises microcrystals.

Abstract translation: 提供了例如可应用于TFT的有源层的新型无定形氧化物。 无定形氧化物包含微晶。

公开(公告)号：WO2009136645A2

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：PCT/JP2009058724

申请日：2009-04-28

Applicant: CANON KK ,  SATO AYUMU ,  HAYASHI RYO ,  YABUTA HISATO ,  SANO MASAFUMI

Inventor： SATO AYUMU ,  HAYASHI RYO ,  YABUTA HISATO ,  SANO MASAFUMI

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78621

Abstract: Provided are a coplanar structure thin film transistor that allows a threshold voltage to change only a little under electric stress, and a method of manufacturing the same. The thin film transistor includes on a substrate at least: a gate electrode; a gate insulating layer; an oxide semiconductor layer including a source electrode, a drain electrode, and a channel region; a channel protection layer; and an interlayer insulating layer. The channel protection layer includes one or more layers, the layer in contact with the oxide semiconductor layer among the one or more layers being made of an insulating material containing oxygen, ends of the channel protection layer are thinner than a central part of the channel protection layer, the interlayer insulating layer contains hydrogen, and regions of the oxide semiconductor layer that are in direct contact with the interlayer insulating layer form the source electrode and the drain electrode.

Abstract translation: 提供一种共面结构薄膜晶体管，其制造方法允许阈值电压在电应力下变化很小。 薄膜晶体管至少在基板上包括：栅电极; 栅极绝缘层; 包括源电极，漏电极和沟道区的氧化物半导体层; 通道保护层; 和层间绝缘层。 沟道保护层包括一层或多层，一层或多层中与氧化物半导体层接触的层由含氧的绝缘材料制成，沟道保护层的端部比通道保护层的中心部分薄 层间绝缘层含有氢，与层间绝缘层直接接触的氧化物半导体层的区域形成源电极和漏电极。

公开(公告)号：WO2008069286A3

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：PCT/JP2007073619

申请日：2007-11-30

Applicant: CANON KK ,  SANO MASAFUMI ,  TAKAHASHI KENJI

Inventor： SANO MASAFUMI ,  TAKAHASHI KENJI

IPC: H01L27/32 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/3244

Abstract: There are provided a display apparatus which can be stably driven for a long period of time and can display an image with high definition and less image defect, and a production method thereof. The display apparatus includes a light-emitting layer, a pair of electrodes sandwiching the light-emitting layer, a transistor with an active layer for driving the light-emitting layer through the pair of the electrodes, and a matrix wiring portion having a scanning electrode line, a signal electrode line, and a first insulating layer, wherein the active layer includes an oxide which contains In and Zn and at least a part of which is amorphous, and wherein a second insulating layer containing hydrogen in an amount of less than 3 x 10 21 atoms/cm3 is disposed between the active layer and the first insulating layer.

Abstract translation: 提供了能够长时间稳定地驱动并且可以显示高分辨率和较少图像缺陷的图像的显示装置及其制造方法。 显示装置包括发光层，夹着发光层的一对电极，具有用于通过一对电极驱动发光层的有源层的晶体管，以及具有扫描电极的矩阵布线部 线，信号电极线和第一绝缘层，其中所述有源层包括含有In和Zn的氧化物，并且其至少一部分是无定形的，并且其中含有小于3的氢的第二绝缘层 x 10 21原子/ cm 3设置在有源层和第一绝缘层之间。

公开(公告)号：RU2433504C2

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：RU2009147030

申请日：2008-05-15

Applicant: CANON KK

Inventor： OFUDZI MASATO ,  ABE KATSUMI ,  KHAJASI RIO ,  SANO MASAFUMI ,  KUMOMI KHIDEJA

IPC: H01L21/8236 ,  H01L29/786

Abstract: Изобретениеотноситсяк инвертору, состоящемуизтонкопленочныхтранзисторовс оксиднымполупроводниковымслоем. Сущностьизобретения: способизготовленияинвертора, работающегов режимеобогащения/обеднения (E/D), имеющегомножествотонкопленочныхтранзисторовнаоднойи тойжеподложке, канальныеслоикоторыхсостоятизоксидногополупроводника, содержащегопоменьшеймереодинэлемент, выбранныйиз In, Ga и Zn, содержитэтапы, накоторыхформируютпервыйтранзистори второйтранзистор, толщинаканальныхслоевпервогои второготранзисторовявляетсявзаимноразличной, иприменяюттермообработкупоменьшеймерек одномуизканальныхслоевпервогои второготранзисторов. Изобретениеобеспечиваетрасширениетехническихсредств, позволяющихполучитьинверторс оксиднымиполупроводниковымитонкопленочнымитранзисторами, имеющимиразличныепороговыенапряжения, упрощениеспособаполученияинверторас такимихарактеристиками, снижениеегостоимости. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 18 ил.

公开(公告)号：RU2399989C2

公开(公告)日：2010-09-20

申请号：RU2008143344

申请日：2008-10-31

Applicant: CANON KK ,  TOKIO INSTIT JUT OF TEKNOLODZH

Inventor： SANO MASAFUMI ,  NAKAGAVA KATSUMI ,  KHOSONO KHIDEO ,  KAMIJA TOSIO ,  NOMURA KENDZI

IPC: H01L29/786

Abstract: Изобретениеотноситсяк аморфномуоксидуи полевомутранзисторус егоиспользованием. Сущностьизобретения: аморфноеоксидноесоединение, имеющеесостав, которыйпринахожденииуказанногосоединенияв кристаллическомсостоянииописываетсяформулой In2-XM3XO3(Zn1-YM2YO)m, гдеМ2 представляетсобой Mg илиСа, М3 представляетсобойВ, Al, Ga или Y, 0≤Х≤2, 0≤Y≤1, и m представляетсобой 0 илинатуральноечисломеньше 6, илисмесьтакихсоединений, причемупомянутоеаморфноеоксидноесоединениедополнительносодержитодинтипэлементаилимножествоэлементов, выбранныхизгруппы, состоящейиз Li, Na, Mn, Ni, Pd, Cu, Cd, C, N, P, Ti, Zr, V, Ru, Ge, Sn и F, иупомянутоеаморфноеоксидноесоединениеимеетконцентрациюэлектронныхносителейв пределахот 1015/см3 до 1018/см3. Техническимрезультатомизобретенияявляетсяпредоставлениеаморфногооксида, которыйфункционирует, какполупроводникдляиспользованияв активномслоетонкопленочноготранзистора. 3 н. и 3 з.п. ф-лы, 10 ил.

公开(公告)号：RU2369940C2

公开(公告)日：2009-10-10

申请号：RU2007121704

申请日：2005-11-09

Applicant: CANON KK ,  TOKIO INSTIT JUT OF TEKNOLODZH

Inventor： SANO MASAFUMI ,  NAKAGAVA KATSUMI ,  KHOSONO KHIDEO ,  KAMIJA TOSIO ,  NOMURA KENDZI

IPC: H01L29/786

Abstract: Изобретениеотноситсяк аморфномуоксиду, применяемомув активномслоеполевоготранзистора. Сущностьизобретения: аморфныйоксид, содержащийпоменьшеймереодинмикрокристалли имеющийконцентрациюэлектронныхносителейв пределахот 1012/см3 до 1018/см3, содержит, поменьшеймере, одинэлемент, выбранныйизгруппы, состоящейиз In, Zn и Sn, играницаразделазеренупомянутогопоменьшеймереодногомикрокристаллапокрытааморфнойструктурой. Техническимрезультатомизобретенияявляетсяполучениеаморфногооксида, которыйфункционируеткакполупроводникдляиспользованияегов активномслоетонкопленочноготранзистора. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 8 ил.

公开(公告)号：AU2005302962B2

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：AU2005302962

申请日：2005-11-09

Applicant: CANON KK ,  TOKYO INST TECH

Inventor： KAMIYA TOSHIO ,  NAKAGAWA KATSUMI ,  NOMURA KENJI ,  HOSONO HIDEO ,  SANO MASAFUMI

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363 ,  H01L21/428

Abstract: A novel amorphous oxide film applicable, for example, to an active layer of a TFT is provided. The amorphous oxide film has an electron carrier concentration of less than 10 18 /cm 3 at a temperature of 25° C, wherein the amorphous oxide is any one selected from the group consisting of an oxide containing In, Zn, and Sn; an oxide containing In and Zn; an oxide containing In and Sn; and an oxide containing In, Zn, and Ga. The oxide comprises one type of element or a plurality of elements selected from the group consisting of Li, Na, Mn, Ni, Pd, Cu, Cd, C, N, and P; or at least one element selected from the group consisting of Ti, Ru, and F.

公开(公告)号：CA2708337A1

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：CA2708337

申请日：2005-11-09

Applicant: CANON KK ,  TOKYO INST TECH

Inventor： SANO MASAFUMI ,  NAKAGAWA KATSUMI ,  HOSONO HIDEO ,  KAMYIA TOSHIO ,  NOMURA KENJI

IPC: H01L29/78 ,  C01G9/02 ,  C01G15/00 ,  C01G19/02 ,  H01L21/203 ,  H01L29/12 ,  H01L29/786

Abstract: A novel amorphous oxide applicable, for example, to an active layer of a TFT is provided. The amorphous oxide comprises microcrystals.

公开(公告)号：CA2585071A1

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：CA2585071

申请日：2005-11-09

Applicant: TOKYO INST TECH ,  CANON KK

Inventor： KAMIYA TOSHIO ,  NOMURA KENJI ,  NAKAGAWA KATSUMI ,  HOSONO HIDEO ,  SANO MASAFUMI

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/363 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

Abstract: A novel field-effect transistor is provided which employs an amorphous oxide. In an embodiment of the present invention, the transistor comprises an amorphous oxide layer containing electron carrier at a concentration less than 1×10−18/cm3, and the gate-insulating layer is comprised of a first layer being in contact with the amorphous oxide and a second layer different from the first layer.

公开(公告)号：DE69814751T2

公开(公告)日：2004-03-18

申请号：DE69814751

申请日：1998-07-24

Applicant: CANON KK

Inventor： SANO MASAFUMI

IPC: C25D9/04 ,  B05D1/36 ,  C25D9/08 ,  H01B5/14 ,  H01L21/00 ,  H01L21/44 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

Abstract: A photovoltaic device is provided which comprises a back reflection layer, a zinc oxide layer and a semiconductor layer stacked in this order on a substrate, wherein the zinc oxide layer contains a carbohydrate. The content of the carbohydrate is preferably in the range of from 1 mu g/cm to 100 mg/cm . Thereby, the zinc oxide layer can be formed without abnormal growth to have a rough surface to achieve sufficient optical confinement effect, and the photovoltaic device is improved in the durability and the photoelectric conversion efficiency.