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    33.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE69210443T2

    公开(公告)日：1996-12-05

    申请号：DE69210443

    申请日：1992-02-10

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  SOURIAU & CIE

    Inventor： BOISSEL JACQUES ,  DELHALLE JOSEPH ,  LECAYON GERARD ,  VIEL PASCAL

    IPC: B32B7/02 ,  B05D3/02 ,  B05D3/06 ,  B05D5/12 ,  H01B1/12 ,  H01R13/03 ,  H01R43/16 ,  H05K3/24

    Abstract: The invention relates to a contact for an electrical connector protected by a polymer film and its fabrication method. This contact (3 or 7) possesses a contact resistance of at most 10 ohms and it comprises a base metal covered with an organic polymer film which is homogeneous and adherent and from 5 to 500 nm thick. The polymer film can be deposited by electropolymerisation of a monomer, such as acrylonitrile, and then subjected to a heat treatment or to radiation in order to improve its electrical conductivity and to obtain a contact resistance not exceeding 10 ohms.

    PROCEDIMIENTO DE REVESTIMIENTO DE UNA SUPERFICIE.
    38.
    发明专利
    PROCEDIMIENTO DE REVESTIMIENTO DE UNA SUPERFICIE. 未知

    公开(公告)号：ES2287698T3

    公开(公告)日：2007-12-16

    申请号：ES04710908

    申请日：2004-02-13

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： VIEL PASCAL ,  AMEUR SAMI ,  BUREAU CHRISTOPHE

    IPC: C23C14/02 ,  B05D7/00 ,  C09D5/44 ,  C23C26/00 ,  C25D3/38 ,  C25D5/34 ,  C25D5/54 ,  C25D15/00

    Abstract: Procedimiento de revestimiento de una superficie por medio de un primero y de un segundo materiales, que comprende las etapas siguientes: disponer sobre la citada superficie el primer material, insertar en el seno del primer material, un precursor del segundo material, al mismo tiempo que, o después de, la etapa consistente en disponer sobre la citada superficie el citado primer material, transformar el citado precursor del segundo material insertado en el seno del primer material, en el citado segundo material, de manera que este segundo material se forma sobre la citada superficie a revestir y en el seno de dicho primer material dispuesto sobre la citada superficie.

    39.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：AT361154T

    公开(公告)日：2007-05-15

    申请号：AT02774884

    申请日：2002-08-27

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： BUREAU CHRISTOPHE ,  LEVY EDOUARD ,  VIEL PASCAL

    IPC: C08J7/16 ,  B05D5/12 ,  C09D5/44 ,  C25D13/06 ,  C25D13/08 ,  C25D13/18 ,  H01B1/12 ,  B05D1/00

    Abstract: The present invention relates to a process for grafting and growing a conductive organic film on(to) an electrically conductive or semiconductive surface in which the grafting and growing of the film are performed simultaneously by electro-reduction of a diazonium salt that is a precursor of the said film on(to) the said surface cathodically polarized at a potential greater than or equal, in absolute value, to the electro-reduction potential of the diazonium salt relative to a reference electrode. The invention finds an application especially in the protection of surfaces, the manufacture of localized conductive coatings, of chemical sensors in the fields of chemistry and molecular biology, the manufacture of biomedical equipment, etc.

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