公开(公告)号：FR2963158A1

公开(公告)日：2012-01-27

申请号：FR1055936

申请日：2010-07-21

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： DI CIOCCIO LEA ,  GUEGUEN PIERRIC

IPC: H01L21/762

Abstract: Procédé d'assemblage par collage direct d'un premier (I) et d'un deuxième (II) élément munis chacun d'une surface comportant des portions de cuivre (6, 106) séparées par un matériau diélectrique (4, 104), ledit procédé comportant : A) une étape de polissage desdites surfaces de sorte que les surfaces à assembler permettent un assemblage par collage, B) une étape de formation d'une deuxième barrière de diffusion (10, 110) sélectivement sur les portions de cuivre (6, 106) des premier et deuxième éléments, la surface de la deuxième barrière de diffusion des premier et deuxième éléments affleurant ladite surface avec un écart inférieur à 5 nanomètres, et C) une étape de mise en contact des deux surfaces de sorte que les portions de cuivre (6, 106) d'une surface recouvrent au moins en partie les portions de cuivre (106, 6) de l'autre surface, et de sorte qu'un collage direct soit obtenu entre les surfaces

公开(公告)号：DE602005006324D1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：DE602005006324

申请日：2005-12-06

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： KOSTRZEWA MAREK ,  DI CIOCCIO LEA ,  DELAPIERRE GUILLAUME

IPC: C09J5/02

Abstract: A method for bonding two free surfaces, respectively of first and second different substrates, includes a formation step, on the free surface of the first substrate, of a self-assembled mono-molecular layer consisting of a thiol compound of the SH-R-X type, where -R is a carbonaceous chain and -X is a group selected from the group consisting in -H, -OH and -COOH, at least said free surface of the first substrate being formed by a material able to form molecular bonds with the -SH group of the thiol compound. The method also includes preparing the free surface of the second substrate consisting in saturating the free surface of the second substrate with -H groups if -X is a -H group or with -OH groups if -X is selected from the group consisting in -OH and -COOH, and placing the two free surfaces in contact.

公开(公告)号：AT393195T

公开(公告)日：2008-05-15

申请号：AT05824586

申请日：2005-12-06

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： KOSTRZEWA MAREK ,  DI CIOCCIO LEA ,  DELAPIERRE GUILLAUME

IPC: C09J5/02

Abstract: A method for bonding two free surfaces, respectively of first and second different substrates, includes a formation step, on the free surface of the first substrate, of a self-assembled mono-molecular layer consisting of a thiol compound of the SH-R-X type, where -R is a carbonaceous chain and -X is a group selected from the group consisting in -H, -OH and -COOH, at least said free surface of the first substrate being formed by a material able to form molecular bonds with the -SH group of the thiol compound. The method also includes preparing the free surface of the second substrate consisting in saturating the free surface of the second substrate with -H groups if -X is a -H group or with -OH groups if -X is selected from the group consisting in -OH and -COOH, and placing the two free surfaces in contact.

公开(公告)号：FR2877142B1

公开(公告)日：2007-05-11

申请号：FR0452393

申请日：2004-10-21

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： KOSTRZEWA MAREK ,  DI CIOCCIO LEA ,  ZUSSY MARC

IPC: H01L21/58

Abstract: The invention concerns a method for transferring at least one object of micrometric or millimetric size onto a host substrate by means of a handle. The method comprises the following steps: fixing a polymer handle on said object in order to be able to obtain a structure, constituted of the handle and the object superimposed, and deformable, surface preparation of the face of the object opposite the handle with a view to its adhesion on a face of the host substrate, bringing into contact and adhesion of said face of the object on said face of the host substrate after deformation of at least the handle, removal of the polymer handle.

公开(公告)号：FR2879208A1

公开(公告)日：2006-06-16

申请号：FR0413353

申请日：2004-12-15

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： KOSTRZEWA MAREK ,  DI CIOCCIO LEA ,  DELAPIERRE GUILLAUME

IPC: C09J5/02

Abstract: Un procédé de collage de deux surfaces libres, respectivement de premier et second substrats différents, comporte au moins les étapes suivantes :- une étape de formation, sur la surface libre du premier substrat, d'une couche mono-moléculaire auto-assemblée constituée par un composé thiol de type SH-R-X, où -R est une chaîne carbonée et -X est un groupement choisi parmi -H, -OH et -COOH, au moins ladite surface libre du premier substrat étant constituée d'un matériau apte à former des liaisons moléculaires avec le groupement -SH du composé thiol,- une étape de préparation de la surface libre du second substrat consistant à saturer la surface libre du second substrat en groupements -H si -X est un groupement -H ou en groupements -OH si -X est un groupement choisi parmi -OH et -COOH,- une étape de mise en contact des deux surfaces libres.

公开(公告)号：FR2844099B1

公开(公告)日：2005-09-02

申请号：FR0210883

申请日：2002-09-03

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： TEMPLIER FRANCOIS ,  DI CIOCCIO LEA ,  BILLON THIERRY ,  LETERTRE FABRICE

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L27/12 ,  H01L29/40

Abstract: The device is implemented in epitaxial semiconductor material in the form of a piled-up structure comprising a layer of semiconductor material (13) transferred to the first face of a support substrate (11) and joined to it by the intermediary of an insulator layer (12), and epitaxial layers (14,15) supported by the semiconductor layer. The electric connection contacts (16,17) of the device are provided on the upper epitaxial layer and on the second face of the support substrate. The electric link metallizations (19) are extended from electric contacts (18) on the lower epitaxial layer to the support substrate through the insulator layer thus linking the epitaxial layer to the other contact (17) through the support substrate which is sufficiently conducting. The support substrate (11) is made of an electrically conducting material, or of a semiconductor material from the group comprising SiC, GaN, AlN, Si, GaAs, ZnO and Ge. The support substrate is overdoped on the side of the interface with the insulator layer. The epitaxial material comprises layers (14,15) of different doping level. The epitaxial material is from the group comprising SiC, GaN, AlGaN, InGaN, and diamond. The electric connection contacts comprise at least one Schottky contact. The insulator layer is of a material from the group comprising silicon dioxide (SiO2), silicon nitride (Si3N4), and diamond. The semiconductor layer (13) is of a material from the group comprising SiC, GaN, AlN, Si, ZaO, and diamond. A semiconductor circuit (claimed) is associated with at least one semiconductor power device (claimed), and with at least one semiconductor device which is not linked to the second face of the support substrate.

公开(公告)号：FR2863405A1

公开(公告)日：2005-06-10

申请号：FR0350999

申请日：2003-12-08

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： MORICEAU HUBERT ,  MORALES CHRISTOPHE ,  DI CIOCCIO LEA

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/98 ,  H01L25/065 ,  H01L25/16 ,  H05K13/04

Abstract: The molecular adhesion of a second electronic composite on to a first electronic composite (1), the contact surface of the first containing a polymer (4), comprises the coating by a linking layer (5) of at least a part of the polymer surface. The molecular adhesion takes place between the linking layer and the second electronic composite. An independent claim is also included for a three-dimensional matrix of electronic composites produced by this method of molecular adhesion.

公开(公告)号：FR3006236B1

公开(公告)日：2016-07-29

申请号：FR1355043

申请日：2013-06-03

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： BAUDIN FLORIANE ,  DI CIOCCIO LEA

IPC: B32B7/10 ,  C09J5/00 ,  H01L21/30 ,  H01L21/50

公开(公告)号：FR2964112A1

公开(公告)日：2012-03-02

申请号：FR1003496

申请日：2010-08-31

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： VANDROUX LAURENT ,  DI CIOCCIO LEA ,  GUEGUEN PIERRIC

IPC: C09J5/02 ,  C23C4/04 ,  H01L21/02

Abstract: Un procédé de collage entre une première surface (1) munie d'au moins une zone en cuivre (3) entourée d'une zone en oxyde de silicium (4) et une seconde surface (1') comprend une opération de traitement de la première surface (1) par plasma, avant la mise en contact de la première surface (1) avec la seconde surface (1'). Le plasma est formé à partir d'une source gazeuse contenant un agent de nitruration de l'oxyde de silicium et un agent réducteur de l'oxyde de cuivre à base d'hydrogène. La source gazeuse peut comporter un mélange gazeux N et NH et/ou H ou bien un mélange gazeux N O et H ou bien encore de l'ammoniac qui joue alors à la fois le rôle d'agent de nitruration et celui d'agent réducteur. Le plasma obtenu à partir de cette source gazeuse comprend alors nécessairement de l'azote et de l'hydrogène, ce qui permet, en une seule opération, d'assurer un collage performant entre les première et seconde surfaces (1, 1').

公开(公告)号：AT542237T

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：AT09731294

申请日：2009-04-03

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： MOULET JEAN-SEBASTIEN ,  DI CIOCCIO LEA ,  MIGETTE MARION

IPC: H01L21/18