公开(公告)号：WO2005057637A3

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：PCT/FR2004050656

申请日：2004-12-06

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  MORICEAU HUBERT ,  MORALES CHRISTOPHE ,  DI CIOCCIO LEA

Inventor： MORICEAU HUBERT ,  MORALES CHRISTOPHE ,  DI CIOCCIO LEA

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/98 ,  H01L25/065 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L25/0657 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to a method for the direct molecular adhesion of an electronic component (6) to a polymer (4). According to the invention, the polymer (4) is covered with a bonding layer (5), for example, of silicon oxide, which eliminates the problems caused by the presence of hydrocarbons. The inventive method can be used to produce three-dimensional structures (10) without glue.

Abstract translation: 本发明涉及一种将电子部件（6）直接分子粘合到聚合物（4）上的方法。 根据本发明，聚合物（4）被例如氧化硅的接合层（5）覆盖，这消除了由烃的存在引起的问题。 本发明的方法可用于生产没有胶水的三维结构（10）。

公开(公告)号：WO2009153422A8

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：PCT/FR2009000502

申请日：2009-04-28

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  LIBRALESSO LAURE ,  MORICEAU HUBERT ,  MORALES CHRISTOPHE ,  RIEUTORD FRANCOIS ,  VENTOSA CAROLINE ,  CHEVOLLEAU THIERRY

Inventor： LIBRALESSO LAURE ,  MORICEAU HUBERT ,  MORALES CHRISTOPHE ,  RIEUTORD FRANCOIS ,  VENTOSA CAROLINE ,  CHEVOLLEAU THIERRY

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/2007

Abstract: Two wafers, each having on a surface thereof a thin silicon or silicon oxide film, are bonded by subjecting the thin film of at least one wafer to a surface treatment forming a thin silicon oxynitride surface film with a thickness of less than 5 nm. The thin film is formed by means of a nitrogen-based plasma, generated by an inductively coupled plasma source. In addition, the potential difference between the plasma and a substrate holder supporting said wafer, during the surface treatment, is less than 50 V, advantageously less than 15 V and preferably zero. This makes it possible to obtain a defect-free bonding interface irrespective of the temperature of any heat treatment carried out after the contacting step.

Abstract translation: 通过使至少一个晶片的薄膜经受形成厚度小于5nm的薄氧氮化硅表面薄膜的表面处理，将两个晶片（其表面上的薄硅或氧化硅膜）结合在一起。 该薄膜通过由感应耦合等离子体源产生的氮基等离子体形成。 此外，在表面处理期间，等离子体和支撑所述晶片的衬底保持器之间的电势差小于50V，有利地小于15V，优选为零。 这使得可以获得无缺陷的接合界面，而不管接触步骤之后进行的任何热处理的温度如何。

公开(公告)号：WO2006072871A3

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：PCT/IB2005054432

申请日：2005-10-06

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  MORICEAU HUBERT ,  FOURNEL FRANCK ,  MORALES CHRISTOPHE

Inventor： MORICEAU HUBERT ,  FOURNEL FRANCK ,  MORALES CHRISTOPHE

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/76224

Abstract: The invention relates to a method for producing a semiconductor structure consisting in forming in a controlled manner through a mask (31) at least one first area made of an insulating material (36) in a first substrate (30) made of a semiconductor material to the level of the mask lower surface (35) prior to and after removing the mask.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造半导体结构的方法，该方法包括通过掩模（31）以受控方式形成由半导体材料制成的第一衬底（30）中的由绝缘材料（36）制成的至少一个第一区域， 在去除掩模之前和之后掩模下表面（35）的高度。

公开(公告)号：WO2006037933A3

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：PCT/FR2005050825

申请日：2005-10-06

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  MORICEAU HUBERT ,  MORALES CHRISTOPHE ,  ZUSSY MARC ,  DECHAMP JEROME

Inventor： MORICEAU HUBERT ,  MORALES CHRISTOPHE ,  ZUSSY MARC ,  DECHAMP JEROME

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76259

Abstract: The invention concerns a method for producing a semiconductor structure, on a semiconductor substrate whereof one surface has a topology, said method comprising the following steps: a) forming a first layer (24) in a first insulating material on said surface, b) forming a second layer in a second insulating material (28), less dense than the first insulating material, of thickness ranging between 2.5 and 3.5 p, c) planarizing the assembly.

Abstract translation: 本发明涉及在半导体衬底上制造半导体结构的方法，其中一个表面具有拓扑结构，所述方法包括以下步骤：a）在所述表面上形成第一绝缘材料中的第一层（24），b）形成 在第二绝缘材料（28）中的第二层，其密度小于第一绝缘材料，厚度范围在2.5和3.5p之间，c）平坦化组件。

公开(公告)号：FR3076073B1

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：FR1763150

申请日：2017-12-22

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： FOURNEL FRANK ,  MORALES CHRISTOPHE ,  ZUSSY MARC

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/02

Abstract: L'invention a pour objet un procédé de détourage d'une plaque 1 collée sur une plaque support 2 par l'intermédiaire d'une couche d'interface 3. Une zone en pourtour 12 de la plaque 1 est rognée par meulage. L'arrêt du meulage est avantageusement opéré au niveau de la couche d'interface 3. Pour ce faire, une couche d'interface 3 comprenant une couche de transition 4 présentant une résistance au meulage supérieure à celle de la plaque 1 est utilisée. Selon une possibilité, une détection d'une augmentation de la résistance au meulage lors du meulage est effectuée, de sorte à arrêter le meulage.

公开(公告)号：FR3076073A1

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：FR1763150

申请日：2017-12-22

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： FOURNEL FRANK ,  MORALES CHRISTOPHE ,  ZUSSY MARC

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/02

Abstract: L'invention a pour objet un procédé de détourage d'une plaque 1 collée sur une plaque support 2 par l'intermédiaire d'une couche d'interface 3. Une zone en pourtour 12 de la plaque 1 est rognée par meulage. L'arrêt du meulage est avantageusement opéré au niveau de la couche d'interface 3. Pour ce faire, une couche d'interface 3 comprenant une couche de transition 4 présentant une résistance au meulage supérieure à celle de la plaque 1 est utilisée. Selon une possibilité, une détection d'une augmentation de la résistance au meulage lors du meulage est effectuée, de sorte à arrêter le meulage.

公开(公告)号：FR3076069A1

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：FR1762969

申请日：2017-12-22

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： MORICEAU HUBERT ,  MORALES CHRISTOPHE

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/383 ,  H01L21/762

Abstract: Ce procédé comporte les étapes successives : a) prévoir un substrat donneur (3) recouvert d'une couche d'oxyde (4) ; b) implanter des espèces gazeuses, comprenant des atomes d'hydrogène ionisé, dans le substrat donneur (3), à travers la couche d'oxyde (4), de manière à former une zone de fragilisation (ZS) ; la couche d'oxyde (4) présente, à l'issue de l'étape b), un pic d'absorbance possédant un maximum à un premier nombre d'ondes, et possédant une largeur à mi-hauteur ; c) appliquer un rayonnement ultraviolet à la surface libre (40) de la couche d'oxyde (4), sous une atmosphère d'ozone, et selon un budget thermique adapté pour : - décaler le maximum d'au moins 3 cm-1 vers les nombres d'onde croissants ; - réduire la largeur à mi-hauteur d'au moins 3 cm-1 ; - autoriser une adhésion directe avec la surface libre (40) ; d) assembler le substrat donneur (3) au substrat support (2) par une adhésion directe avec la surface libre (40) ; e) fracturer le substrat donneur (3) suivant la zone de fragilisation (ZS) de manière à exposer la couche utile (1).

公开(公告)号：FR3055064B1

公开(公告)日：2018-10-05

申请号：FR1657712

申请日：2016-08-11

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： MORICEAU HUBERT ,  CHARLES MATTHEW ,  MORALES CHRISTOPHE

IPC: H01L21/20

公开(公告)号：FR3036223B1

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：FR1554182

申请日：2015-05-11

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： FOURNEL FRANK ,  MORALES CHRISTOPHE ,  MORICEAU HUBERT ,  RIEUTORD FRANCOIS

IPC: H01L21/02

公开(公告)号：FR2912840A1

公开(公告)日：2008-08-22

申请号：FR0701168

申请日：2007-02-19

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： FOURNEL FRANK ,  MORICEAU HUBERT ,  MORALES CHRISTOPHE ,  PERREAU PIERRE

IPC: H01L21/306 ,  C09J5/02 ,  C23F1/12

Abstract: Le collage par adhérence moléculaire des surfaces libres, de premier et second substrats, par exemple formés par des plaques de silicium monocristallin, comporte au moins successivement :- une étape de nettoyage des surfaces libres à l'acide fluorhydrique en phase vapeur pour rendre les surfaces libres hydrophobes,- une étape de rinçage desdites surfaces libres à l'eau déionisée, d'une durée inférieure ou égale à 30 secondes- et une étape de mise en contact desdites surfaces libres.