公开(公告)号：DE2617398A1

公开(公告)日：1976-11-04

申请号：DE2617398

申请日：1976-04-21

Applicant: SONY CORP

Inventor： AOKI TERUAKI ,  MATSUSHITA TAKESHI ,  MIFUNE TADAYOSHI ,  ABE MOTOAKI

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/00 ,  H01L21/265 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/76 ,  H01L23/29 ,  H01L29/78 ,  H01L21/302

Abstract: Silicon ions are implanted in a silicon dioxide layer on a silicon substrate so that the dioxide layer is converted into a semi-insulating layer having an improved passivation property.

公开(公告)号：CA982701A

公开(公告)日：1976-01-27

申请号：CA169179

申请日：1973-04-19

Applicant: SONY CORP

Inventor： MATSUSHITA TAKESHI

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/331 ,  H01L29/08 ,  H01L29/74 ,  H01L29/744

公开(公告)号：DE2320579A1

公开(公告)日：1973-11-08

申请号：DE2320579

申请日：1973-04-21

Applicant: SONY CORP

Inventor： MATSUSHITA TAKESHI ,  HAYASHI HISAO

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/331 ,  H01L29/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L9/00

公开(公告)号：DE2320563A1

公开(公告)日：1973-10-25

申请号：DE2320563

申请日：1973-04-21

Applicant: SONY CORP

Inventor： MATSUSHITA TAKESHI

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/331 ,  H01L29/08 ,  H01L29/74 ,  H01L29/744 ,  H01L11/10

公开(公告)号：CA927479A

公开(公告)日：1973-05-29

申请号：CA66602

申请日：1969-11-04

Applicant: SONY CORP

Inventor： MATSUSHITA TAKESHI

IPC: G01R33/06 ,  H01L29/00

公开(公告)号：CA918242A

公开(公告)日：1973-01-02

申请号：CA66603

申请日：1969-11-04

Applicant: SONY CORP

Inventor： MATSUSHITA TAKESHI

IPC: G01R33/06 ,  H01L29/00

公开(公告)号：CA909967A

公开(公告)日：1972-09-12

申请号：CA909967D

Applicant: SONY CORP

Inventor： MATSUSHITA TAKESHI ,  YAGI HAJIME

IPC: H01L29/00 ,  H01L31/111

公开(公告)号：CA907217A

公开(公告)日：1972-08-08

申请号：CA907217D

Applicant: SONY CORP

Inventor： MATSUSHITA TAKESHI

IPC: H01L29/00 ,  H01L31/111

公开(公告)号：DE1964589A1

公开(公告)日：1970-09-17

申请号：DE1964589

申请日：1969-12-23

Applicant: SONY CORP

Inventor： MATSUSHITA TAKESHI

IPC: G01R33/06 ,  H01L21/00 ,  H01L29/00 ,  G01R33/00

公开(公告)号：GB2360391A

公开(公告)日：2001-09-19

申请号：GB0024398

申请日：2000-10-05

Applicant: SONY CORP

Inventor： MATSUSHITA TAKESHI ,  MIZUNO SHINICHI

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/04 ,  H01L21/268

Abstract: A method of manufacturing a solar cell comprises forming a porous Si layer 2, p-type Si layers 3, 4 and an n-type Si layer 5 on an Si substrate 1. The n-type layer 5 is etched by laser abrasion to form an electrode pattern. The porous Si layer 2 may be weakened by application of ultrasound to allow the device layers to be separated from the substrate along the line 6.