公开(公告)号：FR3012672A1

公开(公告)日：2015-05-01

申请号：FR1360742

申请日：2013-10-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： LA ROSA FRANCESCO ,  NIEL STEPHAN ,  DELALLEAU JULIEN ,  REGNIER ARNAUD

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788

Abstract: L'invention concerne une cellule mémoire (C31) comprenant une grille de sélection verticale (SG) s'étendant dans une tranchée (10) pratiquée dans un substrat, une grille flottante (FG) s'étendant au-dessus du substrat, et une grille de contrôle horizontale (CG) s'étendant au-dessus de la grille flottante (FG), dans laquelle la grille flottante (FG) s'étend également au-dessus d'une partie de la grille de sélection verticale (SCG) sur une distance de recouvrement (Dov) non nulle. Application notamment à la réalisation d'une cellule mémoire à grille divisée programmable par injection d'électrons chauds.

公开(公告)号：FR2980638A1

公开(公告)日：2013-03-29

申请号：FR1158536

申请日：2011-09-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： BOIVIN PHILIPPE ,  NIEL STEPHAN

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8247

Abstract: Transistor comprenant des régions de source et de drain dans un substrat (21), et au moins une grille (24) en matériau conducteur située de manière isolée au-dessus du substrat (21), caractérisé en ce que la grille présente une surface non plane avec au moins une partie à composante non nulle dans une direction perpendiculaire au substrat (21).