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公开(公告)号:CN100521003C
公开(公告)日:2009-07-29
申请号:CN200410104753.3
申请日:2004-11-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/12
Abstract: 一种叠层陶瓷电容器(1),其具有内部电极层(3)和厚度3.5μm以下的层间电介质层(2),上述层间电介质层(2)包含与上述内部电极层接触的接触电介质颗粒(2a)和与上述内部电极层不接触的非接触电介质颗粒(2b);以该接触电介质颗粒(2a)的平均粒径为D50e,以该非接触电介质颗粒(2b)的平均粒径为D50d,则满足D50e<0.450μm且(D50e/D50d)=1.20~3.00(但是除了1.20和3.00)。本发明能提供即使在层间电介质层(2)薄层化的情况下,仍能期望得到85℃下偏置特性提高的叠层陶瓷电容器(1)。
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公开(公告)号:CN100483578C
公开(公告)日:2009-04-29
申请号:CN200410095182.1
申请日:2004-10-22
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/4682 , B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/63 , C04B35/6303 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3267 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/652 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/662 , C04B2237/346 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , H01G4/1209 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 一种多层陶瓷电容器,其具有内部电极层和介电体层,其特征在于,上述介电体层的厚度在2.0μm以下,通过用上述介电体层的厚度除以构成上述介电体层的介电体粒子的平均粒径来求得的介电体层的每一层的平均粒子数在3个以上、6个以下。
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公开(公告)号:CN100449662C
公开(公告)日:2009-01-07
申请号:CN200410001482.9
申请日:2001-03-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/465 , C01G23/002 , C01G23/006 , C04B35/47 , H01G4/1227
Abstract: 一种制备包含介电层的电子器件的方法,该介电层包括含有以组成通式{(Sr1-xCax)O}m·(Ti1-yZry)O2表示的主成分的介电陶瓷组合物,其中所述组成通式中x满足0≤x≤1.00,所述组成通式中y满足0≤y≤0.20,其特征为通过采用以组成通式{(Sr1-xCax)O}m’·(Ti1-yZry)O2表示的起始材料制备所述介电陶瓷组合物,其中所述组成通式中的摩尔比值m’满足m’<m。该方法制成的电容器具有优异的抗还原性、优异的电容—温度特性。
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公开(公告)号:CN101276684A
公开(公告)日:2008-10-01
申请号:CN200710091856.4
申请日:2007-03-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/30
CPC classification number: H01G4/30 , B32B18/00 , C04B35/4682 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3225 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/96 , C04B2237/704 , H01G4/0085 , H01G4/12
Abstract: 本发明的目的在于提供一种叠层陶瓷电子部件及其制造方法,在该制造方法中,即使通过退火处理将烧结体再氧化,也可以防止叠层陶瓷电子部件的机械强度的降低、以及产生裂纹等结构缺陷,并且是低成本的。本发明的叠层型陶瓷电子部件的制造方法包括:将生片和内部电极层叠层,得到生芯片的步骤、在还原气氛气体下将上述生芯片烧结,得到烧结体的步骤、和在规定的退火气氛气体中将上述烧结体退火的再氧化步骤,其中上述再氧化步骤中的上述退火气氛气体的露点为-50~0℃,上述再氧化步骤中的上述退火气氖气体的温度为900-1100℃。
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公开(公告)号:CN100376507C
公开(公告)日:2008-03-26
申请号:CN200510113296.9
申请日:2005-08-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/495 , H01G4/12
Abstract: 本发明的电介质陶瓷组合物含有:包含钛酸钡的主成分;包含选自MgO、CaO、BaO和SrO中的至少一种的第一副成分;作为烧结助剂的第二副成分;包含选自V2O5、MoO3和WO3中的至少一种的第三副成分;包含R1的氧化物(其中,R1是选自Sc、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种)的第四副成分;包含CaZrO3或CaO+ZrO2的第五副成分;包含A的氧化物(其中,A是选自6配位时的有效离子半径是0.065nm~0.085nm的阳离子元素组中的至少一种)的第八副成分,上述第八副成分相对于上述主成分100摩尔的比率是0~4摩尔(但不包括0摩尔和4摩尔,是换算成A氧化物的值)。
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公开(公告)号:CN101066867A
公开(公告)日:2007-11-07
申请号:CN200710089361.8
申请日:2007-03-23
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01G4/12 , H01G4/30 , H01B3/12
CPC classification number: H01G4/1227 , B82Y30/00 , C04B35/4682 , C04B35/6263 , C04B35/6264 , C04B35/62685 , C04B35/638 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/786 , C04B2235/79 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供电介质陶瓷组合物的制造方法,其是制造含有下述成分的电介质陶瓷组合物的方法:含有钛酸钡的主成分、含有R1的氧化物(其中,R1为选自9配位时的有效离子半径不到108pm的稀土元素中的至少一种)的第4副成分、含有R2的氧化物(其中,R2为选自9配位时的有效离子半径为108pm~113pm的稀土元素中的至少一种)的第5副成分,其具有下述工序:使主成分原料与第4副成分和/或第5副成分的原料的一部分预先反应,得到反应过的原料的工序;和向反应过的原料中添加其余的第4和第5副成分的原料的工序,在最终得到的电介质陶瓷组合物中,R1的摩尔数M1与R2的摩尔数M2之比(M1/M2)在4<M1/M2≤100的范围。根据本发明,可提供即使将电介质层薄层化,也可兼顾相对介电常数和容量温度特性的电介质陶瓷组合物及其制造方法。
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公开(公告)号:CN101034599A
公开(公告)日:2007-09-12
申请号:CN200710086089.8
申请日:2007-03-09
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01B3/12 , C04B35/468 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: C01G23/006 , B82Y30/00 , C01P2002/34 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C01P2006/40 , C04B35/4682 , C04B35/638 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/6562 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/761 , C04B2235/762 , C04B2235/765 , H01G4/1209 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明的目的为对于层积陶瓷电子部件,实现比介电常数的提高和介电损耗的下降,并且在进行所构成电介质陶瓷层的薄层化时也能够维持充分的容量温度特性。本发明提供一种电介质陶瓷层和内部电极层交互层积的层积陶瓷电子部件,其中,作为用来形成所述电介质陶瓷层的陶瓷粉末,使用具有钙钛矿型晶体结构,并且将正方晶相的含量Wt与立方晶相的含量Wc的重量比Wt/Wc记为X时,X≥3的陶瓷粉末。这里,正方晶相与立方晶相的重量比Wt/Wc是由利用Rietveld法的多相解析来求出。陶瓷粉末是例如钛酸钡粉末。陶瓷粉末的比表面积为4~10m2/g。
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公开(公告)号:CN1978382A
公开(公告)日:2007-06-13
申请号:CN200510136399.7
申请日:2005-11-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/495 , C04B35/468 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: C04B35/4682 , B32B2311/22 , C04B35/62645 , C04B35/62685 , C04B35/628 , C04B35/62805 , C04B35/62807 , C04B35/6281 , C04B35/62815 , C04B35/62823 , C04B35/62897 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3249 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3293 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/72 , C04B2235/785 , C04B2237/346 , C04B2237/405 , H01B3/12 , H01G4/1227 , H01L41/1871 , Y02T10/7022 , Y10T428/2982 , Y10T428/2991 , Y10T428/2993 , Y10T428/2995 , Y10T428/2996
Abstract: 提供一种叠层陶瓷电容器,其确保高的介电常数和良好的温度特性,而且改善了IR温度依赖性。根据本发明,能够提供一种电介质陶瓷组合物,叠层陶瓷电容器1具有由电介质陶瓷组合物构成的电介质层2和内部电极层3交互地叠层而得到的电容器元件主体10,上述电介质陶瓷组合物是含有多个晶粒2a而构成的,在上述晶粒2a中,至少形成上述Ca从该晶粒的表面向内部扩散的Ca扩散区域25a,在以示出平均粒径D50值的晶粒2a作为对象的情况,上述Ca扩散区域25a的平均深度T控制在上述D50的10~30%的范围。
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公开(公告)号:CN1903788A
公开(公告)日:2007-01-31
申请号:CN200610153460.3
申请日:2006-04-04
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: H01G4/1227 , B32B2311/22 , C04B35/4682 , C04B35/62685 , C04B35/628 , C04B35/62813 , C04B35/6303 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3249 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2237/346 , C04B2237/405 , H01G4/30 , Y10T428/2993
Abstract: 一种电介质陶瓷组合物,该组合物含有包含钛酸钡的主成分和Al的氧化物,其特征在于所述电介质陶瓷组合物具有多个电介质粒子,所述电介质粒子中Al的浓度从粒子表面向粒子内部逐渐减低。优选地,所述电介质粒子至少在粒子中心部分具有基本上不含有Al的Al非扩散区域。
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公开(公告)号:CN1266720C
公开(公告)日:2006-07-26
申请号:CN01123098.3
申请日:1995-10-17
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/12 , H01G4/008 , H01G4/30 , C04B35/468
CPC classification number: B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/4682 , C04B35/6264 , C04B35/63424 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3256 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/765 , C04B2235/768 , C04B2235/785 , C04B2237/12 , C04B2237/346 , C04B2237/40 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , H01G4/1227
Abstract: 一种多层瓷片状电容器,满足X7R性质或其电容量的温度响应并表现出在直流电场下电容量随时间的变化最小,绝缘电阻(IR)的加速寿命很长及良好的直流偏置性能,并提供一种耐介质击穿的多层瓷片状电容器,所述介电层具有最大为0.45μm的平均粒度。在第一种形式中,介电层包含作为主要组分BaTiO3并包含作为次要组分按特定比例的MgO、Y2O3、BaO与CaO中至少一种、及SiO2。在第二种形式中,介电层还包含作为次要组分按特定比例的MnO、V2O5与MoO3中至少一种。
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