公开(公告)号：CN105967680A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610144652.1

申请日：2016-03-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 兼子俊彦 ,  藤野辰哉 ,  吉田武尊 ,  海老名阳辉 ,  森崎信人

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/48 ,  C04B35/49

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C04B35/465 ,  C04B35/47 ,  C04B35/488 ,  C04B35/49 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  C04B2237/68 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/30 ,  C04B35/481

Abstract: 本发明涉及一种介电陶瓷组合物以及具有由上述介电陶瓷组合物形成的介电体层的陶瓷电子部件，其特征在于，上述介电陶瓷组合物含有：具有通式ABO3所表示的钙钛矿型结晶结构的主成分、Eu的氧化物、Ra(Sc、Er、Tm、Yb、Lu)的氧化物、Rb(Y、Dy、Ho、Tb、Gd)的氧化物以及Si的氧化物，相对于100摩尔的上述主成分，如果将上述Eu的氧化物的含量记为α摩尔，将上述Ra的氧化物的含量记为β摩尔，将上述Rb的氧化物的含量记为γ摩尔，将上述Si的氧化物的含量记为δ摩尔，则0.075≤α≤0.5、0.5≤β≤3、1.0≤γ≤4、1.5≤δ≤5、0.030≤α/δ≤0.250。

公开(公告)号：CN104003711A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410064852.7

申请日：2014-02-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 森崎信人 ,  佐佐木孝 ,  福冈智久 ,  松永裕太 ,  小松和博

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/48

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/30 ,  Y10T428/2982

Abstract: 本发明提供一种即便在提高施加于电介质层上的电场强度，并且增加层叠陶瓷电容器的层叠数目的情况下也能显示良好的特性的电介质陶瓷组合物和电子部件。该电介质陶瓷组合物，含有钙钛矿型化合物（ABO3），相对于100mol化合物含有以下物质：以换算成各氧化物时含有Ra2O3（Ra为选自Dy、Gd和Tb中的至少1种以上）0.6～1.4mol；Rb2O3（Rb为Ho和/或Y）0.2～0.7mol；Rc2O3（Rc为选自Yb和/或Lu中的至少1种）0.2～0.7mol；换算成Mg时为0.6～1.6mol以下的Mg的氧化物；以及换算成Si时为0.6～1.2mol（不包括1.2）的Si的化合物。

公开(公告)号：CN114914086B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202210101778.6

申请日：2022-01-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 有泉琢磨 ,  村上拓 ,  森崎信人 ,  兼子俊彦 ,  伊藤康裕

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供一种密度高，相对介电常数、电阻率及高温负荷寿命均良好的电介质组合物等。一种电介质组合物，其具有主相、第一偏析相以及第二偏析相。主相包含具有由ABO3(A为选自Ba、Sr及Ca中的一种以上，B为选自Ti、Zr及Hf中的一种以上)表示的钙钛矿型晶体结构的主成分。第一偏析相包含RE(RE为选自稀土元素中的一种以上)、A、Si、Ti及O。第二偏析相包含RE、A、Ti及O，且实质上不包含Si。在电介质组合物的截面中，将第一偏析相的面积比例设为S1，将第二偏析相的面积比例设为S2，0.10

公开(公告)号：CN114907113B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202210098616.1

申请日：2022-01-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 村上拓 ,  森崎信人 ,  有泉琢磨 ,  兼子俊彦 ,  伊藤康裕

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/465 ,  C04B35/48 ,  C04B35/49 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供一种温度特性、相对介电常数及高温负荷寿命良好的电介质组合物等。电介质组合物包含主相粒子和偏析粒子，主相粒子包含具有以通式ABO3表示的钙钛矿型晶体结构的主成分。电介质组合物含有RA、RB、M及Si。A、B、RA、RB、M为选自特定的元素组中的1种以上的元素。RA相对于主成分的含量CRA、RB相对于主成分的含量CRB、M相对于主成分的含量、Si相对于主成分的含量在规定的范围内。在将偏析粒子中主要含有RA、RB、Si、Ba及Ti的特定偏析粒子中的RA的平均含量设为α摩尔％，将RB的平均含量设为β摩尔％的情况下，0.50＜(α/β)/(CRA/CRB)≤1.00。

公开(公告)号：CN114644522B

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202111552201.9

申请日：2021-12-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 樱井弹 ,  伊藤康裕 ,  森崎信人 ,  兼子俊彦 ,  井口俊宏

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12 ,  H01P1/20

Abstract: 本发明提供一种电介质陶瓷组合物，其特征在于，具有：电介质颗粒，其主成分为以组成式(Ba1－x－ySrxCay)m(Ti1－zZrz)O3表示的化合物；以及，晶界，其存在于该电介质颗粒之间，组成式的m、x、y、z均为摩尔比，组成式满足0.9≦m≦1.4、0≦x＜1.0、0＜y≦1.0、0.9≦(x+y)≦1.0、0.9≦z≦1.0，而且，电介质颗粒包含具有规定的粒内组织的特定结构颗粒，在该特定结构颗粒的粒内存在Ca浓度互不相同的第一区域及第二区域，将第一区域中的Ca浓度的平均值设为C1，且将第二区域中的Ca浓度的平均值设为C2时，C2/C1低于0.8。

公开(公告)号：CN114914085A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202210099142.2

申请日：2022-01-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 有泉琢磨 ,  村上拓 ,  森崎信人 ,  兼子俊彦 ,  伊藤康裕

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供一种密度高，相对介电常数、电阻率及高温负荷寿命均良好的电介质组合物等。电介质组合物包含主相和含有稀土元素RE的偏析相。主相包含具有以ABO3(A为选自Ba、Sr及Ca中的一种以上，B为选自Ti、Zr及Hf中的一种以上)表示的钙钛矿型结晶结构的主成分。将偏析相中、Si相对于RE的原子数比为0以上且0.20以下的偏析相设为第一偏析相，将Si相对于RE的原子数比超过0.20的偏析相设为第二偏析相。在电介质组合物的截面中，在将第一偏析相的面积比例设为S1，将第二偏析相的面积比例设为S2的情况下，0≤S1/S2≤0.10。第二偏析相中的Si相对于RE的原子数比平均为0.80以下。

公开(公告)号：CN114823144A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210017147.6

申请日：2022-01-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高野弘介 ,  兼子俊彦 ,  森崎信人 ,  川岛康 ,  佐佐木桃世

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/002

Abstract: 本发明的技术问题在于，提供短路率低、可靠性高、高温负荷寿命长的电子部件。本发明的电子部件是具有素体和外部电极的电子部件。素体包含功能层和内部电极层。外部电极形成于素体的表面，并且与内部电极层电连接。素体中的氯浓度为10ppm以下。

公开(公告)号：CN114644522A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111552201.9

申请日：2021-12-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 樱井弹 ,  伊藤康裕 ,  森崎信人 ,  兼子俊彦 ,  井口俊宏

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12 ,  H01P1/20

Abstract: 本发明提供一种电介质陶瓷组合物，其特征在于，具有：电介质颗粒，其主成分为以组成式(Ba1－x－ySrxCay)m(Ti1－zZrz)O3表示的化合物；以及，晶界，其存在于该电介质颗粒之间，组成式的m、x、y、z均为摩尔比，组成式满足0.9≦m≦1.4、0≦x＜1.0、0＜y≦1.0、0.9≦(x+y)≦1.0、0.9≦z≦1.0，而且，电介质颗粒包含具有规定的粒内组织的特定结构颗粒，在该特定结构颗粒的粒内存在Ca浓度互不相同的第一区域及第二区域，将第一区域中的Ca浓度的平均值设为C1，且将第二区域中的Ca浓度的平均值设为C2时，C2/C1低于0.8。

公开(公告)号：CN110092659A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201910052631.0

申请日：2019-01-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 樱井弹 ,  兼子俊彦 ,  森崎信人 ,  高桥俊成 ,  伊藤康裕

IPC: C04B35/49 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明的电介质陶瓷组合物包含：由钙钛矿型化合物(Ba1-x-ySrxCay)m(Ti1-ZZrZ)O3(m、x、y、z表示摩尔比，0.9≤m≤1.1，0≤x≤0.5，0≤y≤0.3，0≤x+y≤0.6，0.03≤z≤0.3)构成的主成分；和由稀土元素R的氧化物(R为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu的至少一种)构成的第一副成分，电介质陶瓷组合物含有电介质颗粒和晶界，电介质颗粒含有稀土元素及Zr固溶于电介质颗粒整体的全固溶颗粒，将以电介质陶瓷组合物中的Ti原子的浓度为100原子％时电介质陶瓷组合物中的稀土元素R的浓度设为Ra，将以全固溶颗粒中的Ti原子的浓度为100原子％时全固溶颗粒中的Zr的平均浓度设为Zb，且将稀土元素R的平均浓度设为Rb时，0.82＜Rb/Ra；0.6＜Rb/Zb＜1.0。

公开(公告)号：CN105967679B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201610143554.6

申请日：2016-03-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 兼子俊彦 ,  藤野辰哉 ,  森崎信人 ,  伊藤康裕

IPC: C04B35/468 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明涉及一种介电陶瓷组合物，其特征在于，所述介电陶瓷组合物含有：具有通式ABO3所表示的钙钛矿型结晶结构的主成分、作为稀土元素的氧化物的第1副成分、和作为Si的氧化物的第2副成分，至少含有具有核壳结构的介电体颗粒以及偏析颗粒，上述偏析颗粒中的上述稀土元素的浓度为上述具有核壳结构的介电体颗粒的壳部中的上述稀土元素的平均浓度的2倍以上，在切断上述介电陶瓷组合物的截面中，上述偏析颗粒所占的区域的面积为5.0％以下，各个上述偏析颗粒的截面积的平均为0.075μm2以下。