-
公开(公告)号:CN111383820A
公开(公告)日:2020-07-07
申请号:CN201911364349.2
申请日:2019-12-26
Applicant: TDK株式会社
Abstract: LC复合部件(1)具备:具有磁性的磁性基板(21);具有磁性的磁性层(22);电感器(11、12、17);电容器(13~16);以及具有磁性的芯部(23、24)。磁性基板(21)具有第一面(21a)和与第一面为相反侧的第二面(21b)。磁性层(22)以与磁性基板(21)的第一面(21a)相对的方式配置。电感器(11、12、17)以及电容器(13~16)配置于磁性基板(21)的第一面(21a)与磁性层(22)之间。芯部(23、24)配置于磁性基板(21)的第一面(21a)与磁性层(22)之间并且连接于磁性层(22)。在垂直于磁性基板(21)的第一面(21a)的方向,芯部(23、24)的厚度相对于磁性层(22)的厚度为1.0倍以上,在垂直于磁性基板的第一面的方向,磁性基板的厚度相对于磁性层的厚度为1.0倍以上,并且磁性基板(21)、磁性层(22)以及芯部(23、24)包含磁性金属粒子和树脂。
-
公开(公告)号:CN111383818A
公开(公告)日:2020-07-07
申请号:CN201911354424.7
申请日:2019-12-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F17/00 , H01F27/255 , H01F27/34 , H01G4/38 , H01G4/40
Abstract: LC复合部件(1)具备:非磁性基板(21);具有磁性的磁性层(22);电容器(13~16);电感器(11、12、17);以及具有磁性的芯部(23、24)。非磁性基板(21)具有第一面(21a)和与第一面相对的第二面(21b)。磁性层(22)以与非磁性基板(21)的第一面(21a)相对的方式配置。电感器(11、12、17)以及电容器(13~16)配置于非磁性基板(21)的第一面(21a)与磁性层(22)之间。芯部(23、24)配置于非磁性基板(21)的第一面与磁性层(22)之间并且连接于磁性层(22)。在垂直于非磁性基板(21)的第一面(21a)的方向,芯部(23、24)的厚度是相对于磁性层(22)的厚度的1.0倍以上,并且磁性层(22)以及芯部(23、24)包含磁性金属粒子和树脂。
-
-
公开(公告)号:CN105453196B
公开(公告)日:2017-12-22
申请号:CN201480044345.5
申请日:2014-08-08
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F1/059 , B22F1/0003 , B22F2301/35 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C38/00 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/008 , C22C38/02 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/16 , H01F1/0577 , H01F41/0293 , H02K1/02 , H02K1/2706 , B22F3/087 , B22F2202/05 , B22F3/1007 , B22F2201/20 , B22F9/023 , B22F9/04 , B22F3/1028
Abstract: 本发明提供一种具有优异的耐腐蚀性,并且兼具良好的磁特性的R‑T‑B系烧结磁铁。该R‑T‑B系烧结磁铁的特征在于,该R‑T‑B系烧结磁铁具有R2T14B晶粒,在由相邻的2个以上的上述R2T14B晶粒形成的晶界中具有R‑Cu‑M‑C浓缩部,相比上述R2T14B晶粒内,上述R‑Cu‑M‑C浓缩部的R(R为选自Sc、Y和镧系元素中的至少1种)、Cu、M(M为选自Ga、Si、Sn、Ge、Bi中的至少1种)、C的浓度都更高。
-
公开(公告)号:CN101754938A
公开(公告)日:2010-06-23
申请号:CN200880100035.5
申请日:2008-07-18
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H05K1/0306 , C04B35/20 , C04B35/6262 , C04B35/62655 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3409 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , H01L23/15 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H05K2201/068 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供陶瓷基板及其制造方法以及电介质瓷器组合物,本发明的陶瓷基板的热膨胀系数α大、并具有适合于高频基板的特性、能够低温烧成,以及基板强度出色。陶瓷基板含有Mg2SiO4以及低温烧成成分作为主要组成,热膨胀系数α为9.0ppm/℃以上,并含有大于0且25体积%以下的ZnAl2O4、或者大于0且7体积%以下的Al2O3。本发明的电介质瓷器组合物能够在比Ag类金属的熔点更低的温度下进行烧成,而且即使是在低烧成温度下也能够获得充分的抗折强度。电介质瓷器组合物含有Mg2SiO4作为主成分,并且含有锌氧化物、硼氧化物、碱土类金属氧化物、铜化合物以及锂化合物作为副成分。
-
公开(公告)号:CN1294098A
公开(公告)日:2001-05-09
申请号:CN00133168.X
申请日:2000-10-27
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/2625 , C04B35/265 , H01F1/344
Abstract: 本发明可以提供一种以7.3~23.0mol%氧化镁、7.0~20.0 mol%氧化铜、19.0—24.2mol%氧化锌、48.5—50.3mol%氧化铁作为实质性主成分而构成的MgCuZn类铁氧体烧结体,其平均粒径在1.10—7.30μm的范围内,粒度分布的标准偏差σ在0.60~10.00的范围内,从而可以使用廉价材料制得一种在频率50MHz以上时的阻抗值高并能高效地阻断辐射噪声的铁氧体烧结体。
-
-
-
-
-