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公开(公告)号:CN105647245A
公开(公告)日:2016-06-08
申请号:CN201610053723.7
申请日:2016-01-27
Applicant: 柳州豪祥特科技有限公司
CPC classification number: C09D1/00 , B05D3/0254 , B05D3/107 , B05D7/04 , B05D2201/02 , B05D2601/20 , C09D7/63
Abstract: 本发明涉及隔热涂料的加工领域,具体是纳米ATO隔热有机涂层的制备工艺,包括向纳米ATO粉末中加入乙醇配制成浆料;将搅拌均匀的浆料通过喷嘴由上向下垂直喷射至高速旋转的滚轮表面;滚轮将浆料甩向一侧的雾化室;向雾化室内通入高压惰性气体撞击浆料液滴;从雾化室上侧回收惰性气体,从雾化室下侧收集ATO浆料;向收集的ATO浆料中加入乙醇和硅烷偶联剂,并搅拌均匀后静置,得到ATO隔热涂料。本发明将喷射的ATO浆料通过旋转滚轮的离心力打碎,再通过高速惰性气体撞击,破坏了浆料中ATO粒子的团聚,提高了ATO浆料的分散效果;同时通过乙醇、硅烷偶联剂ATO浆料制得ATO隔热复合有机涂料,再将涂料淋涂后氟化处理,不仅隔热性能较好,而且疏水性能强。
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公开(公告)号:CN103889596B
公开(公告)日:2016-04-27
申请号:CN201280052656.7
申请日:2012-10-04
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: B05D7/24 , B05D3/10 , C09D183/04 , C09D201/10
CPC classification number: B05D3/107 , B05D1/36 , B05D2203/35 , C03C17/30 , C03C17/3405 , C03C2217/76 , C07F7/10 , C07F7/12 , C07F7/1804 , C09D183/08
Abstract: 本发明提供一种在制造具有被膜的带被膜的基板的方法中,在确保使用的被膜形成用组合物的贮藏稳定性的同时,能够实现简便、高生产效率、及基板无劣化、外观良好、具有高耐久性的带被膜的基板的制造的方法。带被膜的基板的制造方法是制造在基板上具有被膜的带被膜的基板的方法,其包括:制备包含具有能水解的官能团的硅烷化合物、实质上不含水解反应催化剂的被膜形成用组合物的工序;在基板上涂布上述被膜形成用组合物而形成涂膜的工序;将上述涂膜干燥而制成前体膜的工序;以及利用包含水解反应催化剂作为主成分的处理剂处理上述前体膜的表面的工序。
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公开(公告)号:CN105246793A
公开(公告)日:2016-01-13
申请号:CN201480030447.1
申请日:2014-05-01
Applicant: 凸版印刷株式会社
CPC classification number: C09D167/00 , B05D3/02 , B05D3/10 , B05D3/107 , B32B7/02 , B32B7/04 , B32B7/10 , B32B7/12 , B32B15/08 , B32B15/09 , B32B27/08 , B32B27/18 , B32B27/26 , B32B27/306 , B32B27/36 , B32B27/40 , B32B2250/05 , B32B2255/10 , B32B2255/26 , B32B2255/28 , B32B2307/7242 , B32B2307/7244 , B32B2307/7246 , B32B2311/00 , B32B2367/00 , B32B2375/00 , B32B2439/00 , B32B2439/70 , B32B2439/80 , C08J7/047 , C08J7/08 , C08J2367/00 , C08J2367/02 , C08J2375/06 , C08J2433/00 , C08J2475/04 , C08K3/18 , C08K3/20 , C08K3/22 , C08K5/0025 , C08K5/29 , C08K5/54 , C08K5/541 , C08K5/544 , C08K5/5465 , C08K5/548 , C09D133/02 , C09D175/04 , C09D175/06 , C09D175/14 , C09J133/00 , C09J133/02 , C09J133/066 , C09J175/04 , Y10T428/1379 , Y10T428/31551 , Y10T428/31605 , Y10T428/31786
Abstract: 一种阻气性包装材料,其具有:支持体,层叠在所述支持体上的粘接层,层叠在所述粘接层上的第1阻挡层,层叠在所述第1阻挡层上的第2阻挡层,以及层叠在所述第2阻挡层上的保护层,该保护层由含有多价金属化合物、聚酯系树脂、以及分散剂的涂液形成,所述分散剂为聚羧酸系树脂的钠盐,其中,相对于100重量%的所述保护层,含有40重量%至90重量%的所述多价金属化合物,并且在将所述第2阻挡层分离并通过透过法测定分离后的第2阻挡层的红外线吸收光谱时,1490cm-1至1659cm-1范围内的最大峰高α与1660cm-1至1750cm-1范围内的最大峰高β之比α/β小于1。
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公开(公告)号:CN105118871A
公开(公告)日:2015-12-02
申请号:CN201510430027.9
申请日:2011-07-21
Applicant: 匹兹堡高等教育联邦体系大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/052 , G02B5/18 , B82Y20/00
CPC classification number: G02B27/12 , B05D3/107 , B05D5/06 , B82Y20/00 , G02B5/008 , G02B5/1861 , G02B2207/101 , H01L31/022425 , H01L31/0543 , Y02E10/52
Abstract: 本发明涉及一种垂直偶极子阵列结构,其包括支持膜的衬底,该膜不是由负折射率超材料组成。该膜包括多个倾斜取向的部分和孔径。至少两个倾斜取向的部分由孔径隔开,且倾斜取向的部分被配置成使得入射辐射重定向成负或正折射方向。
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公开(公告)号:CN103439839B
公开(公告)日:2015-12-02
申请号:CN201310339744.1
申请日:2013-08-06
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC: G02F1/1343
CPC classification number: C23C16/44 , B05D1/02 , B05D1/08 , B05D1/10 , B05D3/105 , B05D3/107 , B05D5/00 , B05D7/50 , B05D7/52 , B05D7/56 , C23C4/00 , C23C4/06 , C23C4/10 , C23C4/11 , C23C4/12 , C23C4/123 , C23C4/129 , C23C4/18 , C23C14/00 , C23C14/021 , C23C14/024 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/082 , C23C14/083 , C23C14/085 , C23C14/086 , C23C14/087 , C23C14/088 , C23C14/22 , C23C14/34 , C23C14/5873 , C23C16/00 , C23C16/40 , C23C16/401 , C23C16/402 , C23C16/403 , C23C16/404 , C23C16/405 , C23C16/406 , C23C16/407 , C23C16/408 , C23C16/409 , C23C16/56 , G02F1/13439 , G02F2001/1316 , Y10T428/24752
Abstract: 本发明提供一种形成膜层的方法和基板,属于膜层制备技术领域,其可解决现有的形成膜层方法易出现膜层不良的问题。本发明的形成膜层的方法包括在基板上形成第一层膜;对所述第一层膜进行第一次清洗;在所述第一层膜上形成第二层膜,所述第二层膜的材料与第一层膜的材料相同;对所述第二层膜进行第二次清洗。本发明的基板包括由上述形成膜层的方法制得的膜层。本发明可用于提升膜层品质。
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公开(公告)号:CN103339291B
公开(公告)日:2015-07-08
申请号:CN201280008118.8
申请日:2012-02-08
Applicant: 大日本印刷株式会社
Inventor: 永田昌博
CPC classification number: C23C30/00 , B05D3/107 , C23F1/44 , C25D3/48 , C25D5/022 , C25D5/10 , C25D5/36 , Y10T428/12361 , Y10T428/12389 , Y10T428/12889
Abstract: 对不锈钢基板形成部分镀金图案的方法具有第1镀层工序、第2镀层工序以及剥离工序,在第1镀层工序,在对具有相对的主平面和由与该主平面不同的面构成的加工部位的不锈钢基板实施预处理之后,使用盐酸镀液,在整面形成第1镀金层,在第2镀层工序,利用掩模镀层而在覆盖加工部位的第1镀金层上以期望的图案形成第2镀金层,在剥离工序,使用碱类剥离液,剥离除去不存在第2镀金层的区域的第1镀金层。
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公开(公告)号:CN104254579A
公开(公告)日:2014-12-31
申请号:CN201380010099.7
申请日:2013-01-10
Applicant: 哈佛学院院长等
CPC classification number: A61L33/04 , A61L29/06 , A61L29/08 , A61L29/14 , A61L33/0041 , A61L33/0094 , A61L2400/18 , A61L2420/02 , A61L2420/06 , B05D1/60 , B05D3/107 , B05D5/086 , B05D7/02 , C09D5/1656 , C09D5/1693 , C08L83/04
Abstract: 本文公开了用于使表面改性以具有液体排斥性的制品、其制造方法以及用途。液体排斥表面包括表面,所述表面包括锚固层。在所述表面上形成固定分子锚固层的锚固层具有共价地连接至或吸附到所述表面和官能团上的头基。所述处理表面的官能团对涂覆至所述处理表面的润滑层具有亲和力。所述锚固层和可补充的润滑层通过非共价吸引力来保持在一起。总之,这些层形成排斥某些不混溶液体并防止所述不混溶液体内含有的组分的吸附、凝固以及表面污损的超排斥光滑表面。
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公开(公告)号:CN104093500A
公开(公告)日:2014-10-08
申请号:CN201380006248.2
申请日:2013-01-09
Applicant: 加布里埃尔.李普曼公共研究中心
Inventor: D.莱诺布尔
CPC classification number: B05D1/34 , B05B1/14 , B05D1/02 , B05D1/60 , B05D3/0493 , B05D3/107 , C08J7/047 , C08J7/16 , H01J2237/332
Abstract: 本发明涉及在基底(1)上形成聚合物涂层的方法。该方法包括以下步骤:在抽空的反应室(3)中提供具有待涂布的表面(2)的基底(1);提供聚合物形成物质(6)的第一来源(5)和自由基(8)的第二来源(7)。根据本发明,第一来源(5)和第二来源(7)彼此分离且与反应室(3)分离,聚合物形成物质(6)以及自由基(8)至少临时在同时期但是空间分离地传输到基底表面(2),由此避免聚合物形成物质(6)与自由基(8)在到达基底表面(2)之前就发生反应。此外,本发明涉及实施根据本发明的方法的装置(100)。
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公开(公告)号:CN104069748A
公开(公告)日:2014-10-01
申请号:CN201410112607.9
申请日:2014-03-25
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司
CPC classification number: B01D71/56 , B01D69/125 , B05D1/34 , B05D1/36 , B05D3/107
Abstract: 复合聚酰胺膜的制造方法,所述方法包括向多孔载体的表面施加多官能胺单体和多官能酰卤单体并且界面聚合所述单体以形成薄膜聚酰胺层的步骤,并且其中所述方法特征在于:i)在包含至少一个磺酰卤官能团的芳族酸酐单体存在下进行界面聚合,或ii)向所述薄膜聚酰胺层施加所述芳族酸酐单体。
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公开(公告)号:CN103931030A
公开(公告)日:2014-07-16
申请号:CN201180074809.3
申请日:2011-11-10
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01M4/587 , H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/052 , H01M10/058
CPC classification number: H01M4/366 , B05D3/007 , B05D3/10 , B05D3/107 , H01M4/0447 , H01M4/0471 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/1391 , H01M4/485 , H01M4/502 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/587 , H01M4/62 , H01M4/628 , H01M10/049 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/0567 , H01M10/446 , H01M2004/021 , H01M2004/027 , Y02T10/7011 , H01M4/582
Abstract: 本发明提供能够在抑制初期性能的恶化的同时,提高充放电循环特性或高温保存耐久特性等耐久性的锂离子二次电池及其制造方法。本发明的锂离子二次电池是具有电极的锂离子二次电池,所述电极是具备含有活性物质的电极层的正极或负极,活性物质表面的至少一部分用低离子结合性的卤化锂(X)被覆,该低离子结合性的卤化锂(X)在Li-XAFS测定中的60eV附近的峰强度P1与70eV附近的峰强度P2的峰强度比P1/P2小于2.0。
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