半导体材料及其制造方法
    31.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101208450A

    公开(公告)日:2008-06-25

    申请号:CN200680022847.3

    申请日:2006-05-12

    Abstract: 一种用于半导体器件中的包含金属氧化物的粒子的制造方法,包括以下步骤:在由氧气和燃料成分的混合物产生的火焰中加热包含金属的粒子,该燃料成分包含至少一种选自氢气和碳氢化合物的可燃烧气体,该氧气以不少于相对于燃料成分的化学计量量以下10摩尔%并且不多于该化学计量量以上60摩尔%的比例存在于混合物中,以至少在粒子的外壳中氧化金属;通过将氧化的粒子馈送到液体或可升华的固体介质中将它们冷却;收集冷却的氧化的粒子;和提供至少300mm的在粒子进入火焰和收集粒子之间的距离。这样,这些粒子可被氧化以提供保持金属的芯部不被氧化的金属氧化物材料的外壳。可通过以下步骤形成衬底上的这些粒子的半导电层:向热区域馈送这种预氧化的包含金属的粒子;在热区域中加热包含金属的粒子以使得粒子至少部分熔融;和将至少部分熔融状态的粒子淀积到衬底上。以上氧化过程可被用于提供金属氧化物粒子,在这些金属氧化物粒子中,具有不同的各个化合价的不同的各种金属以不同的各个摩尔比例存在。化合价和摩尔比例可被选择以提供n或p型半导体层。

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