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公开(公告)号：CN103889887A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280042820.6
申请日：2012-08-31
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor： 罗伯托·彼得勒斯·范-卡普恩 , 迈克·雷诺 , 维克拉姆·乔希 , 理查德·L·奈普 , 阿奈兹·乌纳穆诺
CPC classification number: B81B7/00 , B81B2201/016 , B81B2203/0307 , B81C1/00039 , B81C2203/0136 , H01G5/16 , H01H59/0009 , Y10T29/49105
Abstract: 本发明的实施例通常涉及一种使用进行沉积以形成空腔密封层的层和/或进行沉积以形成释放电极的层而被锚固的MEMS装置。MEMS装置的开关元件会具有柔性部分或可移动部分，还会具有电连接到接地的固定部分或锚固部分。用于密封其中设置有开关元件的空腔的层还可以连接到开关元件的固定部分或锚固部分，以在空腔内对固定部分或锚固部分进行锚固。另外，用于形成电极之一的层可以用于提供在空腔内对固定部分或锚固部分进行锚固的另外的杠杆。在任一情况下，都不妨碍柔性部分或可移动部分的移动。
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公开(公告)号：CN103718304A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201280026057.8
申请日：2012-06-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/84
CPC classification number: B81B3/001 , B81B3/0021 , B81B3/0059 , B81B3/0072 , B81B7/0006 , B81B7/008 , B81B2201/016 , B81B2203/0163 , B81C1/00015 , B81C1/0015 , B81C1/00476 , G06F17/5045 , H01L41/094 , H01L41/1134 , H01L41/1138 , Y10T29/49002 , Y10T29/49005 , Y10T29/4908 , Y10T29/49121
Abstract: 提供微机电系统（MEMS）结构、制造方法和设计结构。形成MEMS结构的方法包括在基板（10）上形成配线层（14），包括致动器电极（115）和接触电极（110）。该方法还包括在配线层（14）上方形成MEMS梁（100）。该方法还包括形成附着到MEMS梁（100）的至少一端的至少一个弹簧（200）。该方法还包括在配线层（14）和MEMS梁（100）之间形成微型凸块（105’）的阵列。
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公开(公告)号：CN103477405A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201180069633.2
申请日：2011-03-29
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 丰田治
CPC classification number: F03G7/065 , B81B3/0072 , B81B3/0086 , B81B2201/016 , B81B2201/0221 , C25D7/00 , H01G5/16 , H01H59/0009 , H01H2001/0084 , H01L41/0926 , H01L41/0933 , H01L41/0973 , H01L41/318 , H02N1/006
Abstract: 电子设备及其制造方法中，抑制电子设备的电特性随着周围的温度变化而变动。所述电子设备具备绝缘性基板（31）、形成于绝缘性基板（31）上的电极（33）、和设置于电极（33）的上方并利用由该电极（33）产生的静电力而弯曲的可弹性变形的可动上部电极（34），可动上部电极包含形状记忆合金膜（38）。
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公开(公告)号：CN102015523B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200980114990.9
申请日：2009-03-13
Applicant: 罗伯特.博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/016 , B81B2201/0264 , B81C1/00666 , H01H59/0009
Abstract: 用于制造微机械的元件的方法，其中对至少具有金属层(3、6、7、7’)以及包含SiGe的牺牲层(5、5’)的基底(1)进行结构化，并且其中还通过用含氟的化合物例如ClF3进行的蚀刻至少部分地再去除所述牺牲层(5、5’)，其中，在蚀刻所述牺牲层(5、5’)之前，将带有所述牺牲层(5、5’)和所述金属层(3、6、7、7’)的所述基底(1)在≥100℃到≤400℃的温度下进行回火。所述金属层(3、6、7、7’)的材料可以包括铝。此外，本发明涉及一种包括金属层(3、6、7、7’)的微机械的元件，其中所述金属层的材料以多晶的组织存在，并且其中≥90％的晶粒具有≥1μm到≤100μm的尺寸，并且将这种微机械的元件用作压力传感器、高频开关或者变容二极管。
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公开(公告)号：CN101273456B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200680035573.1
申请日：2006-09-27
IPC: H01L27/115 , H01L21/8246 , H01L41/00 , B81B3/00 , H01L27/12 , G11C13/02 , H01L21/336 , H01L27/06 , G11C11/00 , H01L29/788 , H01L27/10 , G11C23/00 , H01L21/8247 , H01L51/00
CPC classification number: H01L27/115 , B81B3/0072 , B81B2201/016 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C13/025 , G11C23/00 , G11C2213/14 , G11C2213/17 , G11C2213/77 , H01H9/547 , H01H59/0009 , H01H61/0107 , H01L21/28273 , H01L27/112 , H01L29/66825 , H01L29/785
Abstract: 具有双稳态位置的纳米机械装置，用于形成开关和存储器装置。所述装置可驱动至不同的位置，可连接到不同配置中的晶体管装置，以提供存储器装置。驱动机制包括静电方法和加热。在一个形式中，所述机械装置形成场效应晶体管的栅极，参见图2A。在另一形式中，所述装置可以是开关，开关可以不同的方式连接晶体管，当导通和断开时影响其电子特性。在一个实施例中，所述存储器开关包括用可拉长的或可压缩的膜形成，参见图5B。交叉点开关由多个交叉的导电的导体的列和行形成，参见图11A。可驱动开关位于列和行的各个交叉点之间，使得各个交叉点可单独地访问。基于侧壁的开关可连接晶体管的浮栅(823)，参见图8B。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100525090C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN02819241.9
申请日：2002-09-27
Applicant: 英特尔公司
IPC: H03H3/013
CPC classification number: B81B3/0078 , B81B2201/016 , B81B2203/019 , H03H3/0077 , H03H9/2463
Abstract: 本发明描述了一种微机电(MEM)谐振器，包括衬底、耦合到所述衬底的微桥梁结构以及至少一个电极，所述电极邻近所述微桥梁结构被布置，以引起所述梁的振动。所述微桥梁结构包括支撑部分和形成在所述支撑部分之间的梁。所述梁的中心区域的质量小于邻近所述支撑部分的所述梁的区域的质量。
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公开(公告)号：CN101273456A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200680035573.1
申请日：2006-09-27
IPC: H01L27/115 , H01L21/8246 , H01L41/00 , B81B3/00 , H01L27/12 , G11C13/02 , H01L21/336 , H01L27/06 , G11C11/00 , H01L29/788 , H01L27/10 , G11C23/00 , H01L21/8247 , H01L51/00
CPC classification number: H01L27/115 , B81B3/0072 , B81B2201/016 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C13/025 , G11C23/00 , G11C2213/14 , G11C2213/17 , G11C2213/77 , H01H9/547 , H01H59/0009 , H01H61/0107 , H01L21/28273 , H01L27/112 , H01L29/66825 , H01L29/785
Abstract: 具有双稳态位置的纳米机械装置，用于形成开关和存储器装置。所述装置可驱动至不同的位置，可连接到不同配置中的晶体管装置，以提供存储器装置。驱动机制包括静电方法和加热。在一个形式中，所述机械装置形成场效应晶体管的栅极，参见图2A。在另一形式中，所述装置可以是开关，开关可以不同的方式连接晶体管，当导通和断开时影响其电子特性。在一个实施例中，所述存储器开关包括用可拉长的或可压缩的膜形成，参见图5B。交叉点开关由多个交叉的导电的导体的列和行形成，参见图11A。可驱动开关位于列和行的各个交叉点之间，使得各个交叉点可单独地访问。基于侧壁的开关可连接晶体管的浮栅(823)，参见图8B。
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公开(公告)号：CN100343949C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200410069883.8
申请日：2004-07-15
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01H59/0009 , B81B2201/016 , B81B2203/0127 , B81C1/00142 , B81C2201/0109
Abstract: 一种用于制造微开关元件的方法。该开关包括一衬底、两个固定到衬底的支撑构件、以及一桥接在支撑构件之间的活动梁。该梁包括一隔膜，一活动接触电极以及一活动驱动电极，活动接触电极和活动驱动电极都设置在隔膜上。该开关元件也包括一对面向活动接触电极的固定接触电极、以及一固定驱动电极，其与活动驱动电极一起用于产生静电力。该方法包括在衬底上制造牺牲层的步骤、在牺牲层上制造隔膜的步骤、以及通过隔膜介入蚀刻牺牲层的步骤，以便在衬底和隔膜之间牺牲层的剩余部分形成为支撑构件。
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公开(公告)号：CN1309019C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN02821161.8
申请日：2002-11-07
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/20
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B2201/016 , B81B2201/018 , B81B2203/0127 , B81B2207/07 , B81C1/00611 , B81C2201/0122 , B81C2203/0735 , H01G5/40 , H01H59/0009
Abstract: 一种制造微电子机械开关(MEMS)的方法，使用开始于在介质(150)内镶嵌由金属导体构成的铜镶嵌互连层的工艺。所有或部分互连凹陷直到当开关处于关闭状态时足够提供容性空气隙的程度，以及提供例如Ta/TaN保护层用空间。在开关限定的区域内限定的金属结构用作致动电极，以下拉可移动梁(160)并提供至少一个路径用于开关信号通过。这种空气隙的优点在于空气不会出现可引起可靠性和电压漂移问题的电荷存储或俘获。替代凹陷电极以提供间隙，可以正好在电极上或电极周围增加介质。下一层是另一电介质层，其淀积到在形成开关器件的可移动梁(160)之间形成间隙的所需厚度。穿过该电介质层制造通孔以在金属互连层和还将包括可移动梁的下一个金属层之间提供连接。接着构图和蚀刻通孔层以提供包含下致动电极和信号路径的空腔区。接着用牺牲释放材料回填充空腔。
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公开(公告)号：CN1661769A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200410069883.8
申请日：2004-07-15
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01H59/0009 , B81B2201/016 , B81B2203/0127 , B81C1/00142 , B81C2201/0109
Abstract: 一种用于制造微开关元件的方法。该开关包括一衬底、两个固定到衬底的支撑构件、以及一桥接在支撑构件之间的活动梁。该梁包括一隔膜，一活动接触电极以及一活动驱动电极，活动接触电极和活动驱动电极都设置在隔膜上。该开关元件也包括一对面向活动接触电极的固定接触电极、以及一固定驱动电极，其与活动驱动电极一起用于产生静电力。该方法包括在衬底上制造牺牲层的步骤、在牺牲层上制造隔膜的步骤、以及通过隔膜介入蚀刻牺牲层的步骤，以便在衬底和隔膜之间牺牲层的剩余部分形成为支撑构件。
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