公开(公告)号：CN102325719A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN200980157420.8

申请日：2009-12-18

Applicant: 3M创新有限公司

Inventor： 莫塞斯·M·大卫 ,  安德鲁·K·哈策尔 ,  蒂莫西·J·赫布林克 ,  余大华 ,  张俊颖

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81B2201/047 ,  B81B2203/0361 ,  G02B1/118 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明提供了一种纳米结构化制品，其包括基质和纳米级分散相。纳米结构化制品具有无规纳米结构化各向异性表面。

公开(公告)号：CN101276053B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200810090311.6

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 壶井修 ,  高马悟觉 ,  曾根田弘光 ,  奥田久雄 ,  水野义博 ,  松本刚

IPC: G02B26/10 ,  G02B26/08 ,  B81B7/02 ,  B81B3/00

CPC classification number: G02B26/0841 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/033 ,  B81B2201/047

Abstract: 本发明提供一种微振荡器件及微振荡器件阵列，该微振荡器件包括框架、振荡部件以及连接部件，其中该振荡部件包括用以施加参考电位的第一驱动电极，该连接部件用以将该框架和该振荡部件彼此连接，该连接部件定义了该振荡部件的振荡运动轴。第二驱动电极，固定至该框架并与该第一驱动电极协作以产生用于该振荡运动的驱动力。该第一驱动电极包括第一端延伸部和第二端延伸部，该第一端延伸部和第二端延伸部彼此隔离，并在与该轴交叉的方向上延伸。该第二驱动电极处于该第一和第二端延伸部之间的一隔离距离之内。

公开(公告)号：CN102141679A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201110053331.8

申请日：2005-09-12

Applicant: 高通MEMS科技公司

Inventor： 洛朗·帕尔玛蒂尔 ,  威廉·J·卡明斯 ,  布莱恩·J·加利 ,  马克·W·迈尔斯 ,  杰弗里·B·桑普塞尔 ,  克拉伦斯·徐 ,  马尼什·科塔里

IPC: G02B26/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: G02B26/007 ,  B81B2201/047 ,  B81C1/00285 ,  B81C1/00333 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145 ,  G02B26/001 ,  G02B26/0825 ,  G02B26/0833

Abstract: 本发明涉及用于封装一衬底的方法及装置。本发明揭示一种用于一干涉式调制器的封装结构及封装方法。在一干涉式调制器及透明衬底上沉积一薄膜材料来囊封所述干涉式调制器。该干涉式调制器与该薄膜之间的一间隙或空腔提供一使得该干涉式调制器的机械部件可在其中移动的空间。该间隙是通过移除一沉积于该干涉式调制器上的牺牲层来形成。

公开(公告)号：CN101855586A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200880023131.4

申请日：2008-06-24

Applicant: 高通MEMS科技公司

Inventor： 克拉伦斯·徐 ,  威廉·卡明斯 ,  布莱恩·J·加利 ,  利奥尔·科格特 ,  董明皓 ,  董叶俊 ,  姜志伟 ,  丹尼斯·恩迪施

IPC: G02B26/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: G02B26/001 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/047 ,  G02B26/023 ,  G02B26/08 ,  G02F1/01 ,  G02F1/0128 ,  G02F1/133621 ,  G02F1/29 ,  G09G3/3466 ,  G09G3/3696 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明提供一种微机电(MEMS)装置(1300)，其包含衬底(20)、所述衬底(20)上的可移动元件(1340)及所述可移动元件(1340)上的激活电极(142)。所述可移动元件(1340)包含可变形层(1302)及反射元件(1314)。所述可变形层(1302)与所述反射元件(1314)间隔开。

公开(公告)号：CN100592112C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN03803717.3

申请日：2003-02-12

Applicant: 奥尔利康贸易股份公司(特吕巴赫)

Inventor： J·埃林格尔 ,  C·海涅-坎普肯斯 ,  O·齐格尔

IPC: G02B5/18 ,  G02B5/30 ,  C03B37/012 ,  B01L3/00 ,  B01D21/00

CPC classification number: G02B1/118 ,  B01D21/0012 ,  B01D39/2051 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/50273 ,  B01L3/502753 ,  B01L3/502761 ,  B01L3/502792 ,  B01L2200/0647 ,  B01L2200/0668 ,  B01L2200/141 ,  B01L2300/0681 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0825 ,  B01L2300/16 ,  B01L2400/0406 ,  B01L2400/0409 ,  B01L2400/086 ,  B81B1/002 ,  B81B2201/047 ,  B81B2201/10 ,  B81B2203/0338 ,  B81C1/00119 ,  C23C14/04 ,  C23C14/046 ,  G02B5/1809 ,  G02B5/1847 ,  G02B5/3058 ,  G02B5/3083 ,  G02B2006/12097 ,  Y10S428/913 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249961 ,  Y10T428/249975 ,  Y10T428/249977 ,  Y10T428/249979 ,  Y10T428/24998 ,  Y10T428/31678 ,  Y10T436/111666 ,  Y10T436/112499 ,  Y10T436/25375 ,  Y10T436/255

Abstract: 一种光学部件或一种分析平台，包括一个衬底、一个在衬底(3)上的微结构阵列和由相邻微结构的侧壁形成的微通道(15，15’)，微通道的宽度作为离衬底的距离的函数而变化，在至少一个距离间隔内，该宽度随离衬底的距离的增大而连续地减小。在一个用于产生这样一种部件或这样一种平台的方法中，一个具有表面微结构阵列的衬底在蒸汽处理中这样涂层，使得涂层机构的遮蔽影响使微结构侧壁上部的至少一部分宽度变窄，由此形成至少部分埋置的微通道。

公开(公告)号：CN100549754C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200610009215.5

申请日：2006-02-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 高马悟觉 ,  壶井修 ,  曾根田弘光 ,  上田知史

IPC: G02B26/08 ,  H01L21/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: G02B26/0841 ,  B81B3/0062 ,  B81B2201/033 ,  B81B2201/047 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/058

Abstract: 一种微摆动元件包括框体、可移动功能部分以及用于连接框体与可移动功能部分的扭转连接部分。微摆动元件还包括第一和第二梳齿电极，用于产生使可移动功能部分绕扭转连接部分摆动运动的驱动力。第一梳齿电极包括多个第一电极齿，每个第一电极齿具有在摆动运动方向上叠置的第一导体、绝缘体和第二导体的叠层结构，其中第一导体和第二导体相互电连接。第二梳齿电极包括多个第二电极齿，在非工作状态下，第二电极齿不面向第一电极齿的第二导体，但是面向第一导体。第二电极齿在摆动运动的方向上长于第一导体。

公开(公告)号：CN101258101A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200680030211.3

申请日：2006-08-17

Applicant: 高通MEMS科技公司

Inventor： 桂成斌 ,  笹川照夫 ,  董明豪 ,  王春明 ,  斯蒂芬·泽

IPC: B81C1/00

CPC classification number: G02B26/0841 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/047 ,  B81B2203/0163 ,  B81B2203/019 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2203/053 ,  B81C1/00142 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0167 ,  G02B26/001 ,  Y10S359/90

Abstract: 某些MEMS装置包含经图案化以具有锥形边缘的层。一种形成具有锥形边缘的层的方法包含使用蚀刻前导层。另一种形成具有锥形边缘的层的方法包含沉积其中上部部分可以比下部部分快的速率蚀刻的层。另一种形成具有锥形边缘的层的方法包含使用多个反复蚀刻。另一种形成具有锥形边缘的层的方法包含使用具有包含负角的孔的剥离掩模层，使得可在所述剥离掩模层上沉积一层并去除所述掩模层，从而留下具有锥形边缘的结构。

公开(公告)号：CN101073144A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200580042247.9

申请日：2005-12-05

Applicant: 明锐有限公司

Inventor： 杨晓 ,  陈东敏 ,  菲利普·陈

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/46

CPC classification number: B81C1/00873 ,  B81B2201/047 ,  H01L24/05 ,  H01L33/483 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种多层集成光学和电路装置具有包括至少一个集成电路芯片的第一衬底(101)，所述集成电路芯片包括单元区域(107)和周边区域(106)。优选地，周边区域具有包括具有一个或多个接合焊盘(115)的接合焊盘区域(109)和围绕所述一个或多个接合焊盘(115)中各个接合焊盘的抗粘着区域(112)。该装置具有耦合到第一衬底(101)的第二衬底(114)，第二衬底上带有至少一个或多个偏转器件(103)。将第一衬底(101)上至少一个或多个接合焊盘(115)暴露。该装置具有透明部件(201)，透明部件覆盖于第二衬底(114)上方并同时形成空腔区域以形成夹层结构，空腔区域允许所述一个或多个偏转器件(103)在部分空腔区域中运动，夹层结构包括至少部分第一衬底(101)、部分第二衬底(114)、以及部分透明部件(201)。使所述一个或多个接合焊盘(115)以及抗粘着区域(112)暴露，而将所述一个或多个偏转器件(103)保持在所述的部分空腔区域中。

公开(公告)号：CN1849547A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200480020729.X

申请日：2004-06-23

Applicant: IDC公司

Inventor： 马克·W·迈尔斯 ,  布莱恩·J·加利 ,  克拉伦斯·徐

IPC: G02B26/00

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/047 ,  B81C1/0038

Abstract: 本发明提供一种用于产生MEMS(Micro－electromechanical systems)装置的先驱薄膜堆叠(precursorfilm stack)。所述先驱薄膜堆叠包含：一载体基板、一形成于所述载体基板上的第一层、一形成于所述第一层上的一绝缘体材料的第二层和一形成于所述第二层上的一牺牲材料的第三层。

公开(公告)号：CN1821830A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610009215.5

申请日：2006-02-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 高马悟觉 ,  壶井修 ,  曾根田弘光 ,  上田知史

IPC: G02B26/08 ,  H01L21/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: G02B26/0841 ,  B81B3/0062 ,  B81B2201/033 ,  B81B2201/047 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/058

Abstract: 一种微摆动元件包括框体、可移动功能部分以及用于连接框体与可移动功能部分的扭转连接部分。微摆动元件还包括第一和第二梳齿电极，用于产生使可移动功能部分绕扭转连接部分摆动运动的驱动力。第一梳齿电极包括多个第一电极齿，每个第一电极齿具有在摆动运动方向上叠置的第一导体、绝缘体和第二导体的叠层结构，其中第一导体和第二导体相互电连接。第二梳齿电极包括多个第二电极齿，在非工作状态下，第二电极齿不面向第一电极齿的第二导体，但是面向第一导体。第二电极齿在摆动运动的方向上长于第一导体。