公开(公告)号：CN107265399A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710530493.3

申请日：2017-07-03

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 薛维佳 ,  陈倩 ,  孔祥明

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00365 ,  B81C1/00261 ,  B81C1/00349 ,  B81C2201/01 ,  B81C2201/0174

Abstract: 本发明公开了一种硅片密封腔体的制作方法，所述制作方法包括：S1、对第一硅片进行热氧化；S2、刻蚀第二硅片形成空腔；S3、将离子注入到所述第一硅片的氧化层，在离子的射程处形成离子注入层；S4、将所述第一硅片的注入面与所述第二硅片的腔体面相对，进行键合处理；S5、进行第一次热处理，增加键合强度；S6、进行第二次热处理，使所述第二硅片形成密封空腔；S7、进行第三次热处理，进一步增加所述键合强度，并使所述第二硅片的顶层硅的表面平坦化；S8、以所述顶层硅为外延种子层，生长外延层。

公开(公告)号：CN106946211A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710290496.4

申请日：2017-04-28

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 张宪民 ,  陈英皇 ,  朱本亮

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01L1/22 ,  G01L9/04

CPC classification number: B81B3/0027 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00349 ,  B81C1/00373 ,  B81C2201/01 ,  G01L1/22 ,  G01L9/04

Abstract: 本发明公开了一种梁膜机构的微机电系统压力传感器芯片及其制备方法。包括玻璃衬底、n型单晶硅元件主体、隔离层、保护层；n型单晶硅元件主体的外缘支撑在玻璃衬底的上方，n型单晶硅元件主体的中部为镂空结构，使二者之间形成密闭空腔；密闭空腔的顶壁面设有膜片感压结构；膜片感压结构分成平模层和梁膜机构层；梁膜机构层由田字形谐振梁和半岛谐振梁构成，梁膜机构具有线性度好、灵敏度高等优点。压敏电阻采用单晶硅材料，同时感压膜与压敏电阻之间设有隔离层，进一步提高了灵敏度和温度特性，克服了现有技术中由于温度过高，而导致传感器失效等缺陷。本传感器制备工艺简便易行、成本低廉，易于集成化和小型化。

公开(公告)号：CN106744653A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611006293.X

申请日：2016-11-07

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 蒋淑兰 ,  余丙军 ,  钱林茂 ,  王丰

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81C1/00 ,  B81C1/00428 ,  B81C2201/01 ,  B81C2201/0198

Abstract: 本发明公开了一种具有内孔的碳基微纳分级结构阵列及其制备方法，该结构的表面和内部分别具有纳米形貌和纳米孔道。该结构的制备方法包括以下步骤：S1、在硅基片上使用负性光刻胶进行光刻，获得光刻胶微结构阵列；S2、采用氧等离子体对光刻胶微结构阵列进行刻蚀，获得光刻胶微纳分级结构阵列；S3、在光刻胶微纳分级结构阵列的表面集成纳米薄膜；S4、在保护气体环境下，将表面集成有纳米薄膜的微纳分级结构进行热解，得到碳基微纳分级结构阵列。上述制备方法操作简单，过程可控性强，适于规模化制备；该结构兼具微结构的稳定性和纳结构有效表面积大的特点，还具有碳骨架良好的生物兼容性和导电性。

公开(公告)号：CN106348244A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610879358.5

申请日：2016-10-09

Applicant: 全普光电科技(上海)有限公司

Inventor： 汪际军

IPC: B81B7/04 ,  B81C1/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B81B7/04 ,  B81B2207/056 ,  B81C1/00373 ,  B81C1/00436 ,  B81C2201/01 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种石墨烯基纳米线复合结构及其制备方法，采用至少两种不同主族的金属化合物纳米线垂直生长于石墨烯基底上，从而确保石墨烯基底性能的前提下，提高了石墨烯基底的比表面积，以及将至少两种不同主族的金属化合物纳米线的性能与石墨烯的性能相结合，有利于石墨烯材料应用于半导体技术领域中；同时，两种不同主族的金属化合物纳米线的直径不相同，直径大的金属化合物纳米线的表面积占比大于直径小的金属化合物纳米线的表面积占比，此时，直径大的金属化合物纳米线的性能为石墨烯基纳米线复合结构的主要性能，从而通过选择调节纳米线的材料和直径，来实现石墨烯基纳米线复合结构的性能可调节性和灵活可选性。

公开(公告)号：CN106115607A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610526994.X

申请日：2016-06-30

Applicant: 杭州士兰集成电路有限公司

Inventor： 闻永祥 ,  季锋 ,  刘琛 ,  覃耀慰 ,  张小丽

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81C1/00015 ,  B81C1/00111 ,  B81C1/00912 ,  B81C2201/01

Abstract: 公开了一种MEMS器件及其制造方法。所述MEMS器件包括：基底；多晶埋层，位于所述基底上，所述多晶埋层图形化一个或多个多晶图形；牺牲层，位于所述多晶埋层上，所述牺牲层中具有空腔，所述多晶图形的至少一部分位于所述空腔内；运动质量块层，所述运动质量块层的至少一部分由所述多晶埋层支撑，所述运动质量块层包括位于所述空腔上方的运动质量块，所述运动质量块朝向所述空腔的表面具有向所述空腔突出的突点；防粘附层，位于所述多晶埋层与所述运动质量块层之间的裸露表面上。本发明能够减小运动质量块与基底和/或多晶埋层之间的接触面积，以及由于防粘附层的疏水性和低表面粘附力，可以有效地减少或防止粘连。

公开(公告)号：CN106082107A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610400892.3

申请日：2016-06-08

Applicant: 无锡微奥科技有限公司

Inventor： 陈巧 ,  孙其梁 ,  丁金玲 ,  王伟 ,  谢会开

IPC: B81B7/04 ,  B81C1/00 ,  G02B26/08

CPC classification number: B81B7/0006 ,  B81B7/04 ,  B81B2207/05 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00015 ,  B81C1/00214 ,  B81C2201/01 ,  G02B26/0866

Abstract: 一种热驱动MEMS微镜阵列器件，包括M×N个热驱动MEMS微镜单元1、布线层2和基底3，其中M、N为大于等于1的整数，热驱动MEMS微镜单元1包括镜面1‑1、驱动臂1‑2、镜框1‑3、上层PAD1‑4和器件层电引线1‑5，布线层2包括下层PAD2‑1、多层电引线2‑2和边沿PAD2‑3，驱动臂1‑2通过器件层电引线1‑5连接到上层PAD1‑4，上层PAD1‑4和下层PAD2‑1键合在一起，下层PAD2‑1通过多层电引线2‑2连接到边沿PAD2‑3上，布线层2置于基底3上，镜面1‑1通过驱动臂1‑2连接在镜框1‑3上，上层PAD1‑4置于镜框1‑3的底面，所述多层电引线2‑2包括至少一层金属层和至少一层绝缘层，驱动臂1‑2位于镜面1‑1的侧面。优点：通过直接键合多层布线的圆片和微镜阵列圆片的方式，减少了常规TSV或Bonding工序，降低了微镜阵列的引线制作的成本问题。

公开(公告)号：CN106006540A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610480948.0

申请日：2016-06-27

Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司

Inventor： 康晓旭

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B7/0009 ,  B81B7/0032 ,  B81B2207/09 ,  B81C1/00261 ,  B81C1/00317 ,  B81C2201/01

Abstract: 本发明提供了一种防串扰的红外探测器像元结构及其制备方法，包括位于一硅衬底上，其具有红外探测结构，位于红外探测结构下方的硅衬底表面具有底部反射层，底部反射层的边缘具有凸起；底部反射层用来反射入射光，凸起用来反射进入到像元结构侧面的入射光，从而有效的避免入射光进入其它像元结构中而引起像元之间的串扰。

公开(公告)号：CN105466405A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201610008727.3

申请日：2016-01-07

Applicant: 东南大学

Inventor： 夏敦柱 ,  高海钰

IPC: G01C19/56 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01C19/56 ,  B81B7/0006 ,  B81B7/0058 ,  B81C1/00015 ,  B81C1/00269 ,  B81C2201/01

Abstract: 本发明公开一种混合式半球谐振微陀螺仪，属于微机电和惯性导航领域，其由上而下依次设置的上层玻璃衬底、电极层、硅结构层和下层玻璃衬底；其中，在上层玻璃衬底、电极层和硅结构层的中心设有圆形腔体，半球壳谐振子设置在圆形腔体中；半球壳谐振子通过支撑柄固定在硅结构层上；电极层包括配合使用的电极和外围锚点结构，在上层玻璃衬底设有配合电极使用的电极孔和小焊盘，小焊盘均布在上层玻璃衬底的边缘，小焊盘分别通过金属引线与上层玻璃衬底中的电极孔相连；本发明还公开了一种混合式半球谐振微陀螺仪的加工工艺。本发明的陀螺仪将结构层和玻璃衬底进行阳极键合的同时完成了真空封装，减少了工艺步骤；本发明的加工工艺，降低了加工成本。

公开(公告)号：CN105439074A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510991895.4

申请日：2015-12-24

Applicant: 杭州士兰微电子股份有限公司 ,  杭州士兰集成电路有限公司

Inventor： 季锋 ,  闻永祥 ,  刘琛 ,  孙伟

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0009 ,  B81C1/00349 ,  B81C1/00388 ,  B81C2201/01

Abstract: 本发明提供了一种空腔薄膜及其制造方法，所述方法包括：提供第一掺杂浓度的N型硅片；在所述第一掺杂浓度的N型硅片表面形成第二掺杂浓度的第一N型层，所述第二掺杂浓度高于第一掺杂浓度；通过电化学腐蚀工艺使第二掺杂浓度的第一N型层变成第一多孔硅层；通过外延生长工艺在所述第一掺杂浓度的N型硅片上生长单晶硅层，形成第一掺杂浓度的第一N型空腔隔膜；在所述第一掺杂浓度的第一N型空腔隔膜中形成多个通孔，所述多个通孔露出部分第一多孔硅层；通过腐蚀工艺使所述第一多孔硅层变成第一空腔；通过外延生长工艺形成单晶硅层，密闭所述多个通孔。从而与CMOS工艺兼容，可实现SON器件与薄膜传感器的集成；制造工艺简单，对设备要求低。

公开(公告)号：CN105366634A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510684734.0

申请日：2015-10-20

Applicant: 天津大学

Inventor： 梁存满 ,  王福军 ,  田延岭 ,  张大卫

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: B81C1/00015 ,  B81C2201/01 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/78631 ,  H01L2224/7892

Abstract: 本发明公开了一种压电驱动双臂式高速引线线夹，该线夹是采用板材线切割一体成型的，包括基体，在所述基体的一侧形成有前后对称的两个平行四边形机构和一个桥型位移放大机构；在所述桥型位移放大机构内设有压电陶瓷驱动器，所述平行四边形机构设有输出端和输入端，在所述平行四边形机构的输出端上形成有与其垂直的连接梁，在所述连接梁远离所述基体的端部上形成有钳口；所述桥型位移放大机构的输出端与位于其外侧的所述平行四边形机构的输入端通过柔性铰链Ⅲ连接。本发明体积小、结构紧凑、夹紧力稳定可靠、制造成本低，具有较大的位移放大倍数，能够实现夹持力测量与反馈，能够适用于引线键合封装设备。