公开(公告)号：US20080057675A1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：US11842104

申请日：2007-08-20

Applicant: Francois Henley ,  Nathan Cheung

Inventor： Francois Henley ,  Nathan Cheung

IPC: H01L21/46

CPC classification number: H01L21/67092 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0191 ,  B81C2201/0192 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/304 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/7813

Abstract: A technique for forming a film of material (12) from a donor substrate (10). The technique has a step of forming a stressed region in a selected manner at a selected depth (20) underneath the surface. An energy source such as pressurized fluid is directed to a selected region of the donor substrate to initiate a controlled cleaving action of the substrate (10) at the selected depth (20), whereupon the cleaving action provides an expanding cleave front to free the donor material from a remaining portion of the donor substrate.

Abstract translation: 一种用于从供体衬底（10）形成材料（12）的膜的技术。 该技术具有以选定的方式在表面下方的选定深度（20）处形成应力区域的步骤。 诸如加压流体的能量源被引导到供体基底的选定区域，以在所选择的深度（20）处引发基底（10）的受控切割作用，因此所述切割动作提供扩张切割前缘以释放供体 来自供体衬底的剩余部分的材料。

公开(公告)号：US20070123013A1

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：US11627924

申请日：2007-01-26

Applicant: FRANCOIS HENLEY ,  Nathan Cheung

Inventor： FRANCOIS HENLEY ,  Nathan Cheung

IPC: H01L21/425

CPC classification number: H01L21/187 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0191 ,  B81C2201/0192 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/304 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/7813 ,  Y10S117/915 ,  Y10S156/93 ,  Y10S438/974 ,  Y10S438/977 ,  Y10T156/11 ,  Y10T156/1158 ,  Y10T156/19 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24893 ,  Y10T428/249956

Abstract: A technique for forming a film of material (12) from a donor substrate (10). The technique has a step of introducing energetic particles (22) through a surface of a donor substrate (10) to a selected depth (20) underneath the surface, where the particles have a relatively high concentration to define a donor substrate material (12) above the selected depth. An energy source is directed to a selected region of the donor substrate to initiate a controlled cleaving action of the substrate (10) at the selected depth (20), whereupon the cleaving action provides an expanding cleave front to free the donor material from a remaining portion of the donor substrate.

公开(公告)号：US20060141747A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：US11281042

申请日：2005-11-16

Applicant: Francois Henley ,  Nathan Cheung

Inventor： Francois Henley ,  Nathan Cheung

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/425

CPC classification number: H01L21/187 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0191 ,  B81C2201/0192 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/304 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/7813 ,  Y10S117/915 ,  Y10S156/93 ,  Y10S438/974 ,  Y10S438/977 ,  Y10T156/11 ,  Y10T156/1158 ,  Y10T156/19 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24893 ,  Y10T428/249956

Abstract: A technique for forming a film of material (12) from a donor substrate (10). The technique has a step of introducing energetic particles (22) through a surface of a donor substrate (10) to a selected depth (20) underneath the surface, where the particles have a relatively high concentration to define a donor substrate material (12) above the selected depth. An energy source is directed to a selected region of the donor substrate to initiate a controlled cleaving action of the substrate (10) at the selected depth (20), whereupon the cleaving action provides an expanding cleave front to free the donor material from a remaining portion of the donor substrate.

Abstract translation: 一种用于从供体衬底（10）形成材料（12）的膜的技术。 该技术具有将能量粒子（22）通过供体衬底（10）的表面引入到表面下方的选定深度（20）的步骤，其中颗粒具有相对较高的浓度以限定施主衬底材料（12） 高于所选深度。 能量源被引导到供体基底的选定区域，以在所选择的深度（20）处引发基底（10）的受控切割作用，因此，所述切割动作提供了扩张切割前沿，从而将供体材料从剩余的 部分供体基质。

公开(公告)号：US06486041B2

公开(公告)日：2002-11-26

申请号：US09790026

申请日：2001-02-20

Applicant: Francois J. Henley ,  Nathan W. Cheung

Inventor： Francois J. Henley ,  Nathan W. Cheung

IPC: H01L2130

CPC classification number: H01L21/26506 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0191 ,  B81C2201/0192 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/76254

Abstract: A technique for forming a film of material (12) from a donor substrate (10). The technique has a step of forming a stressed region in a selected manner at a selected depth (20) underneath the surface. An energy source such as pressurized fluid is directed to a selected region of the donor substrate to initiate a controlled cleaving action of the substrate (10) at the selected depth (20), whereupon the cleaving action provides an expanding cleave front to free the donor material from a remaining portion of the donor substrate.

Abstract translation: 一种用于从供体衬底（10）形成材料（12）的膜的技术。 该技术具有以选定的方式在表面下方的选定深度（20）处形成应力区域的步骤。 诸如加压流体的能量源被引导到供体基底的选定区域，以在所选择的深度（20）处引发基底（10）的受控切割作用，因此，所述切割动作提供扩张切割前缘以释放供体 来自供体衬底的剩余部分的材料。

公开(公告)号：US06391740B1

公开(公告)日：2002-05-21

申请号：US09301082

申请日：1999-04-28

Applicant: Nathan W. Cheung ,  Francois J. Henley

Inventor： Nathan W. Cheung ,  Francois J. Henley

IPC: H01L2146

CPC classification number: H01L21/187 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0191 ,  B81C2201/0192 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/304 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/7813 ,  Y10S117/915 ,  Y10S156/93 ,  Y10S438/974 ,  Y10S438/977 ,  Y10T156/11 ,  Y10T156/1158 ,  Y10T156/19 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24893 ,  Y10T428/249956

Abstract: A technique for forming a film of material (12) from a donor substrate (10). The technique has a step of forming a weakened region in a selected manner at a selected depth (20) underneath the surface. An energy source is directed to a selected region of the donor substrate to initiate a controlled cleaving action of the substrate (10) at the selected depth (20), whereupon the cleaving action provides an expanding cleave front to free the donor material from a remaining portion of the donor substrate.

Abstract translation: 一种用于从供体衬底（10）形成材料（12）的膜的技术。 该技术具有以选定的方式在表面下方的选定深度（20）处形成弱化区域的步骤。 能量源被引导到供体基底的选定区域，以在所选择的深度（20）处引发基底（10）的受控切割作用，因此，所述切割动作提供了扩张切割前沿，从而将供体材料从剩余的 部分供体基质。

公开(公告)号：US06187110B1

公开(公告)日：2001-02-13

申请号：US09316739

申请日：1999-05-21

Applicant: Francois J. Henley ,  Nathan Cheung

Inventor： Francois J. Henley ,  Nathan Cheung

IPC: H01L2130

CPC classification number: H01L21/187 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0191 ,  B81C2201/0192 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/304 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/7813 ,  Y10S117/915 ,  Y10S156/93 ,  Y10S438/974 ,  Y10S438/977 ,  Y10T156/11 ,  Y10T156/1158 ,  Y10T156/19 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24893 ,  Y10T428/249956

Abstract: A technique for forming a film of material (12) from a donor substrate (10). The technique has a step of introducing energetic particles (22) in a selected manner through a surface of a donor substrate (10) to a selected depth (20) underneath the surface, where the particles have a relatively high concentration to define a donor substrate material (12) above the selected depth and the particles for a pattern at the selected depth. An energy source is directed to a selected region of the donor substrate to initiate a controlled cleaving action of the substrate (10) at the selected depth (20), whereupon the cleaving action provides an expanding cleave front to free the donor material from a remaining portion of the donor substrate.

Abstract translation: 一种用于从供体衬底（10）形成材料（12）的膜的技术。 该技术具有以选择的方式将能量粒子（22）通过施主衬底（10）的表面引入到表面下方的选定深度（20）的步骤，其中颗粒具有相对高的浓度以限定施主衬底 所选深度以上的材料（12）和所选深度处的图案的颗粒。 能量源被引导到供体衬底的选定区域，以在所选择的深度（20）处引发衬底（10）的受控切割作用，因此，所述切割动作提供了扩张切割前沿，以使剩余的所述供体材料释放 部分供体基质。

公开(公告)号：US6159824A

公开(公告)日：2000-12-12

申请号：US25967

申请日：1998-02-19

Applicant: Francois J. Henley ,  Nathan W. Cheung

Inventor： Francois J. Henley ,  Nathan W. Cheung

IPC: B24C1/00 ,  B26F3/00 ,  B26F3/02 ,  B32B5/16 ,  B81C1/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/22 ,  H01L21/223 ,  H01L21/265 ,  H01L21/30 ,  H01L21/301 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/36 ,  H01L21/38 ,  H01L21/425 ,  H01L21/44 ,  H01L21/46 ,  H01L21/461 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/762 ,  H01L21/78 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/187 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0191 ,  B81C2201/0192 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/304 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/7813 ,  Y10S117/915 ,  Y10S156/93 ,  Y10S438/974 ,  Y10S438/977 ,  Y10T156/11 ,  Y10T156/1158 ,  Y10T156/19 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24893 ,  Y10T428/249956

Abstract: A method for fabricating silicon-on-silicon substrates. A donor wafer (40) is attached to a target wafer (46) using a low-temperature bonding process. The low-temperature bonding process maintains the integrity of a layer of microbubbles (41). Subsequent processing separates a thin film (45) of material from the donor wafer. A high-temperature annealing process finishes the bonding process of the thin film to the target wafer to produce a hybrid wafer suitable for fabricating integrated circuit devices or other devices.

Abstract translation: 一种用于制造硅上硅衬底的方法。 使用低温接合工艺将施主晶片（40）附接到目标晶片（46）。 低温粘合工艺保持了一层微泡（41）的完整性。 随后的处理从供体晶片分离出薄膜（45）。 高温退火处理完成薄膜与目标晶片的接合工艺，以制造适于制造集成电路器件或其它器件的混合晶片。

公开(公告)号：WO2016162096A1

公开(公告)日：2016-10-13

申请号：PCT/EP2015/064104

申请日：2015-06-23

Applicant: SILTECTRA GMBH

IPC: H01L21/762 ,  B23K26/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00357 ,  B23K26/0057 ,  B28D1/221 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0192 ,  H01L21/76251 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1896

Abstract: Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Mehrkomponentenwafers, insbesondere eines MEMS-Wafers. Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst dabei mindestens die Schritte: Bereitstellen eines Bondwafers (2), wobei zumindest ein Oberflächenanteil (4) des Bondwafers (2) durch eine Oxidschicht ausgebildet wird, Bereitstellen eines Spenderwafers (6), wobei der Spenderwafer (6) dicker ist als der Bondwafer (2), In Kontakt bringen des Spenderwafers (6) mit dem durch die Oxidschicht gebildeten Oberflächenanteil (4) des Bondwafers (2), Bilden einer Mehrschichtanordnung (8) durch Verbinden des Spenderwafers (6) und des Bondwafers (2) im Bereich des Kontakts, Erzeugen von Modifikationen (18) im Inneren des Spenderwafers (6) zum Vorgeben eines Ablösebereichs (11) zum Trennen der Mehrschichtanordnung (8) in einen Abtrennteil (14) und einen Verbindungsteil (16), wobei die Erzeugung der Modifikationen (18) vor Bildung der Mehrschichtanordnung (8) oder nach der Bildung der Mehrschichtanordnung (8) erfolgt, Trennen der Mehrschichtanordnung entlang dem Ablösebereich infolge einer durch die Erzeugung einer ausreichenden Anzahl an Modifikationen bewirkten Schwächung der Mehrschichtanordnung oder infolge einer Erzeugung von mechanischen Spannungen in der Mehrschichtanordnung, wobei der Verbindungsteil (16) am Bondwafer (2) verbleibt und wobei der abgespaltete Abtrennteil (14) eine größere Dicke aufweist als der Verbindungsteil (16).

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于制造多组分晶片，特别是MEMS晶片。 在这种情况下本发明的方法包括至少以下步骤：提供一个接合晶片（2），其中至少一个表面部分（4）的接合晶片的（2）是通过提供施体晶片的氧化层（6）形成，其中所述施体晶片（6）比更厚的 接合晶片（2），使进给体晶片的接触（6）与由所述结合晶片的氧化膜表面部分（4）形成的空间（2）由所述施体晶片（6）和上述接合晶片的键合（8）形成的多层组件（2） 一种用于在分隔部件（14）分离所述的多层结构（8）的设置的释放区域（11）的施体晶片（6）和连接部分（16），所述修饰的，其中所述生成的内部接触的面积，产生修改（18）（ 18）发生形成多层结构（8）或形成多层结构（8）的前后，分离沿着分离区中的多层结构作为由Erzeug结果 UNG足够数量引起的多层结构的或作为生成在多层结构的机械应力，的结果削弱其中所述连接部分（16）保持在接合晶片上的修改的（2），并且其中所述切割的分隔部件（14）具有比所述连接部具有更大的厚度（16 ）。

公开(公告)号：WO2014206737A1

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：PCT/EP2014/062137

申请日：2014-06-11

Applicant: SOITEC

Inventor： SADAKA, Mariam ,  ESCARNOT, Ludovic

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81B1/002 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0105 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/0192

Abstract: Methods of forming semiconductor structures comprising one or more cavities (106), which may be used in the formation of microelectromechanical system (MEMS) transducers, involve forming one or more cavities in a first substrate (100), providing a sacrificial material (110) within the one or more cavities, bonding a second substrate (120) over the a surface of the first substrate, forming one or more apertures (140) through a portion of the first substrate to the sacrificial material, and removing the sacrificial material from within the one or more cavities. Structures and devices are fabricated using such methods.

Abstract translation: 形成可用于形成微机电系统（MEMS）换能器的一个或多个空腔（106）的半导体结构的方法包括在第一基板（100）中形成一个或多个空腔，提供牺牲材料（110） 在所述一个或多个空腔内，将第二基板（120）接合在所述第一基板的表面上，形成通过所述第一基板的一部分到所述牺牲材料的一个或多个孔（140），以及从所述第一基板 一个或多个腔。 使用这种方法制造结构和装置。

公开(公告)号：WO2012163783A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：PCT/EP2012/059675

申请日：2012-05-24

Applicant: ELMOS SEMICONDUCTOR AG ,  KLEINSCHMIDT, Frank ,  TEN HAVE, Arnd

Inventor： KLEINSCHMIDT, Frank ,  TEN HAVE, Arnd

IPC: B81C1/00 ,  G01L9/00 ,  H01L21/764

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0192 ,  G01L9/0045

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur mit vergrabenem Hohlraum (64), bei dem ein erstes Halbleitersubstrat (10) mit einer Oberseite (22) bereitgestellt wird und in der Oberseite (22) des ersten Halbleitersubstrats (10) eine Vertiefung ausgebildet wird. Ferner wird ein zweites Halbleitersubstrat (26) mit Kristallgitterebenen und einer Oberseite (28) bereitgestellt, die sich im Wesentlichen parallel zu den Kristallgitterebenen erstreckt, und eine der Kristallgitterebenen, die sich in einem gewünschten Abstand von der Oberseite (28) des zweiten Halbleitersubstrats (26) befindet, zur Erzeugung einer Sollbruchebene mittels Ionenimplantation geschwächt wird. Das zweite Halbleitersubstrat (26) wird mit seiner Oberseite (28) auf der Oberseite (22) des ersten Halbleitersubstrats (10) unter Vakuumbedingungen verbondet, wobei das zweite Halbleitersubstrat (26) zur Bildung eines vergrabenen Hohlraums (60) die Vertiefung (20) in der Oberseite (22) des ersten Halbleitersubstrats (10) überdeckt. Das zweite Halbleitersubstrat wird (26) entlang der Sollbruchebene zum Verbleib einer Membranschicht (34) auf der Oberseite (22) des ersten Halbieitersubstrats (10) gespalten.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于与掩埋空腔（64），其中提供了一种具有顶部（22），在第一半导体基板（10）一种制造半导体结构和在所述第一半导体基板的上侧（22）（10）的凹部形成。 此外，设置有晶格平面的第二半导体基板（26）和上侧（28），其基本上平行于晶体晶格面，并相交于从所述第二半导体基板的所述顶部（28）的期望距离的晶格面（26 ）的，用于产生通过离子注入预定的断裂强度越弱。 第二半导体基板（26）结合，其上表面（28）上的真空条件下的第一个半导体衬底（10）的顶部（22），所述第二半导体基板（26），以形成在掩埋空腔（60），凹部（20） 在第一半导体衬底的所述顶侧（22）（10）覆盖。 在第二半导体衬底被切割（26）沿着预定断裂面保留在第一Halbieitersubstrats（10）的顶部（22）上的薄膜层（34）。