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    赤外線検知センサおよび電子機器
    32.
    发明申请
    赤外線検知センサおよび電子機器 审中-公开
    红外线检测传感器和电子设备

    公开(公告)号：WO2012029974A1

    公开(公告)日：2012-03-08

    申请号：PCT/JP2011/070158

    申请日：2011-09-05

    Applicant: 日本電気株式会社 ,  又賀 純一郎 ,  岩波 瑞樹 ,  高橋 尚武 ,  佐々木 康弘

    Inventor： 又賀　純一郎 ,  岩波　瑞樹 ,  高橋　尚武 ,  佐々木　康弘

    IPC: G01J1/02 ,  H01L37/02

    CPC classification number: G01J5/34 ,  G01J5/024 ,  G01J5/046 ,  G01J2005/345

    Abstract: 　基板（１１）と、基板（１１）上に実装配置された複数の赤外線検知素子（１２）と、を備える赤外線検知センサである。複数の赤外線検知素子（１２）は、基板（１１）に近接した下層部位に位置する複数の赤外線検知素子（１２ａ）と、基板（１１）から離隔した上層部位に位置する複数の赤外線検知素子（１２ｂ）と、を含む。基板（１１）の表面に対して垂直な方向から見たときに、下層部位に位置する各赤外線検知素子（１２ａ）と、上層部位に位置する各赤外線検知素子（１２ｂ）とは、互いに上下方向に重なり合うように配置されている。

    Abstract translation: 该红外线检测传感器设置有基板（11）和安装并设置在基板（11）上的多个红外线检测元件（12）。 所述多个红外线检测元件（12）包括：位于所述基板（11）附近的下层部的多个红外线检测元件（12a）。 以及位于与基板（11）间隔开的上层部分的多个红外线检测元件（12b）。 当从垂直于基板（11）的表面的方向观察时，位于下层部分的红外线检测元件（12a）和位于上层部分的红外线检测元件（12b）以 以便在垂直方向上彼此重叠。

    THIN FILM PYROELECTRIC IMAGING ARRAY
    33.
    发明申请
    THIN FILM PYROELECTRIC IMAGING ARRAY 审中-公开
    薄膜电子成像阵列

    公开(公告)号：WO1993009414A1

    公开(公告)日：1993-05-13

    申请号：PCT/US1992009537

    申请日：1992-11-03

    Applicant: HONEYWELL INC.

    Inventor： HONEYWELL INC. ,  KRUSE, Paul, W., Jr.

    IPC: G01J05/34

    CPC classification number: G01J5/34 ,  G01J2005/345 ,  H01L37/02

    Abstract: A thin film pyroelectric imaging array (N, M) fabricated as a Si wafer. A thin film (40) of PbTiO3 is deposited on a thermally isolated bridge (45). The bridge (45) suspends the PbTiO3 sensor (40) over a preferentially etched cavity (70) in the Si wafer (10). Improved thermal isolation increases the responsivity of the sensor (33) to incident radiation. The pyroelectric sensor (33) formed can operate effectively at room temperature.

    Abstract translation: 制造为Si晶片的薄膜热电成像阵列（N，M）。 PbTiO 3的薄膜（40）沉积在热隔离桥（45）上。 桥接器（45）将PbTiO 3传感器（40）悬挂在硅晶片（10）中的优先蚀刻的空腔（70）上。 改进的热隔离增加了传感器（33）对入射辐射的响应性。 形成的热电传感器（33）可以在室温下有效地工作。

    VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM MESSEN EINER TEMPERATUR
    34.
    发明申请
    VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM MESSEN EINER TEMPERATUR 审中-公开
    方法和设备测量温度

    公开(公告)号：WO2016062434A1

    公开(公告)日：2016-04-28

    申请号：PCT/EP2015/069630

    申请日：2015-08-27

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

    Inventor： UTERMOEHLEN, Fabian ,  HENRICI, Fabian

    IPC: G01J5/34

    CPC classification number: G01J5/34 ,  G01J2005/0077 ,  G01J2005/345

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Messen einer Temperatur (T1, T2) unter Verwendung eines Sensors mit einer als Kapazität verschalteten Metall-Isolator- Halbleiter- Struktur, die eine temperaturabhängige Selbstentladung (112) aufweist. Das Verfahren umfasst einen Schritt des Bestimmens einer, die Temperatur (T1, T2) des Sensors repräsentierenden, Temperaturinformation unter Verwendung eines zu einem Messzeitpunkt (114) an der Kapazität anliegenden elektrischen Spannungspotenzials (116, 118).

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于测量使用具有连接为具有依赖于温度的自放电（112）的金属 - 绝缘体 - 半导体结构的电容的传感器的温度（T1，T2）的方法。 该方法包括确定一个的步骤，所述温度（T1，T2）代表的传感器的温度信息应用​​于使用测量在上电容量的电压电势（116，118）的时间点（114）。

    METHOD FOR PRODUCING A MICROSYSTEM HAVING PIXELS
    35.
    发明申请
    METHOD FOR PRODUCING A MICROSYSTEM HAVING PIXELS 审中-公开
    方法用于生产具有像素微系统

    公开(公告)号：WO2015014754A2

    公开(公告)日：2015-02-05

    申请号：PCT/EP2014066084

    申请日：2014-07-25

    Applicant: PYREOS LTD

    Inventor： GIEBELER CARSTEN

    IPC: G01J5/34

    CPC classification number: H01L31/1884 ,  G01J1/44 ,  G01J5/023 ,  G01J5/024 ,  G01J5/046 ,  G01J5/34 ,  G01J2005/345 ,  H01L37/02 ,  H01L37/025 ,  H01L41/316

    Abstract: The invention relates to a method for producing a microsystem (1) having pixels, comprising the following steps: providing a silicon wafer; producing a thermal silicon oxide layer on the surface of the silicon wafer as a base layer (5) having a thickness between 200 nm and 1000 nm by oxidizing the silicon wafer; producing a thin silicon oxide layer directly on the base layer (5) as a substrate layer (6) having a thickness of 100 nm to 700 nm by means of a thermal deposition method; producing a platinum layer directly on the substrate layer (6) by means of a thermal deposition method, which platinum layer has a thickness of 40 nm to 200 nm, whereby an intermediate product comprising the silicon wafer, the base layer (5), the substrate layer (6), and the platinum layer is produced; cooling the intermediate product to room temperature; structuring the platinum layer in a pixel-like manner by removing superfluous areas of the platinum layer, whereby bottom electrodes (8, 12) of the pixels (7, 8) are formed in shape of pixels on the substrate layer (5) by the remaining areas of the platinum layer; removing material on the side of the silicon wafer facing away from the base layer (5), such that a frame (3) remains and a membrane (4) formed by the base layer (5) and the substrate layer (6) is tensioned by the frame (3); finishing the microsystem (1).

    Abstract translation: 一种制造微（1）的像素，指出以下步骤的方法：提供硅晶片; 硅晶片具有200纳米和通过在硅晶片的氧化1000nm之间的厚度的基极层（5）的表面上制备的热氧化硅膜; 直接在基材层（5），其为支撑层上制备氧化硅膜（6），其具有通过热沉积法形成厚度为100nm至700nm; 直接具有厚度为40nm〜200nm的热沉积在支撑层（6）上制备铂层，从而具有中间产物产生的硅晶片，所述基材层（5），所述载体层（6）和所述铂层; 冷却该中间产物至室温; 通过去除铂层的不需要的部分，从而形成从形底部电极的铂层像素的剩余部分的像素的支持层（5）（8，12）上的铂层的像素状结构（7，8）; 跨区去除材料的基极层（5）的硅晶片的一侧相反的一侧，从而使框架（3）保持，并且所述框架（3）具有膜（4）由基本层（5）形成与所述载体层（6）; 在完成微（1）。

    赤外線検出装置
    36.
    发明申请
    赤外線検出装置 审中-公开
    红外检测装置

    公开(公告)号：WO2013190793A1

    公开(公告)日：2013-12-27

    申请号：PCT/JP2013/003596

    申请日：2013-06-07

    Applicant: パナソニック株式会社

    Inventor： 野田　俊成

    IPC: G01J1/02 ,  H01L37/02

    CPC classification number: G01J5/34 ,  G01J5/023 ,  G01J5/024 ,  G01J5/046 ,  G01J5/0853 ,  G01J2005/345 ,  H01L37/02

    Abstract: 　赤外線検出装置は基板と、熱型光検出素子とを有する。基板は、凹部と、凹部の周囲に位置する枠部とを有する。熱型光検出素子は脚部と検出部とを有し、凹部上に検出部が位置するように、脚部が枠部上に接続されている。また熱型光検出素子は、基板上に設けられた中間層と、中間層上に設けられた第１電極層と、第１電極層上に設けられた検出層と、検出層上に設けられた第２電極層とを有する。基板の線熱膨張係数は、検出層の線熱膨張係数より大きく、中間層の線熱膨張係数は、基板から第１電極層に向かって小さくなっている。

    Abstract translation: 红外线检测装置包括基板和热光检测元件。 基板包括凹部和位于凹部周围的框部。 热光检测元件包括腿部和检测部分，并且腿部连接到框架部分上，使得检测部分位于凹部上。 此外，热光检测元件包括设置在基板上的中间层，设置在中间层上的第一电极层，设置在第一电极层上的检测层和设置在检测层上的第二电极层。 基板的线性热膨胀系数大于检测层的线性热膨胀系数，中间层的线性热膨胀系数从基板朝向第一电极层变小。

    DETECTEUR COMPACT DE PRESENCE HUMAINE
    38.
    发明申请
    DETECTEUR COMPACT DE PRESENCE HUMAINE 审中-公开
    紧凑人体检测器

    公开(公告)号：WO2014180783A1

    公开(公告)日：2014-11-13

    申请号：PCT/EP2014/059108

    申请日：2014-05-05

    Applicant: VENCE INNOVATION

    Inventor： CAMBOU, Pierre

    IPC: G08B13/191 ,  G08B13/193 ,  G08B29/18 ,  H01L37/02 ,  G01J5/34

    CPC classification number: H04N5/33 ,  G01J5/0025 ,  G01J5/0806 ,  G01J5/0846 ,  G01J5/34 ,  G01J2005/0077 ,  G01J2005/345 ,  G02B3/08 ,  G08B13/191 ,  G08B13/193 ,  G08B29/183 ,  H01L37/02 ,  H01L37/025 ,  H04N5/374

    Abstract: L'invention concerne un détecteur de présence de personne, multimodal et très compact. Le détecteur comprend sur une même puce de silicium (10) réalisée en technologie CMOS une première matrice de pixels, rendus sensibles au rayonnement infrarouge lointain par le dépôt d'une couche pyroélectrique, convertissant en charges électriques le rayonnement infrarouge lointain reçu, juxtaposée avec au moins une deuxième matrice de pixels sensibles à la lumière visible, convertissant en charges électriques la lumière visible reçue, et un circuit de lecture des charges engendrées dans chacune des matrices par la lumière visible ou le rayonnement infrarouge lointain, le détecteur comprenant encore, au-dessus de la puce de silicium, un élément optique (16) de focalisation du rayonnement infrarouge lointain sur la première matrice, avec un élément optique de focalisation de la lumière visible sur la deuxième matrice.

    Abstract translation: 本发明涉及多模式和高度紧凑的人类存在检测器。 检测器包括在使用CMOS技术制造的相同的硅芯片（10）上的第一像素矩阵，通过沉积热电层对远红外辐射敏感，将接收的远红外辐射转换成电荷，并与其并置 对可见光敏感的至少一个第二像素矩阵，将接收的可见光转换成电荷;以及电路，用于通过可见光或远红外辐射读取在每个矩阵中产生的电荷的电路，所述检测器还包括： 硅芯片的顶部，用于将远红外辐射聚焦在第一矩阵上的光学元件（16）与用于将可见光聚焦在第二矩阵上的光学元件。

    赤外線センサ及びその駆動方法
    39.
    发明申请
    赤外線センサ及びその駆動方法 审中-公开
    红外传感器及其驱动方法

    公开(公告)号：WO2007046167A1

    公开(公告)日：2007-04-26

    申请号：PCT/JP2006/311617

    申请日：2006-06-09

    Applicant: 松下電器産業株式会社 ,  村田 隆彦 ,  山口 琢己 ,  春日 繁孝 ,  山田 隆善

    Inventor： 村田 隆彦 ,  山口 琢己 ,  春日 繁孝 ,  山田 隆善

    IPC: G01J1/02 ,  G01J1/42 ,  G01J5/20 ,  G01J5/48 ,  G01V8/10 ,  H01L27/14 ,  H04N5/33

    CPC classification number: H01L27/14649 ,  G01J5/34 ,  G01J2005/0048 ,  G01J2005/345 ,  G01V8/10 ,  H01L27/1443 ,  H04N5/33

    Abstract: 　赤外線センサは、行列状に配置された複数の参照画素単位２と、各参照画素単位２と対応して設けられた直列容量素子１４とを備えている。参照画素単位２は、出力線３０と、出力線３０と接地との間にスイッチ素子１７を介して接続された参照容量素子１３と、出力線３０と接地との間にスイッチ素子１６を介して接続された複数の赤外線検出容量素子１２とを有している。直列容量素子１４は、出力線３０と接続されている。

    Abstract translation: 红外线传感器设置有多个以矩阵形式布置的参考像素单元（2），以及布置成对应于每个参考像素单元（2）的串联电容元件（14）。 参考像素单元（2）设置有输出线（30），通过开关元件（17）连接在输出线（30）和地之间的参考电容元件（13），以及多个红外检测电容 通过开关元件（16）连接在输出线（30）和地之间的元件（12）。 串联电容元件（14）与输出线（30）连接。

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