一种全差分红外焦平面阵列读出电路

    公开(公告)号:CN107271054A

    公开(公告)日:2017-10-20

    申请号:CN201710629927.5

    申请日:2017-07-28

    Inventor: 赵照

    CPC classification number: G01J5/10 G01J5/24 G01J2005/202

    Abstract: 本发明公开一种全差分红外焦平面阵列读出电路,包括:像元阵列,用于采集红外光信号、光电转换并逐行输出;全差分相关双采样电路,连接像元阵列,用于对像元阵列电路采集到的信号进行积分、双采样并输出实际差分信号;输出缓冲电路,连接全差分相关双采样电路,用于将实际差分信号逐列缓冲输出;及行列逻辑控制信号产生电路,分别为像元阵列和输出缓冲电路提供行选控制信号和列选控制信号。本发明使用开关电容全差分配置的CDS电路,能够实现积分和双采样功能并且输出实际差分信号,不需要额外配置差分转换电路,能够显著减小电路面积,增加填充因子;同时,在电路中引入补偿电容可以提供偏移补偿,消除运算放大器偏置电压对采样结果造成的影响。

    基于智能处理器平台的红外热成像传感器

    公开(公告)号:CN107179130A

    公开(公告)日:2017-09-19

    申请号:CN201610138286.9

    申请日:2016-03-11

    Inventor: 赵照

    CPC classification number: G01J5/20 G01J5/0215 G01J2005/0077 G01J2005/202

    Abstract: 本发明涉及一种基于智能处理器平台的红外热成像传感器,包括MEMS传感阵列,用于采集红外信号,将红外信号转换为模拟信号;智能处理器平台,用于控制MEMS传感阵列采集红外信号并且将采集到的红外信号进行数据运算、分析、控制、输出;集成电源,为传感器提供电源和参考电压;所述MEMS传感阵列、智能处理器平台和集成电源是采用单片集成工艺在硅晶圆片衬底上一体化制作而成,使得传感器体积缩小70%以上,成本下降80%以上,同时其性能、指标和稳定性也有全面提升,例如,核心NETD指标达到18~60mk,可以广泛应用于智能汽车、医疗健康、无人机、机器人、安防监控、消防监控、工业生产、仪器仪表等领域。

    一种消除制冷型热像仪画面复现非均匀性的方法

    公开(公告)号:CN105928627A

    公开(公告)日:2016-09-07

    申请号:CN201610216731.9

    申请日:2016-04-08

    CPC classification number: G01J5/20 G01J2005/0048 G01J2005/0077 G01J2005/202

    Abstract: 本发明属于红外探测技术领域,具体涉及一种消除制冷型热像仪成像复现非均匀性的方法,包括以下步骤:(1)确定本方法的实施硬件环境:红外热像仪、面源黑体、传感器、上位计算机;(2)定位来源;(3)红外热像仪正常上电;(4)参数采集;(5)进行数学模型建立和校正参数的计算、存储;(6)在红外探测机芯组件中设置消除复现非均匀性的校正模块;(7)去除传感器、面源黑体、上位计算机;(8)重启红外热像仪。经校正后的输出图像画面清晰、动态范围高、各像素对同样辐射响应均匀,可弥补由内部杂散辐射等因素造成的图像缺陷,具备长时间工作不复现图像非均匀性的特性,可提高制冷型热像仪对工作环境的适应能力。

    集成像元级聚光透镜的红外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN104310300A

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:CN201410486239.4

    申请日:2014-09-23

    Inventor: 姜利军

    Abstract: 本发明提供一种集成像元级聚光透镜的红外探测器及其制备方法,集成像元级聚光透镜的红外探测器包括衬底及多个设置在衬底上的红外探测器像元,还包括多个密封盖及多个聚光透镜,每一密封盖包围一红外探测器像元,形成一容纳红外探测器像元的密封腔,每一密封盖的顶部外表面设置一聚光透镜,以将红外辐射汇聚到每一红外探测器像元上。本发明的优点在于,聚光透镜与红外探测器像元实现光刻级的对准,有效提高聚光透镜与红外探测器像元之间的对准精度,提高聚光透镜的汇聚效率。同时,聚光透镜的制作工艺与像元级的真空封装工艺结合,可以有效地提高红外探测器的集成度,减小探测器体积,降低制造成本。

    基于超材料结构的太赫兹微测辐射热计及其制备方法

    公开(公告)号:CN106115604A

    公开(公告)日:2016-11-16

    申请号:CN201610591118.5

    申请日:2016-07-25

    CPC classification number: B81B3/0081 G01J5/20 G01J2005/0077 G01J2005/202

    Abstract: 本发明提供了一种基于超材料结构的太赫兹微测辐射热计及其制备方法,太赫兹微测辐射热计包括由下至上的硅衬底层、读出电路层、底部钝化层、金属反射层、微桥支撑层、热敏电阻层、第一介质层、微桥支撑柱和第二介质层,微桥支撑层侧面依次形成有电极层和桥腿钝化层,第一介质层的表面集成有第一金属图案层,第二介质层的表面集成有第二金属图案层,金属反射层、热敏电阻层、第一介质层和第一金属图案层构成第一层太赫兹超材料结构,金属反射层、热敏电阻层、第二介质层和第二金属图案层构成与第一层太赫兹超材料结构谐振频点相近的第二层太赫兹超材料结构。本发明能解决现阶段太赫兹微测辐射热计对太赫兹辐射的吸收率较低且吸收峰频带较窄的问题。

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