公开(公告)号：CN103038708B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201180037433.9

申请日：2011-07-28

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司 ,  ASML荷兰有限公司

Inventor： N·贝尔 ,  U·勒尔林 ,  O·纳特 ,  G·维蒂希 ,  T·劳弗尔 ,  P·屈尔兹 ,  G·林巴赫 ,  S·亨巴赫尔 ,  H·沃尔特 ,  Y-B-P·关 ,  M·豪夫 ,  F-J·施蒂克尔 ,  J·凡舒特

IPC: G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  G02B5/08

CPC classification number: G03F7/7015 ,  B82Y10/00 ,  G02B3/00 ,  G02B5/08 ,  G02B5/0816 ,  G02B5/0891 ,  G02B7/1815 ,  G02B17/0647 ,  G02B27/0043 ,  G03B27/542 ,  G03F7/702 ,  G03F7/70233 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70825 ,  G03F7/70891 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/064

Abstract: 一种EUV光刻投影曝光系统的投影透镜，具有至少两个反射光学元件，每个反射光学元件包括主体和反射表面，用于在以EUV光的曝光功率对投影透镜曝光时，将分划板上的物场投影到衬底上的像场上，其中至少两个反射光学元件的主体包括具有与温度相关的热膨胀系数的材料，热膨胀系数在相应的零交叉温度处为零，并且其中零交叉温度之间的差异的绝对值大于6K。

公开(公告)号：CN103339684B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201180066055.7

申请日：2011-10-21

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 须山敏康 ,  杉山元胤

IPC: G21K4/00 ,  G01T1/20

CPC classification number: G21K4/00 ,  B82Y10/00 ,  G01N23/04 ,  G01T1/2008 ,  G01T3/06 ,  G21K2201/061

Abstract: 本发明的闪烁器面板（1）是响应于透过了对象物（A）的放射线的入射而使闪烁光放射的平板状的构件，在对闪烁光进行聚光并摄像的图像取得装置所使用的闪烁器面板中，具备：使放射线透过的平面状的隔板（2）、配置在隔板（2）的一个面（2a）上且将放射线变换成闪烁光的平板状的闪烁器（3）、以及配置在隔板（2）的另一面（2b）上，将放射线变换成闪烁光的平板状的闪烁器（4）。

公开(公告)号：CN103380401B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201280009855.X

申请日：2012-01-18

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： A·亚库宁 ,  V·班尼恩 ,  O·弗里基恩斯

IPC: G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  G02B5/08

CPC classification number: G03F7/702 ,  B82Y10/00 ,  G02B5/0891 ,  G03F7/70058 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/061

Abstract: 一种用于极紫外辐射的掠入射反射器(300)包括第一反射镜层(310)和在第一反射镜层下面的多层反射镜结构(320)。第一反射镜层至少部分地反射以在第一范围内的掠入射角入射到所述掠入射反射器上的极紫外辐射，所述第一反射镜层透射在入射角的第二范围中的极紫外辐射，所述入射角的第二范围与入射角的第一范围重叠且延伸超出入射角的第一范围。多层反射镜结构反射极紫外辐射，所述极紫外辐射以在所述第二范围内的掠入射角入射到所述掠入射反射器上且穿透所述第一反射镜层。掠入射反射器可以用于光刻设备中和通过光刻过程制造器件中。

公开(公告)号：CN102138185B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN200980126444.7

申请日：2009-07-01

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： C·梅茨马歇尔

IPC: G21K1/06

CPC classification number: G02B5/283 ,  B82Y10/00 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/067

Abstract: 本发明涉及改进的EUV反射元件，包括：a)第一层，基本上由高反射性材料制成,其中第一层基本上由选自以下组中的材料制成：钛、钒、铬、钇、锆、铌、锝、钌、铑、钯、银、钽、钨、铼、锇、铱、铂、金、铊、铅、类金刚石碳（DLC）或其混合物和/或合金；b)第二层，厚度≤5nm，基本上由耐溅射性≤10nm/108次射击的材料制成，其中第二层基本上由选自以下组中的材料制成，该组包括：高共价金属氧化物、氮氧化物、磷化物、硫化物或其混合物,或者基本上由选自以下组中的材料制成，所述组包括：钨、石墨、石墨烯、碳复合材料和/或碳纤维材料和/或其混合物,或者基本上由合金制成，其中所述合金的至少一种成分从以下组中选出，所述组包括钼、钨、钛和铼,并且由此第二层被设置在入射的和/或反射的EUV光的路径中。

公开(公告)号：CN103339684A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201180066055.7

申请日：2011-10-21

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 须山敏康 ,  杉山元胤

IPC: G21K4/00 ,  G01T1/20

CPC classification number: G21K4/00 ,  B82Y10/00 ,  G01N23/04 ,  G01T1/2008 ,  G01T3/06 ,  G21K2201/061

Abstract: 本发明的闪烁器面板（1）是响应于透过了对象物（A）的放射线的入射而使闪烁光放射的平板状的构件，在对闪烁光进行聚光并摄像的图像取得装置所使用的闪烁器面板中，具备：使放射线透过的平面状的隔板（2）、配置在隔板（2）的一个面（2a）上且将放射线变换成闪烁光的平板状的闪烁器（3）、以及配置在隔板（2）的另一面（2b）上，将放射线变换成闪烁光的平板状的闪烁器（4）。

公开(公告)号：CN101960338B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN200980106463.3

申请日：2009-02-24

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： W·A·索尔 ,  V·Y·班尼恩 ,  J·H·J·莫尔斯 ,  M·M·J·W·范赫彭 ,  A·M·亚库林

IPC: G02B5/20 ,  G02B5/22 ,  G02B5/26 ,  G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  G02B5/08

CPC classification number: G02B5/208 ,  B82Y10/00 ,  G02B5/0891 ,  G02B5/22 ,  G02B5/26 ,  G03F7/70191 ,  G03F7/702 ,  G03F7/70575 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/067 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/064 ,  G21K2201/065 ,  G21K2201/067

Abstract: 一种光学元件包括第一层(4)，所述第一层包括第一材料，并配置成对第一波长的辐射是基本上反射的并且对第二波长的辐射是基本上透明的。光学元件包括第二层(2)，所述第二层包括第二材料，并配置成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的或透明的。光学元件包括第三层(3)，位于所述第一层和所述第二层之间的所述第三层包括第三材料，并对所述第二波长的辐射是基本上透明的并且配置成减小所述第二波长的辐射从所述第二层的面朝所述第一层的顶部表面的反射。第一层位于入射辐射的光学路径中相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。

公开(公告)号：CN102736441A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210091159.X

申请日：2012-03-30

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： A·M·雅库尼恩

IPC: G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  G03F1/24

CPC classification number: G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C17/3642 ,  C03C17/3663 ,  G02B5/0891 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/061

Abstract: 本发明公开了一种多层反射镜以及一种光刻设备。所述多层反射镜构造并布置成反射波长在大约6.4nm至大约7.2nm范围内的辐射。多层反射镜具有交替层，所述交替层包括第一层和第二层。第一和第二层选自下列项构成的组：U(铀)或其化合物或其氮化物，和B4C层；Th(钍)或其化合物或其氮化物，和B4C层；La(镧)或其化合物或其氮化物，和B9C层；La(镧)或其化合物或其氮化物，和B4C层；U(铀)或其化合物或其氮化物，和B9C层；Th(钍)或其化合物或其氮化物，和B9C层；La(镧)或其化合物或其氮化物，和B(硼)层；U(铀)或其化合物或其氮化物，和B(硼)层；C(碳)或其化合物或其氮化物，和B(硼)层；Th(钍)或其化合物或其氮化物，和B(硼)层。

公开(公告)号：CN102640021A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201080055041.0

申请日：2010-12-03

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 三上正树

IPC: G02B5/08 ,  G03F1/24 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B5/0891 ,  G03F7/70958 ,  G21K2201/061

Abstract: 本发明提供抑制了由钌（Ru）保护层的氧化导致的反射率降低的EUV光学构件、和该EUV光学构件的制造中使用的带功能膜的衬底、以及该带功能膜的衬底的制造方法。一种带反射层的EUV光刻用衬底，其特征在于，其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层和用于保护该反射层的保护层，前述反射层为Mo/Si多层反射膜，前述保护层为Ru层或Ru化合物层，在前述反射层与前述保护层之间形成有含有0.5~20at%的氧且含有80~99.5at%的Si的中间层。

公开(公告)号：CN102327119A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110145877.6

申请日：2011-06-01

Applicant: 西门子公司

Inventor： 菲利普.伯恩哈特

IPC: A61B6/00

CPC classification number: G21K1/06 ,  A61B6/4035 ,  A61B6/4441 ,  A61B6/544 ,  B82Y10/00 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/062 ,  G21K2201/067

Abstract: 对于具有高的射线强度的准单色X射线，设置用于产生用于照射对象的准单色X射线的X射线装置，该X射线装置具有用于发送多色X射线的点状的射线源和用于衍射多色X射线的衍射装置，该衍射装置具有由具有平的表面的结晶材料构成的超镜，在该超镜中，结晶材料具有晶格的晶格层面距离的至少一个、特别是连续的变化，其中这样布置射线源和衍射装置，使得从多色X射线通过在超镜上的部分反射产生准单色X射线。

公开(公告)号：CN101278360A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200680036809.3

申请日：2006-07-26

Applicant: X射线光学系统公司

Inventor： 陈泽武 ,  高宁 ,  W·吉布森

IPC: G21K1/06 ,  G01N23/223

CPC classification number: G01N23/223 ,  B82Y10/00 ,  G01N2223/076 ,  G21K1/06 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/062 ,  G21K2201/064

Abstract: 一种用于激发处于x射线分析中的样品的x射线系统或方法，其使用弯曲的单色光学器件将来自x射线源的单色x射线束引导朝向第一焦点区域。第二光学器件安置在单色x射线束中并接收该单色x射线束，且将聚焦的x射线束引导朝向样品上的第二焦点区域。探测器安置在样品附近，以收集作为聚焦的x射线束的结果的而来自样品的辐射。弯曲的单色光学器件在所述第一焦点区域产生的束斑尺寸大于由所述第二光学器件在所述第二焦点区域产生的束斑尺寸，因此，通过使用第二光学器件减小了样品上的束斑尺寸。双曲单色光学器件和多毛细管光学器件作为光学器件的可能的实施被公开。