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公开(公告)号：CN107527779A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710713843.X
申请日：2017-08-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01J3/02
Abstract: 本发明公开一种基于螺旋带状电子注冷阴极辐射源，涉及微波、毫米波、亚毫米波和太赫兹电真空器件技术领域，包括由阴极块、阴极发射面、阳极块以及电子枪封装绝缘体构成的螺旋带状电子注冷阴极电子枪、周期结构金属壳、收集极、导引磁场发生器，阴极发射面为矩形；阳极块的下表面为向右下倾斜的斜面，阳极块位于阴极块的右上方；周期结构金属壳开设有贯穿周期结构金属壳左右两端的电子注通道，电子注通道的中部设有沿电子注通道轴向延伸的高频结构；收集极、电子注通道、阴极发射面位于一条直线上。本发明提出一种结构简单，使用寿命长，性能优良的螺旋带状电子注冷阴极电子枪，利用其电子注纵向速度与高频场互作用交出能量，实现电磁辐射。
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公开(公告)号：CN107359098A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710722920.8
申请日：2017-08-22
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 本发明公开了一种光阴极微波电子枪，包括第一圆柱腔、第二圆柱腔、同轴腔、圆环孔、矩形波导、耦合孔、中空盘片以及截止波导，其中第一圆柱腔分别与第二圆柱腔和同轴腔连接，第二圆柱腔末端带有截止波导，同轴腔通过耦合孔与矩形波导连接实现耦合。本发明结构紧凑，将微波功率耦合孔由圆柱腔侧面移至同轴腔一端，保持圆柱腔体的旋转对称性，避免了由于非对称性耦合孔产生多极场，使得具有降低束流发射度，提高束流品质的良好效果。
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公开(公告)号：CN105448620B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201410327650.7
申请日：2014-07-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2203/0272 , H01J2203/028 , H01J2203/0284 , H01J2203/0288 , Y10S977/742 , Y10S977/939
Abstract: 一种场发射阴极，包括：微通道板，该微通道板绝缘且具有多个开孔，该微通道板具有一第一表面以及一与该第一表面相对的第二表面，每个所述开孔贯穿所述第一表面和第二表面；阴极电极，该阴极电极设置于所述微通道板的第一表面；以及阴极发射体，该阴极发射体对应多个所述开孔设置且与所述阴极电极电连接；其特征在于，每个所述开孔内设置有多个所述阴极发射体，该多个阴极发射体相互连接并固定于所述开孔内壁，该多个阴极发射体包括多个碳纳米管，至少部分碳纳米管的一端悬空设置作为场发射端。
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公开(公告)号：CN103730304B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210380926.9
申请日：2012-10-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J1/304 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2203/0212
Abstract: 本发明提供一种场发射电子源阵列的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管线状结构；在所述碳纳米管线状结构的表面包覆一绝缘层；在所述绝缘层的表面间隔设置多个导电环，所述导电环两端具有相对的两环面，形成一场发射电子源预制体；将所述多个场发射电子源预制体并排对齐设置，形成一场发射电源阵列预制体；切割所述场发射电子源阵列预制体，使所述每一碳纳米管线状结构从切割形成的断口处暴露出来，形成多个场发射电子源。
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公开(公告)号：CN103730302B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201210380870.7
申请日：2012-10-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/3042 , B82Y30/00 , B82Y99/00 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J2201/30469 , H01J2203/0212 , H01J2329/0455 , H01J2329/4608
Abstract: 本发明提供一种场发射电子源，所述场发射电子源包括一碳纳米管线状结构、一绝缘层以及至少一导电环，其中，所述碳纳米管线状结构及绝缘层同轴设置，所述绝缘层设置于所述碳纳米管线状结构的表面，所述导电环设置于所述碳纳米管线状结构至少一端部的绝缘层外表面，所述导电环靠近碳纳米管线状结构端部的一环面与该碳纳米管线状结构的该端部平齐。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103730303B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201210381735.4
申请日：2012-10-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J3/021 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种场发射电子源阵列，包括多个场发射电子源并排设置，其中，每一场发射电子源包括一碳纳米管线状结构、一绝缘层以及至少一导电环同轴设置，所述绝缘层贴附于所述碳纳米管线状结构的表面，所述至少一导电环设置于所述碳纳米管线状结构至少一端部的绝缘层外表面，所述多个场发射电子源的所述导电环彼此电连接。
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公开(公告)号：CN104319215A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410615905.X
申请日：2014-11-05
Applicant: 东南大学
IPC: H01J29/48
CPC classification number: H01J29/481 , H01J3/021
Abstract: 本发明公开了一种圆形平面阴极与圆台、柱形组合栅孔对应的冷阴极电子枪，包括阴极、栅极、第一阳极和第二阳极，所述阴极包括阴极基板和制作在阴极基板上表面的场发射阴极，所述场发射阴极覆盖住所述圆台状突起结构的上表面圆面部位，形成圆形平面阴极。本发明与传统场发射阴极电子枪技术相比，不仅具有发射面电场均匀分布且容易控制、发射均匀性好，能够有效的避免传统场发射阴极因边缘场过于集中带来的打火、阴极损伤；在栅极和第一阳极的组合控制下，还能够使得发射电子束的运动轨迹的汇聚的趋势更加明显。
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公开(公告)号：CN103730304A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210380926.9
申请日：2012-10-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J1/304 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2203/0212
Abstract: 本发明提供一种场发射电子源阵列的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管线状结构；在所述碳纳米管线状结构的表面包覆一绝缘层；在所述绝缘层的表面间隔设置多个导电环，所述导电环两端具有相对的两环面，形成一场发射电子源预制体；将所述多个场发射电子源预制体并排对齐设置，形成一场发射电源阵列预制体；切割所述场发射电子源阵列预制体，使所述每一碳纳米管线状结构从切割形成的断口处暴露出来，形成多个场发射电子源。
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公开(公告)号：CN102254765B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201010178171.5
申请日：2010-05-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
Abstract: 本发明涉及一种场发射装置的制备方法，其包括以下步骤：提供一绝缘基底；在绝缘基底的一表面形成一电子引出电极；在电子引出电极的表面形成一二次电子发射层；在绝缘基底表面形成一第一绝缘隔离层，该第一绝缘隔离层具有一第二开口以使得二次电子发射层的表面通过该第二开口暴露；提供一阴极电极板，该阴极电极板具有一第一开口，并在该阴极电极板的部分表面形成一电子发射层；以及将阴极电极板组装于第一绝缘隔离层相对于绝缘基底的另一表面，使第一开口与第二开口至少部分交叠设置以定义一电子出射部，并使得电子发射层至少部分设置在第一绝缘隔离层的第二开口处并面对电子引出电极设置。
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