公开(公告)号：CN104093932A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201280055631.2

申请日：2012-09-14

Applicant: 普拉德研究及开发股份有限公司

Inventor： M·西蒙 ,  A·杜尔科斯基 ,  C·斯托勒

IPC: E21B47/11

CPC classification number: H01J35/025 ,  E21B47/011 ,  E21B47/082 ,  E21B47/1015 ,  E21B49/00 ,  G01N9/24 ,  G01N23/20008 ,  G01N2035/00306 ,  G01N2201/0227 ,  G01N2223/05 ,  G01N2223/204 ,  G01N2223/30 ,  G01V3/12 ,  G01V3/30 ,  G01V5/0008 ,  G01V5/04 ,  G01V5/12 ,  H01J3/023 ,  H01J37/061 ,  H01J43/04 ,  H02M7/103 ,  H05G1/10 ,  H05H3/06 ,  H05H5/045 ,  Y10T29/41 ,  Y10T29/49117

Abstract: 一种测井工具可包括：探头外壳和由所述探头外壳承载的辐射发生器。辐射发生器可包括：发生器外壳；由所述发生器外壳承载的靶标；由所述发生器外壳承载的带电粒子源，以将带电粒子导向所述靶标；以及连接到所述带电粒子源的至少一个电压源。所述至少一个电压源可包括：包括以单极配置连接的多个电压倍增级的电压梯以及连接到沿所述电压梯的至少一个中间位置处的至少一个加感线圈。该测井工具还包括由所述探头外壳承载的至少一个辐射探测器。

公开(公告)号：CN1918686A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200580004703.0

申请日：2005-02-16

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 久嶋浩之 ,  下井英树 ,  影山明广 ,  井上圭祐 ,  伊藤益保

IPC: H01J43/28 ,  H01J43/12 ,  H01J43/24

CPC classification number: H01J43/08 ,  H01J9/26 ,  H01J43/04 ,  H01J43/24

Abstract: 本发明涉及具有用于可容易地实现高检测精度和微细加工的构造的光电倍增器及其制造方法。该光电倍增器(1a)具备内部维持在真空的外围器(2，3，4)，在该外围器(2，3，4)内配置有根据入射光而放出电子的光电面(22)、将从该光电面(22)放出的电子串级倍增的电子倍增部(31)、用于取出由该电子倍增部(31)生成的二次电子的阳极(32)。上述外围器(2，3，4)的一部分由具有平坦部的玻璃基板(20，40)构成，在该玻璃基板(20，40)上的平坦部上以二维方式分别配置有上述电子倍增部(31)和阳极(32)。

公开(公告)号：CN1229850C

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN00819509.9

申请日：2000-05-08

Applicant: 滨松光子学株式会社

Inventor： 下井英树 ,  久浩之 ,  渥美明

IPC: H01J43/28

CPC classification number: H01J43/28 ,  H01J43/04

Abstract: 光电倍增管的密封容器(5)由金属制侧管(2)及玻璃制的受光面板(3)和芯柱板(4)构成。在侧管(2)的一端开口部(A)上设置扎入部(20)，所述扎入部(20)以扎入的方式埋入到玻璃制的受光面板(3)内，确保侧管(2)与受光面板(2)的接合部分处极高的气密性。设在侧管(2)上的扎入部(20)沿侧管(2)的轴向方向陡峭地延伸，可以尽可能靠近地将扎入部(20)埋设到受光面板的侧面(3c)内。借此，可以把受光面板(3)的有效利用面积提高到接近100%，使受光面板(3)的空闲区域尽可能地接近于零。这样，本发明的光电倍增管(1)即可提高受光面板(3)的有效利用面积又可确保受光面板(3)与侧管(2)的气密性。

公开(公告)号：CN1174463C

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN99806918.3

申请日：1999-06-01

Applicant: 滨松光子学株式会社

Inventor： 久嶋浩之 ,  渥美明 ,  下井英树 ,  冈田知幸 ,  伊藤益保

IPC: H01J43/28

CPC classification number: H01J43/04 ,  G01N23/046 ,  G01N23/06 ,  G01N2223/419 ,  H01J43/28

Abstract: 为了提供使光电倍增管密集，谋求提高光的检测效率的光电倍增管单元，使金属制侧管(2)的外周面(2b)之间相互面接触，因此能够实现光电倍增管(1)的高密度排列。还能够使各个光电倍增管(1)的侧管(2)之间电连接，能够简单地使相互的侧管(2)之间成为等电位，在各个光电倍增管(1)中，不需要个别地进行杆销(10)与侧管(2)的电连接作业，单元的组装作业良好。这样，如果谋求光电倍增管(1)的单元化，则在组装了多个光电倍增管(1)的装置(例如伽玛照相机等)中把所希望的光电倍增管(1)更换为新部件的情况下，不需要进行一个一个地更换光电倍增管(1)这样的繁琐作业，可以谋求简化更换作业。

公开(公告)号：CN1452780A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN00819509.9

申请日：2000-05-08

Applicant: 滨松光子学株式会社

Inventor： 下井英树 ,  久嶋浩之 ,  渥美明

IPC: H01J43/28

CPC classification number: H01J43/28 ,  H01J43/04

Abstract: 光电倍增管的密封容器(5)由金属制侧管(2)及玻璃制的受光面板(3)和芯柱板(4)构成。在侧管(2)的一端开口部(A)上设置扎入部(20)，所述扎入部(20)以扎入的方式埋入到玻璃制的受光面板(3)内，确保侧管(2)与受光面板(2)的接合部分处极高的气密性。设在侧管(2)上的扎入部(20)沿侧管(2)的轴向方向陡峭地延伸，可以尽可能靠近地将扎入部(20)埋设到受光面板的侧面(3c)内。借此，可以把受光面板(3)的有效利用面积提高到接近100％，使受光面板(3)的空闲区域尽可能地接近于零。这样，本发明的光电倍增管(1)既可提高受光面板(3)的有效利用面积又可确保受光面板(3)与侧管(2)的气密性。

公开(公告)号：CN107968033A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201711112482.X

申请日：2017-11-13

Applicant: 江苏天瑞仪器股份有限公司

Inventor： 应刚 ,  张坤 ,  蒋西 ,  周立

IPC: H01J49/02 ,  H01J49/26 ,  H01J43/04

CPC classification number: H01J49/022 ,  H01J43/04 ,  H01J49/26

Abstract: 本发明公开了一种用于质谱仪电子倍增管微电流放大滤波保护电路，包括：超低输入偏置电流运算放大器，与运算放大器负输入端联结的一阶低通滤波单元，与运算放大器正输入端联结的补偿输入失调电压输入单元和正输入端低通滤波单元，在运算放大器输出端联结输出低通滤波器；本发明公开的一种用于质谱仪电子倍增管微电流放大滤波保护电路，通过增加保护环技术以及巴特沃兹滤波器对干扰电流及射频电源的高频干扰进行滤波，以达到采用更低的成本提升信噪比，使得分析结果更加精确。

公开(公告)号：CN105789016A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610199752.4

申请日：2016-04-04

Applicant: 陈蜀乔

Inventor： 陈蜀乔

IPC: H01J43/04 ,  H01J43/10 ,  H01J43/08

CPC classification number: H01J43/04 ,  H01J43/08 ,  H01J43/10

Abstract: 本发明涉及一种非接触物体表面电荷光电倍增管放大器，属于信号检测技术领域。其原理是入射光的强度决定于单位时间里通过单位垂直面积的光子数，单位时间里通过金属表面的光子数也就增多，则光子与金属中的电子碰撞次数也增多，因而单位时间里从金属表面逸出的光电子也增多，光电流也随之增大；同样，如果入射光强度不变，金属表面电荷增加，使得光子与金属中的电子碰撞次数也增多，因而单位时间里从金属表面逸出的光电子也增多，光电子采用电倍增管将电子数不断倍增，阳极最后收集到的电子可增加104～108倍，因光电倍增管高灵敏度和低噪声的特点，可检测样品表面微弱电荷信号，将在电荷检测领域获得广泛应用。

公开(公告)号：CN103026449B

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201180026584.4

申请日：2011-05-27

Applicant: 福托尼斯法国公司

Inventor： 格特·努特则 ,  帕斯卡尔·拉乌特 ,  理查德·杰克曼

IPC: H01J31/50 ,  H01J40/06 ,  H01J1/32

CPC classification number: H01J43/04 ,  H01J1/32 ,  H01J31/48 ,  H01J31/506 ,  H01J43/16

Abstract: 本发明涉及用于使用电子倍增的真空管中的电子倍增结构以及具有该电子倍增结构的使用电子倍增的真空管。根据本发明，提出了用于使用电子倍增的真空管的电子倍增结构，所述电子倍增结构包括旨在取向为与真空管的进入窗成面向关系的输入面，旨在取向为与真空管的探测面成面向关系的输出面，其中所述电子倍增结构至少包括邻近于探测窗的半导体材料层。

公开(公告)号：CN105448638A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510941403.0

申请日：2015-12-15

Applicant: 中国科学院西安光学精密机械研究所

Inventor： 王兴 ,  田进寿 ,  白永林

IPC: H01J40/06 ,  H01J43/04 ,  H01J9/12 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01J40/06 ,  H01J9/12 ,  H01J9/125 ,  H01J43/04 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，尤其涉及一种微通道型入射窗及其制作方法。该微通道型入射窗包括入射窗基体，入射窗基体为蜂窝式结构，蜂窝式结构包括多个通孔，通孔采用普通光刻和离子束刻蚀或酸法腐蚀工艺形成；入射窗基体表面以及多个通孔内均沉积有光电阴极层。具体实现方法是清洗入射窗基体，在入射窗基体上刻蚀蜂窝式结构、二次清洗刻蚀过蜂窝结构的入射窗基体，最后在入射窗基体表面以及蜂窝式结构上制备光电阴极层。该入射窗的优点是将传统的光电阴极制备与微通道板电子倍增技术结合，实现了直接通过微通道型光电阴极技术进行光电转换及电子倍增的功能，简化了光电探测器件的结构，降低了器件的成本，同时也大大提高了光电阴极量子效率。

公开(公告)号：CN103930649A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201280055695.2

申请日：2012-09-14

Applicant: 普拉德研究及开发股份有限公司

Inventor： M·西蒙 ,  A·杜尔科斯基 ,  C·斯托勒

IPC: E21B47/11

CPC classification number: H01J35/025 ,  E21B47/011 ,  E21B47/082 ,  E21B47/1015 ,  E21B49/00 ,  G01N9/24 ,  G01N23/20008 ,  G01N2035/00306 ,  G01N2201/0227 ,  G01N2223/05 ,  G01N2223/204 ,  G01N2223/30 ,  G01V3/12 ,  G01V3/30 ,  G01V5/0008 ,  G01V5/04 ,  G01V5/12 ,  H01J3/023 ,  H01J37/061 ,  H01J43/04 ,  H02M7/103 ,  H05G1/10 ,  H05H3/06 ,  H05H5/045 ,  Y10T29/41 ,  Y10T29/49117

Abstract: 一种测井工具可包括：探头外壳和由所述探头外壳承载的辐射发生器。辐射发生器可包括：发生器外壳；由所述发生器外壳承载的靶标；由所述发生器外壳承载的带电粒子源，以将带电粒子导向所述靶标；以及连接到所述带电粒子源的至少一个电压源。所述至少一个电压源可包括：包括以双极配置连接的多个电压倍增级的电压梯以及连接到沿所述电压梯的至少一个中间位置处的至少一个加感线圈。该测井工具还包括由所述探头外壳承载的至少一个辐射探测器。