公开(公告)号：OA764A

公开(公告)日：1967-11-15

申请号：OA50833

申请日：1964-12-12

Applicant: ELECTRONIQUE & PHYSIQUE

Inventor： PIETRI GEORGES

IPC: H01J29/62 ,  H01J43/08

CPC classification number: H01J43/08 ,  H01J29/624

公开(公告)号：WO2018058870A1

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：PCT/CN2017/071995

申请日：2017-01-21

Applicant: 北方夜视技术股份有限公司

Inventor： 孙建宁 ,  王志宏 ,  司曙光 ,  张勤东 ,  王兴超 ,  丛晓庆 ,  金睦淳 ,  李冬 ,  裴晶 ,  李婧雯

IPC: H01J43/08 ,  H01J9/12 ,  H01J9/46

CPC classification number: H01J9/12 ,  H01J9/46 ,  H01J43/08

Abstract: 一种高量子效率的微通道板型光电倍增管、制备设备及其制备方法，使大尺寸光电倍增管的量子效率得到较大幅度提高。

公开(公告)号：WO2009150416A2

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：PCT/GB2009/001444

申请日：2009-06-11

Applicant: RAPISCAN SECURITY PRODUCTS, INC. ,  MORTON, Edward, James

Inventor： MORTON, Edward, James

IPC: H01J43/00

CPC classification number: H01J43/30 ,  G01T1/16 ,  G01T1/167 ,  G01T1/208 ,  G01T3/06 ,  G01V5/0025 ,  G01V5/0091 ,  H01J40/04 ,  H01J43/08 ,  H01J43/18

Abstract: The invention provides a switchable photomultiplier switchable between a detecting state and a non-detecting state comprising a cathode upon which incident radiation is arranged to impinge. The photomultiplier also comprises a series of dynodes arranged to amplify a current created at the cathode upon detection of photoradiation. A first dynode of the series is operatively closest to the cathode and is at a first potential and the electrical potential of the cathode is switchable between a second potential, below the first potential, when the photomultiplier is in the detecting state and a third potential, above the second potential, when the photomultiplier is in the non-detecting state. The invention also provides a detection system arranged to detect radiation-emitting material in an object. The system comprises a detector switchable between a detecting state in which the detector is arranged to detect radiation and a non-detecting state in which the detector is arranged to not detect radiation. The system further comprises a controller arranged to control switching of the detector between the states such that the detector is switched to the non-detecting state whilst an external radiation source is irradiating the object.

Abstract translation: 本发明提供了一种可切换的光电倍增器，其可在检测状态和非检测状态之间切换，包括阴极，入射辐射布置在阴极上。 光电倍增管还包括一系列倍增电极，其布置成在检测到光辐射时放大阴极产生的电流。 该系列的第一倍增极操作地最接近阴极并且处于第一电位，并且当光电倍增管处于检测状态时，阴极的电位可在第一电位低于第二电位和第三电位之间切换， 高于第二电位，当光电倍增管处于非检测状态时。 本发明还提供了一种检测系统，用于检测物体中的辐射发射材料。 该系统包括可在检测器被布置成检测辐射的检测状态和检测器被布置为不检测辐射的非检测状态之间切换的检测器。 该系统还包括控制器，其被布置成控制检测器在状态之间的切换，使得当外部辐射源照射物体时检测器切换到非检测状态。

公开(公告)号：WO2007063678A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：PCT/JP2006/322138

申请日：2006-11-07

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 ,  鈴木 伸治 ,  永井 俊光 ,  下井 英樹

Inventor： 鈴木 伸治 ,  永井 俊光 ,  下井 英樹

IPC: H01J43/08 ,  H01J43/10 ,  H01J43/28

CPC classification number: H01J43/08 ,  H01J1/32 ,  H01J43/22

Abstract: 　この発明は、ソーラブラインド特性が高精度に調節された紫外線検出用の光電子増倍管に関する。当該光電子増倍管は、被検出光を内部に取り込むための窓部材を有する密封容器を備え、該密封容器内には、ホトカソードと、複数段のダイノードを含み、ホトカソードからの光電子をカスケード増倍する電子増倍部が配置されている。ホトカソードは、Ａｌ Ｘ Ｇａ １－Ｘ Ｎ（０≦Ｘ＜１）を含む。複数段のダイノードのうち、ホトカソードからの光電子を受ける第１段目のダイノードを含んだ連続する少なくとも２段のダイノードのそれぞれは、ベリリウム銅合金基板により構成され、各ベリリウム銅合金基板に設けられた複数の二次電子増倍孔の内壁には酸化ベリリウムを含む二次電子放出面が形成されている。

Abstract translation: 用于检测紫外线的光电倍增管，其中以高精度调节太阳盲特性。 光电倍增管包括具有用于吸收光的窗口部件的气密密封容器，并且包括光电阴极和多级二极管的电子倍增部分并且在光电阴极上对光电子进行级联倍增设置在密封容器中 。 光电阴极包含Al X 1 Ga 1-X N（0 = X 1）。 在二极管的多个阶段中，包括从光电阴极接收光电子的第一级二极管的至少两个连续阶段分别由铍铜合金基板构成，并且在其上形成包含氧化铍的二次电子发射表面 设置在每个铍铜合金基板中的多个二次电子倍增孔的内壁。

公开(公告)号：WO2005078760A1

公开(公告)日：2005-08-25

申请号：PCT/JP2005/002298

申请日：2005-02-16

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 ,  久嶋 浩之 ,  下井 英樹 ,  影山 明広 ,  井上 圭祐 ,  伊藤 益保

Inventor： 久嶋 浩之 ,  下井 英樹 ,  影山 明広 ,  井上 圭祐 ,  伊藤 益保

IPC: H01J43/28

CPC classification number: H01J43/08 ,  H01J9/26 ,  H01J43/04 ,  H01J43/24

Abstract: A photomultiplier having a structure for easily realizing high detection accuracy and microfabrication and its manufacturing method are disclosed. The photomultiplier (1a) comprises an enclosure (2, 3, 4) the inside of which is maintained in a vacuum state. In the enclosure (2, 3, 4), a photoelectric surface (22) for emitting electrons in response to the incident light, an electron multiplying section (31) for cascade-multiplying electrons emitted from the photoelectric surface (22), and an anode (32) for extracting secondary electrons produced by the electron multiplying section (31) are provided. A part of the enclosure (2, 3, 4) is composed of glass substrates (20, 40) each having a flat portion. On the flat portions of the glass substrates (20, 40), the electron multiplying section (31) and the anode (32) are two-dimensionally arranged, respectively.

Abstract translation: 公开了具有容易实现高检测精度和微细加工的结构的光电倍增管及其制造方法。 光电倍增器（1a）包括其内部保持在真空状态的外壳（2,3,4）。 在外壳（2,3,4）中，用于响应于入射光发射电子的光电面（22），用于级联乘法从光电表面（22）发射的电子的电子倍增部分（31）和 提供了用于提取由电子倍增部分（31）产生的二次电子的阳极（32）。 外壳（2,3,4）的一部分由各自具有平坦部分的玻璃基板（20,40）组成。 在玻璃基板（20,40）的平坦部分上，电子倍增部分（31）和阳极（32）分别二维排列。

公开(公告)号：WO2005066999A1

公开(公告)日：2005-07-21

申请号：PCT/JP2004/019342

申请日：2004-12-24

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 ,  大村 孝幸 ,  木村 末則 ,  伊藤 益保

Inventor： 大村 孝幸 ,  木村 末則 ,  伊藤 益保

IPC: H01J43/26

CPC classification number: H01J43/08

Abstract: A photomultiplier tube includes: a cathode (3) for emitting electrons by the incident light; a plurality of stages of dynode (107) for multiplying the electrons emitted from the cathode (3); and an electronic lens formation electrode (115) arranged at a predetermined position with respect to the edge of a first dynode (107a) located at the first stage from the cathode (3) and the edge of the second dynode (107b) located at the second stage from the cathode (3) and flattening the equipotential surface in the space between the first dynode (107a) and the second dynode (107b) in the longitudinal direction of the first dynode (107a). With this configuration, it is possible to improve the time resolution for the incident light.

Abstract translation: 光电倍增管包括：用于通过入射光发射电子的阴极（3）; 用于将从阴极（3）发射的电子相乘的多极化级（107）的多级; 以及电子透镜形成电极（115），其布置在相对于位于距阴极（3）的第一级的第一倍增电极（107a）的边缘和位于第二倍增电极（107b）的边缘处的预定位置处 从第二倍增电极（107a）到第二倍增极（107b）之间的空间中的等电位面平坦化。 利用这种配置，可以提高入射光的时间分辨率。

公开(公告)号：WO2014165544A1

公开(公告)日：2014-10-09

申请号：PCT/US2014/032579

申请日：2014-04-01

Applicant: KLA-TENCOR CORPORATION

Inventor： CHUANG, Yung-Ho Alex ,  BROWN, David L. ,  FIELDEN, John

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01J40/06 ,  H01J43/08 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/103

Abstract: A photomultiplier tube includes a semiconductor photocathode and a photodiode. Notably, the photodiode includes a p-doped semiconductor layer, an n-doped semiconductor layer formed on a first surface of the p-doped semiconductor layer to form a diode, and a pure boron layer formed on a second surface of the p-doped semiconductor layer. A gap between the semiconductor photocathode and the photodiode may be less than about 1 mm or less than about 500 µm. The semiconductor photocathode may include gallium nitride, e.g. one or more p-doped gallium nitride layers. In other embodiments, the semiconductor photocathode may include silicon. This semiconductor photocathode can further include a pure boron coating on at least one surface.

Abstract translation: 光电倍增管包括半导体光电阴极和光电二极管。 值得注意的是，光电二极管包括p掺杂半导体层，形成在p掺杂半导体层的第一表面上以形成二极管的n掺杂半导体层，以及在p掺杂的第二表面上形成的纯硼层 半导体层。 半导体光电阴极和光电二极管之间的间隙可以小于约1mm或小于约500μm。 半导体光电阴极可以包括例如氮化镓。 一个或多个p掺杂氮化镓层。 在其他实施例中，半导体光电阴极可以包括硅。 该半导体光电阴极还可以在至少一个表面上包括纯硼涂层。

公开(公告)号：WO2014132909A1

公开(公告)日：2014-09-04

申请号：PCT/JP2014/054284

申请日：2014-02-24

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 伏江　隆

IPC: G01T1/18 ,  H01J47/06

CPC classification number: H01J43/08 ,  G01T1/28 ,  G01T1/2935 ,  H01J9/125 ,  H01J47/026 ,  H01J47/06

Abstract: 　絶縁性を有するガラス基材１１と、ガラス基材１１の両主面に形成された導電層１２，１３と、ガラス基材１１と導電層１２，１３との積層体１４に形成された複数の貫通孔１５と、を備え、導電層表面への電圧印加時の両導電層間の電位差により貫通孔１５内に電界を形成して当該貫通孔内にて電子雪崩増幅を起こすように構成された電子増幅用基板１０であって、ガラス基材１１の少なくとも一方の主面上に、絶縁部２０が、当該絶縁部の一方の端部はガラス基材１１の貫通孔１５の開口部を取り囲み、かつ他方の端部が導電層の端部１２ａ、１３ａと接するように形成されている。

Abstract translation: 该电子放大基板（10）设有：具有绝缘性的玻璃基板（11） 形成在玻璃基板（11）的两个主表面上的导电层（12,13）; 以及形成在玻璃基板（11）的层叠层（14）和导电层（12,13）中的多个通孔（15），并且构成为使得在通孔内形成电场 （15），由于当对导电层表面施加电压时两个导电层之间的电位差，在通孔内产生电子雪崩放大，其中在玻璃基板的至少一个主表面 如图11所示，绝缘部件（20）形成为使得玻璃基板（11）的通孔（15）的开口被绝缘部分的一端包围，而另一端接触端（12a，13a） 的导电层。

公开(公告)号：WO2005078759A1

公开(公告)日：2005-08-25

申请号：PCT/JP2005/002302

申请日：2005-02-16

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 ,  久嶋 浩之 ,  下井 英樹 ,  影山 明広 ,  井上 圭祐 ,  伊藤 益保

Inventor： 久嶋 浩之 ,  下井 英樹 ,  影山 明広 ,  井上 圭祐 ,  伊藤 益保

IPC: H01J43/24

CPC classification number: H01J43/08 ,  H01J9/26 ,  H01J43/04 ,  H01J43/24

Abstract: A photomultiplier having a fine structure for realizing high multiplication efficiency. The photomultiplier comprises an enclosure the inside of which is maintained in a vacuum state. In the enclosure, a photoelectric surface for emitting photoelectrons in response to the incident light, an electron multiplying section for cascade-multiplying photoelectrons emitted from the photoelectric surface, and an anode for extracting secondary electrons produced by the electron multiplying section are provided. Especially a groove section for cascade-multiplying the photoelectrons from the photoelectric surface is formed in the electron multiplying section. On the surfaces of a pair of wall portions (311) defining the groove section, one or more projecting portions (311a) having secondary electron emitting surface are provided.

Abstract translation: 具有实现高倍增效率的精细结构的光电倍增管。 光电倍增管包括其内部保持在真空状态的外壳。 在外壳中，设置有用于响应于入射光发射光电子的光电表面，用于级联从光电表面发射的光电子的电子倍增部分和用于提取由电子倍增部分产生的二次电子的阳极。 特别地，在电子倍增部中形成用于从光电表面级联倍增光电子的槽部。 在限定槽部的一对壁部（311）的表面上设置有具有二次电子发射面的一个以上的突出部（311a）。

公开(公告)号：WO01063025A1

公开(公告)日：2001-08-30

申请号：PCT/JP2001/001287

申请日：2001-02-22

IPC: C30B29/04 ,  C23C16/27 ,  H01J1/34 ,  H01J40/06 ,  H01J43/08

CPC classification number: H01J43/08 ,  H01J1/34 ,  H01J40/06 ,  H01J2201/3421 ,  H01J2231/50021 ,  Y10T428/30

Abstract: A polycrystalline diamond thin film which has an average particle size of at least 1.5 mu m and a peak intensity in the vicinity of wavelength of 1580 cm in a Raman spectrum obtained by a Raman spectroscopy having a ratio of up to 0.2 with respect to a peak intensity in the vicinity of wave number of 1335 cm . A photocathode (2) and an electron tube (1) are each provided with the above polycrystalline diamond thin film as a light absorbing layer (22).

Abstract translation: 在通过拉曼光谱法获得的拉曼光谱中具有至少1.5μm的平均粒度和1580cm -1波长附近的峰强度的多晶金刚石薄膜，其具有高达0.2的比率与 相对于1335cm -1波数附近的峰值强度。 光电阴极（2）和电子管（1）均设有上述多晶金刚石薄膜作为光吸收层（22）。