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公开(公告)号:CN101176181B
公开(公告)日:2011-08-03
申请号:CN200480038817.2
申请日:2004-12-21
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/04 , C01B2202/36 , H01J1/304 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明公开了外径小于10纳米并且管壁数量小于10的碳纳米管材料。本发明还公开了包括衬底、任选的促进附着层和电场发射材料层的电场发射元件。电场发射材料包括每根碳管的同心石墨片层(graphene)壁的数量从2至10、外径从2至8纳米、并且纳米管长度大于0.1微米的碳纳米管。一种制备碳纳米管的方法,包括步骤(a)生产负载在MgO粉末上的含Fe和Mo的催化剂;(b)使用氢气和含碳气体的混合物作为前体;以及(c)加热该催化剂到950℃以上以产生碳纳米管。另一种制造电场发射阴极的方法,包括步骤(a)合成包含每根碳管的同心石墨片层壁的数量从2至10、外径从2至8纳米并且纳米管长度大于0.1微米的碳纳米管的电场发射材料;(b)在适当的溶剂中分散该电场发射材料;(c)将该电场发射材料沉积到衬底上;以及(d)将该衬底退火。
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公开(公告)号:CN1815665B
公开(公告)日:2011-07-06
申请号:CN200510131579.6
申请日:2005-11-15
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , C01B32/168 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 碳纳米管、电子发射源、电子发射装置和其制造方法本发明提供了一种X射线衍射的半峰全宽是0.6或更低的碳纳米管、包括该碳纳米管的电子发射源和包括该电子发射源的电子发射装置。
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公开(公告)号:CN101290857B
公开(公告)日:2011-06-22
申请号:CN200710074133.3
申请日:2007-04-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2329/00
Abstract: 本发明涉及一种场发射阴极,其包括一导电基底和一碳纳米管薄膜,其中,该碳纳米管薄膜包括择优取向排列的多个碳纳米管束首尾相连且平行于导电基底设置,部分碳纳米管从该碳纳米管薄膜中突出。本发明还涉及一种场发射阴极的制备方法,其包括以下步骤:提供一导电基底;提供至少一层碳纳米管薄膜,该碳纳米管薄膜包括择优取向排列的多个碳纳米管束首尾相连,部分碳纳米管从该碳纳米管薄膜中突出;以及将上述碳纳米管薄膜粘附固定于上述导电基底形成场发射阴极。
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公开(公告)号:CN102087949A
公开(公告)日:2011-06-08
申请号:CN201010618202.4
申请日:2010-12-31
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J41/06
CPC classification number: H01J41/06 , G01L21/34 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种真空规管,其包括:一冷阴极,其包括一阴极发射单元和与所述阴极发射单元相对设置的一栅极;一屏蔽极,其包括一收容空间和两个端部,该屏蔽极的一端与所述冷阴极相对设置;一阳极环,该阳极环设置于所述屏蔽极的收容空间内;一收集极,其与所述屏蔽极的另一端相对设置;所述阴极发射单元包括至少一电子发射体,该所述电子发射体包括一碳纳米管管状结构,所述碳纳米管管状结构具有一中空的线状轴心,所述碳纳米管管状结构为多个碳纳米管围绕该中空的线状轴心组成,所述碳纳米管管状结构沿所述线状轴心的一端延伸出多个电子发射尖端。本发明提供的真空规管具有良好的灵敏度。
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公开(公告)号:CN102024635A
公开(公告)日:2011-04-20
申请号:CN201010563926.3
申请日:2010-11-29
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种电子发射体,所述电子发射体为一碳纳米管复合线状结构,所述碳纳米管复合线状结构包括一导电线状结构及一碳纳米管层设置在所述导电线状结构的表面,所述碳纳米管层环绕所述导电线状结构形成一碳纳米管管状结构,在所述碳纳米管复合线状结构的一端,所述碳纳米管管状结构延伸出多个电子发射尖端。本发明还涉及一种电子发射元件,包括:一导电基体;以及一上述的电子发射体,所述电子发射体与所述导电基体电连接,所述电子发射体具有多个电子发射尖端的一端沿远离所述导电基体的方向延伸。
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公开(公告)号:CN1828802B
公开(公告)日:2011-01-05
申请号:CN200610058899.8
申请日:2006-03-02
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J29/04 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455
Abstract: 一种形成电子发射源的组合物,其包括碳基材料;由树脂组分和溶剂组分构成的载体;和至少一种选自Al2O3、TiO2和SiO2的、平均颗粒直径为100-1000nm的金属氧化物。在形成电子发射源的过程中,所述形成电子发射源的组合物在空气气氛中烧结。所以,可以显著降低在烧结后的碳沉积以及烧结时的碳纳米管(CNT)的退化。因此,采用所述组合物形成的电子发射源具有高电流密度,采用所述电子发射源的电子发射器件的可靠性得到改进。
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公开(公告)号:CN101321687B
公开(公告)日:2010-12-15
申请号:CN200680045753.8
申请日:2006-12-01
Applicant: 韩国电子通信研究院
IPC: B82B3/00
CPC classification number: H01J9/025 , B22F2999/00 , C22C2026/002 , H01J1/304 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469 , B22F1/0022 , B22F1/0018 , B22F1/0074
Abstract: 提供添加有纳米尺寸颗粒的碳纳米管(CNT)浆料的制造方法,以及用于场发射显示器(FED)具有高可靠性的CNT发射器的制造方法。该方法包括步骤:(i)将CNT粉末分散在溶剂中;(ii)添加有机粘合剂到分散有CNT粉末的溶液中;(iii)执行研磨工艺来调整添加有该有机粘合剂的分散溶液的粘性,其中在步骤(i)或(iii)中添加纳米尺寸金属颗粒。因此,纳米尺寸金属颗粒被添加作为CNT浆料的金属填料,且因此金属可以在CNT不劣化的低温下熔化。因此,CNT浆料和阴极之间的粘着力可以改善,并且阴极和CNT之间或者各CNT之间的电阻可以减小。另外,通过上述方法制造的CNT浆料用于制造CNT发射器,从而获得从CNT发射器的均匀电子发射并增加电子发射位置,且因此CNT发射器的可靠性可以进一步改善。
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公开(公告)号:CN101214946B
公开(公告)日:2010-11-17
申请号:CN200810002110.6
申请日:2005-06-23
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , H01J9/025 , H01J2201/30457 , H01J2201/30469
Abstract: 具有优良特性的碳纤维非常均匀地形成在衬底上。提供一种制造碳纤维的方法,包括如下步骤:将由第一催化剂材料和包含第二催化剂材料的颗粒形成的层状体设置在衬底上,使第一和第二催化剂材料之间进行反应以从其中形成催化剂颗粒,以及使由此获得的催化剂颗粒和碳纤维的原材料之间进行反应。结果,在衬底上形成了碳纤维。
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公开(公告)号:CN1732549B
公开(公告)日:2010-11-10
申请号:CN03808249.7
申请日:2003-04-11
Applicant: 毫微-专卖股份有限公司
CPC classification number: C23C18/1644 , B82Y10/00 , C23C18/31 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明致力于金属化碳纳米管,用化学镀技术制作金属化碳纳米管的方法,将金属化碳纳米管撒布到衬底上的方法,以及对准磁活动的金属化碳纳米管的方法。本发明也致力于包括金属化碳纳米管的冷阴极场发射材料,以及将金属化碳纳米管用作冷阴极场发射器的方法。
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公开(公告)号:CN1949449B
公开(公告)日:2010-09-29
申请号:CN200510100365.2
申请日:2005-10-14
Applicant: 北京富纳特创新科技有限公司 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/14 , H01J1/15 , H01J1/20 , H01J1/304 , H01J2201/19 , H01J2201/196 , H01J2201/30449 , H01J2201/30469 , H01J2201/30496
Abstract: 本发明涉及一种电子发射器件,其包括:一电子发射体,其包括一维纳米结构;一相对于该电子发射体设置的阳极;一第一电源,用于在该电子发射体与阳极之间施加一电压以在该电子发射体与阳极之间形成一电场;及一第二电源,用于向该电子发射体施加一加热电压。本发明通过设置一第二电源向电子发射体施加一加热电压,可产生一加热电流对该电子发射体加热以产生一发射电流;此加热电压一方面可去除电子发射体表面的吸附物质,可获取稳定性较佳的发射电流;另一方面,该加热电压较低,发射电流大小可通过调节该加热电压方便调节。
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