公开(公告)号：CN101326607A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200680046273.3

申请日：2006-11-17

Applicant: 伊莱楚维克股份公司

Inventor： 唐新和

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/3048 ,  H01J63/02 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及场发射层(3)、优选用于荧光屏应用的场发射层(3)的制备方法，根据该方法，为了改善工作寿命和长期稳定性，将由聚合物(11)和碳纳米纤维(4)组成的混合物施加至归于阴极(1)的阴极电极(8)上，所述碳纳米纤维(4)在低氧的、特别是无氧的气氛中在大于2,000℃、特别是大于2,500℃、优选约3,000℃的温度下硬化，以及将带有碳纳米纤维(4)/聚合物(11)混合物的阴极电极(8)在至少含氧的气氛例如空气中加热至300℃－500℃、优选380℃－480℃、特别是420℃－450℃的温度，由于氧导致聚合物基体(7)的热解和/或硬化，以及至少一部分碳纳米纤维(4)露出该碳纳米纤维(4)空间尺寸的至少一部分，特别是碳纳米纤维(4)长度的至少一部分，尤其是长度的至少一半。

公开(公告)号：CN101285960A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200710074018.6

申请日：2007-04-13

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 刘亮 ,  唐洁 ,  郑直 ,  潜力 ,  范守善

IPC: G02F1/13357 ,  H05B33/00

CPC classification number: H01J63/02 ,  H01J1/304 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/0455

Abstract: 本发明涉及一种场发射背光源。所述的场发射背光源包括阳极基板、阴极基板及设置在阳极基板上的荧光层，所述阳极基板与所述荧光层之间设置有光反射层，所述阴极基板是透明的，所述阴极基板上设置有透明导电层及透光的阴极，所述阴极包括碳纳米管。所述场发射背光源的出射光具有高均匀性。

公开(公告)号：CN101214946A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200810002110.6

申请日：2005-06-23

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩城孝志 ,  塚本健夫

IPC: C01B31/02 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2201/30469

Abstract: 具有优良特性的碳纤维非常均匀地形成在衬底上。提供一种制造碳纤维的方法，包括如下步骤：将由第一催化剂材料和包含第二催化剂材料的颗粒形成的层状体设置在衬底上，使第一和第二催化剂材料之间进行反应以从其中形成催化剂颗粒，以及使由此获得的催化剂颗粒和碳纤维的原材料之间进行反应。结果，在衬底上形成了碳纤维。

公开(公告)号：CN101192490A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200610157055.9

申请日：2006-11-24

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 柳鹏 ,  范守善 ,  刘亮 ,  姜开利

IPC: H01J1/316 ,  H01J3/02 ,  H01J29/04 ,  H01J37/06

CPC classification number: H01J1/316 ,  B82Y10/00 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/3165

Abstract: 本发明涉及一种表面传导电子发射元件(Surface－Conduction Electron Emitter，简称SCE)。该表面传导电子发射元件包括一基板，一对位于基板上的平行电极及多个碳纳米管。本发明还涉及一电子源，该电子源包括一基板及多个上述SCE，多个SCE于基板上平行排列。该SCE与电子源可应用于表面传导电子发射显示装置(Surface Conduction Electron Emitter Display，简称SED)。

公开(公告)号：CN101188179A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200610156847.4

申请日：2006-11-15

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  肖林 ,  朱峰 ,  唐洁 ,  刘亮 ,  范守善

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J29/04 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种场发射电子源的制造方法，其包括：提供至少一个阴极导电体、制备一定量的碳纳米管浆料和导电浆料；在阴极导电体上涂敷一层导电浆料，将导电浆料加热形成导电浆料层；在导电浆料层上涂敷一层碳纳米管浆料，将碳纳米管浆料加热从而在导电浆料层上形成碳纳米管浆料层；以及将形成有导电浆料层和碳纳米管浆料层的导电体在300～600℃条件下进行烘干和焙烧从而在导电体的表面上形成导电层和碳纳米管电子发射层，进而得到场发射电子源。

公开(公告)号：CN101118831A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200610061946.4

申请日：2006-08-02

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 杨远超 ,  魏洋 ,  刘亮 ,  姜开利 ,  范守善

IPC: H01J31/12 ,  H01J31/15 ,  H01J63/00 ,  H01J29/02 ,  H01J29/04 ,  H01J1/304 ,  H01J1/46 ,  H01J29/94

CPC classification number: H01J29/04 ,  B82Y10/00 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/86

Abstract: 本发明涉及一种三极型场发射像素管。该三极型场发射像素管包括一个中空壳体，一个荧光物质层，一个阳极层，一个阴极发射体和一个栅极体，该壳体具有一个出光部，该荧光物质层和阳极层依次形成在该出光部的内壁上，该阴极发射体设置在中空壳体内部与出光部相对的位置，该栅极体位于中空壳体内并靠近阴极发射体设置，其中，该阴极发射体包括一个碳纳米管线，该碳纳米管线作为电子发射源。

公开(公告)号：CN101104514A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710106322.4

申请日：2000-10-27

Applicant: 威廉马歇莱思大学

Inventor： R·E·斯莫利 ,  D·T·科尔伯特 ,  K·A·史密斯 ,  D·A·沃尔特斯 ,  M·J·卡萨万特 ,  C·B·霍夫曼 ,  B·I·雅各布松 ,  R·H·海于格 ,  R·K·塞尼 ,  江琬婷 ,  秦小川

IPC: C01B31/02 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/168 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/08 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/75 ,  Y10S977/845 ,  Y10S977/847 ,  Y10T156/10

Abstract: 公开了一种单壁碳毫微管的宏观集合体，它是由经排列的单壁碳毫微管组成的，所述单壁碳毫微管包括选自端部衍生化的单壁碳毫微管、侧壁衍生化的单壁碳毫微管或其组合的衍生化的单壁碳毫微管。

公开(公告)号：CN101097829A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200610061416.X

申请日：2006-06-30

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 杨远超 ,  魏洋 ,  刘亮 ,  姜开利 ,  范守善

IPC: H01J31/12 ,  H01J63/00 ,  H01J29/86 ,  H01J29/02 ,  H01J29/04 ,  H01J1/63 ,  H01J1/304 ,  H01J7/18 ,  C01B31/00 ,  B82B1/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J31/123 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/86

Abstract: 本发明涉及一种二极型场发射像素管。该场发射像素管包括：一个中空壳体，该壳体具有一个出光部，该出光部的内壁依次涂敷有荧光物质和阳极层。所述壳体内部是真空密封的，并且该壳体内部与该出光部相对处有一个阴极发射体，该阴极发射体的尖端为碳纳米线。该二极型场发射像素管利用碳纳米线的优异场发射性能和方便操作的机械特性，改善了场发射像素管的发光性能并简化了制造难度。

公开(公告)号：CN101051595A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200610060186.5

申请日：2006-04-05

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏巍 ,  姜开利 ,  范守善

IPC: H01J37/06 ,  C01B31/00 ,  B82B1/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/3044 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/00

Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管场发射电子源，其包括：一导电基体、至少一碳纳米管和一表面修饰层，该导电基体具有一顶部，该碳纳米管一端与该导电基体顶部电性连接，另一端沿该导电基体顶部向外延伸，该表面修饰层均匀分布和浸润于该碳纳米管的表面，并覆盖该碳纳米管向外延伸的一端，该表面修饰层的选出功低于碳纳米管的逸出功。

公开(公告)号：CN101051583A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200610142801.7

申请日：2006-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵恩珠 ,  闵约赛 ,  朴玩濬

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供一种使用碳纳米管的场发射电极及制造其的方法。该场发射电极包括基板、形成在基板上的ZnO层、及形成在ZnO层上的碳纳米管。因此，场发射装置的驱动电压可通过向场发射装置应用包括形成在ZnO层上的单壁碳纳米管的电极而降低。