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    由摻鈦石英極紫外線平板印刷所用鏡基板胚件之方法，以及胚件缺陷之定位系統
    41.
    发明专利
    由摻鈦石英極紫外線平板印刷所用鏡基板胚件之方法，以及胚件缺陷之定位系統 审中-公开
    由掺钛石英极紫外线平板印刷所用镜基板胚件之方法，以及胚件缺陷之定位系统

    公开(公告)号：TW201506389A

    公开(公告)日：2015-02-16

    申请号：TW103120956

    申请日：2014-06-18

    Applicant: 何瑞斯廓格拉斯公司 ,  HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG

    Inventor： 貝克 克勞斯 ,  BECKER, KLAUS

    IPC: G01N21/958 ,  B24B13/00 ,  B24B49/12

    CPC classification number: B24B49/12 ,  B24B7/241 ,  B24B13/0018 ,  G01N21/8851 ,  G01N21/958 ,  G01N2021/8861 ,  G01N2021/8967 ,  G01N2201/06113

    Abstract: 對於極紫外線平版印刷所用之摻鈦石英玻璃而言，其大型光學器械之製造及品管，既有技術之一般測量方法對於玻璃材料缺陷之定位並不足夠。因此，建議一種方法，用以製造一極紫外線平版印刷所用、厚度至少為40毫米之摻鈦石英玻璃鏡基板胚件，其具下列方法步驟：a)磨平該胚件表面b)獲取該胚件表面層之缺陷資料，其中b1)光線以一小於90°之預定入射角α，入射於該胚件平坦表面之一點，b2)該光線在胚件內之一缺陷產生散射，而且b3)於胚件表面距入射點距離x之處，以一垂直置於上方之光線收集元件偵測其散射光；c)根據方法步驟b)所獲得資料，確定其表面層之缺陷位置d)參照方法步驟c)所得之定位以及該鏡基板胚件之成型，將其表面層局 部或全部去除。(第1a圖)

    Abstract in simplified Chinese: 对于极紫外线平版印刷所用之掺钛石英玻璃而言，其大型光学器械之制造及品管，既有技术之一般测量方法对于玻璃材料缺陷之定位并不足够。因此，建议一种方法，用以制造一极紫外线平版印刷所用、厚度至少为40毫米之掺钛石英玻璃镜基板胚件，其具下列方法步骤：a)磨平该胚件表面b)获取该胚件表面层之缺陷数据，其中b1)光线以一小于90°之预定入射角α，入射于该胚件平坦表面之一点，b2)该光线在胚件内之一缺陷产生散射，而且b3)于胚件表面距入射点距离x之处，以一垂直置于上方之光线收集组件侦测其散射光；c)根据方法步骤b)所获得数据，确定其表面层之缺陷位置d)参照方法步骤c)所得之定位以及该镜基板胚件之成型，将其表面层局 部或全部去除。(第1a图)

    用於製造經鈦摻雜之合成石英玻璃之方法
    43.
    发明专利
    用於製造經鈦摻雜之合成石英玻璃之方法 审中-公开
    用于制造经钛掺杂之合成石英玻璃之方法

    公开(公告)号：TW201437156A

    公开(公告)日：2014-10-01

    申请号：TW103104470

    申请日：2014-02-11

    Applicant: 何瑞斯廓格拉斯公司 ,  HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG

    Inventor： 法畢安 漢斯 ,  FABIAN, HEINZ ,  湯瑪士 史蒂分 ,  THOMAS, STEPHAN

    IPC: C03B20/00 ,  C03C3/06

    CPC classification number: C03B19/1415 ,  C03B19/14 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/42 ,  C03B2207/32 ,  C03B2207/34 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/42 ,  C03C2203/40

    Abstract: 本發明係關於一種用於製造經鈦摻雜之合成石英玻璃之已知方法，其包含以下程序步驟：(A)提供液體SiO2原料材料(105)，其包含大於60重量%聚烷基矽氧烷D4；(B)蒸發該液體SiO2原料材料(105)以產生氣態SiO2原料蒸氣(107)；(C)蒸發液體TiO2原料材料(205)以產生氣態TiO2原料蒸氣(207)；(D)將該SiO2原料蒸氣(107)及該TiO2原料蒸氣分別轉化成SiO2粒子及TiO2粒子；(E)將該等SiO2粒子及該等TiO2粒子沈積於沈積表面(160)上，同時形成經鈦摻雜之SiO2灰體(200)；(F)使該經鈦摻雜之SiO2灰體玻璃化，同時形成該合成石英玻璃，由此該合成石英玻璃之TiO2濃度係在5重量%與11重量%之間。根據本發明之範疇，該液體SiO2原料材料(105)包含至少一種由重量分率為mD3之聚烷基矽氧烷D3製成之其他組份及一種由重量分率為mD5之聚烷基矽氧烷D5製成之其他組份(mD3/mD5之重量比在0.01至1範圍內)，且蒸發所提供之該液體SiO2原料材料(105)同時保持mD3/mD5之重量比，且使其至少99重量%蒸發以形成該氣態SiO2原料蒸氣(107)。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种用于制造经钛掺杂之合成石英玻璃之已知方法，其包含以下进程步骤：(A)提供液体SiO2原料材料(105)，其包含大于60重量%聚烷基硅氧烷D4；(B)蒸发该液体SiO2原料材料(105)以产生气态SiO2原料蒸气(107)；(C)蒸发液体TiO2原料材料(205)以产生气态TiO2原料蒸气(207)；(D)将该SiO2原料蒸气(107)及该TiO2原料蒸气分别转化成SiO2粒子及TiO2粒子；(E)将该等SiO2粒子及该等TiO2粒子沉积于沉积表面(160)上，同时形成经钛掺杂之SiO2灰体(200)；(F)使该经钛掺杂之SiO2灰体玻璃化，同时形成该合成石英玻璃，由此该合成石英玻璃之TiO2浓度系在5重量%与11重量%之间。根据本发明之范畴，该液体SiO2原料材料(105)包含至少一种由重量分率为mD3之聚烷基硅氧烷D3制成之其他组份及一种由重量分率为mD5之聚烷基硅氧烷D5制成之其他组份(mD3/mD5之重量比在0.01至1范围内)，且蒸发所提供之该液体SiO2原料材料(105)同时保持mD3/mD5之重量比，且使其至少99重量%蒸发以形成该气态SiO2原料蒸气(107)。

    用於製造石英玻璃之二氧化矽泥漿以及該泥漿之使用 SiO2-SCHLICKER FUR DIE HERSTELLUNG VON QUARZGLAS SOWIE VERWENDUNG DES SCHLICKERS
    44.
    发明专利
    用於製造石英玻璃之二氧化矽泥漿以及該泥漿之使用 SiO2-SCHLICKER FUR DIE HERSTELLUNG VON QUARZGLAS SOWIE VERWENDUNG DES SCHLICKERS 审中-公开
    用于制造石英玻璃之二氧化硅泥浆以及该泥浆之使用 SiO2-SCHLICKER FUR DIE HERSTELLUNG VON QUARZGLAS SOWIE VERWENDUNG DES SCHLICKERS

    公开(公告)号：TW200840804A

    公开(公告)日：2008-10-16

    申请号：TW096133974

    申请日：2007-09-12

    Applicant: 何瑞斯廓格拉斯公司 HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG

    Inventor： 瓦特圖勞德 維德克 WALTRAUD WERDECKER ,  諾貝特 特瑞格 NORBERT TRAEGER ,  茱根 韋伯 JURGEN WEBER

    IPC: C03C ,  C03B

    CPC classification number: C03C17/02 ,  C03B19/06 ,  C03B19/066 ,  C03B20/00 ,  C03C2218/11

    Abstract: 一種已知用於製造石英玻璃之二氧化矽泥漿,含一均散液及非晶形且粒徑最大為500微米之二氧化矽顆粒,其中粒徑範圍介於1微米至60微米間之二氧化矽顆粒佔體積最大部分,且粒徑小於100奈米之二氧化矽奈米顆粒之含量介於0.2%(重量)至15%(重量)(占總固體物質含量)之範圍內。為了據此製備一泥漿,其流動特性尤其針對抽取或倒出泥漿質體之加工方面及針對不產生裂痕之乾燥及燒結方面皆被調整至最適狀態,本發明建議,該二氧化矽顆粒具多形態之粒徑分佈,其第一種粒徑分佈最大値範圍介於1微米至3微米間且第二種粒徑分佈最大値範圍介於5微米至50微米間,且固體物質含量(二氧化矽顆粒及二氧化矽奈米顆粒之總量)之範圍介於83%至90%間。

    Abstract in simplified Chinese: 一种已知用于制造石英玻璃之二氧化硅泥浆,含一均散液及非晶形且粒径最大为500微米之二氧化硅颗粒,其中粒径范围介于1微米至60微米间之二氧化硅颗粒占体积最大部分,且粒径小于100奈米之二氧化硅奈米颗粒之含量介于0.2%(重量)至15%(重量)(占总固体物质含量)之范围内。为了据此制备一泥浆,其流动特性尤其针对抽取或倒出泥浆质体之加工方面及针对不产生裂痕之干燥及烧结方面皆被调整至最适状态,本发明建议,该二氧化硅颗粒具多形态之粒径分布,其第一种粒径分布最大値范围介于1微米至3微米间且第二种粒径分布最大値范围介于5微米至50微米间,且固体物质含量(二氧化硅颗粒及二氧化硅奈米颗粒之总量)之范围介于83%至90%间。

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