公开(公告)号：CN105388463A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510531215.0

申请日：2015-08-26

Applicant: 富士通天株式会社 ,  旭化成微电子株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 榎本大舖 ,  小松和弘 ,  岩井健太 ,  田中健志 ,  上原稔 ,  榊原毅 ,  草川直人 ,  北川英树

IPC: G01S7/292

CPC classification number: H04L27/08 ,  G01S7/4021 ,  G01S13/345 ,  G01S13/42 ,  G01S13/931 ,  G01S2007/4073 ,  H04B1/123 ,  H04B1/16 ,  G01S7/2922

Abstract: 一种接收信号处理设备、雷达以及物体检测方法。根据实施例的信号处理设备包括多个信号处理单元以及伪信号生成单元。在多个接收天线中提供多个信号处理单元，多个接收天线接收发送信号在物体上反射的反射信号，以及多个信号处理单元对基于发送信号和反射信号生成的差拍信号并行执行信号处理。伪信号生成单元生成对差拍信号进行模拟的伪信号，并将伪信号作为信号处理的对象并行输入到多个信号处理单元中。

公开(公告)号：CN105103444A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201480018928.0

申请日：2014-03-27

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 松冈大辅

IPC: H03F3/70 ,  H03F3/45

CPC classification number: H03F3/005 ,  H02M3/07 ,  H03F1/0205 ,  H03F3/45076 ,  H03F3/45183 ,  H03F2200/297 ,  H03F2200/513 ,  H03F2203/45012 ,  H03F2203/45674

Abstract: 不另外通过电荷泵电路等生成运算放大器的正或负的电源电压，就输出超过电源电压的输出信号振幅或低于接地电压的输出信号振幅。本发明提供一种信号输出电路，其具备运算放大器，该运算放大器具有将差动输入电压放大的放大级以及将通过上述放大级放大后的输入信号放大并作为输出信号输出的输出级，该信号输出电路的特征在于，上述输出级为开关电容电路，其具有开关以及对从上述放大级输出的输入电压和与上述输入电压不同的电压之间的差电压进行采样的电容器，通过上述开关的开关动作，以上述输入电压为基准来传送由上述电容器所采样的上述差电压。

公开(公告)号：CN103155346B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201280003175.7

申请日：2012-03-16

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 相浦正巳

IPC: H02J7/02 ,  H01M10/44

CPC classification number: H02J7/0068 ,  H01M10/425 ,  H01M10/44 ,  H01M2010/4271 ,  H02J7/0019

Abstract: 将用于将电荷充入串联单元的线圈以及用于保持串联单元间的电压的平衡的线圈共享化来使电路整体的结构进一步小型化。将线圈设置成由第一以及第二蓄电单元共用。将线圈与蓄电单元的一方电连接来进行充电、之后将上述线圈与另一方电连接来进行充电。设置用于对流经线圈的充电电流的路径进行切换的多个开关。在第一充电期间内形成通过线圈流向基准电压的充电电流的路径，在第二充电期间内形成从线圈流向第二单元的充电电流的路径，在第三充电期间内形成通过线圈流向基准电压的充电电流的路径，在第四充电期间内使线圈的一端与第一单元的一端导通、线圈的另一端与第一单元的另一端导通来形成从线圈流向第一单元的充电电流的路径。

公开(公告)号：CN104685789A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201480002489.4

申请日：2014-08-13

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 山本竜蔵 ,  中西纯弥 ,  中元圣子

IPC: H03M1/08 ,  H03M1/12 ,  H03M1/66

CPC classification number: H03M1/0614 ,  H03F1/3247 ,  H03M1/00 ,  H03M1/08 ,  H03M1/0863 ,  H03M1/12 ,  H03M1/66 ,  H03M1/747 ,  H04B2001/7154 ,  H04L27/2647

Abstract: 本发明涉及一种D/A转换器的控制方法和D/A转换器、A/D转换器的控制方法和A/D转换器，其不使用自举电路等大规模电路就能够抑制既存的n次谐波。本发明的D/A转换器(10)是能够抑制模拟输出信号的既存的n次谐波(n为2以上的整数)的产生的D/A转换器(10)。具备将输入的数字信号转换为模拟信号的D/A转换部(11)、任意地控制该D/A转换部(11)的采样阶段和积分阶段的定时的控制部(12)。D/A转换部(11)构成为产生任意的n次谐波，使任意的n次谐波与具有既存的n次谐波的模拟输出信号重叠。

公开(公告)号：CN104685614A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201380051565.6

申请日：2013-10-11

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 松田顺一

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66681

Abstract: 提供一种能够分别提高截止状态的漏极耐压以及导通状态的漏极耐压的场效应晶体管和半导体装置。具备：场氧化膜(31)，其配置在位于硅衬底(1)中的沟道区域与N型漏极(9)之间的N型漂移区(20)之上；N型漂移层(21)，其配置在硅衬底(1)中的漂移区(20)和漏极(9)之下；以及埋入层(51)，其P型杂质浓度比硅衬底(1)的P型杂质浓度高。埋入层(51)在硅衬底(1)中配置在除了漏极(9)的至少一部分的下方以外的漂移层(21)之下。

公开(公告)号：CN104303065A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201380024243.2

申请日：2013-05-31

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 藤田泰介 ,  冈武茂树

IPC: G01R33/07 ,  H01L43/06

CPC classification number: G01R35/00 ,  G01D3/0365 ,  G01D5/142 ,  G01D5/145 ,  G01K13/00 ,  G01R33/07 ,  H01L43/06

Abstract: 本发明涉及一种抑制布局面积的增大、消耗电流的增加并通过进行应力校正和温度校正来高精度地校正霍尔元件的磁灵敏度的霍尔电动势校正装置和霍尔电动势校正方法。霍尔电阻测量部(13)测量霍尔元件(11)所具有的多个电极间的两个方向以上的通电方向的霍尔电阻值(VR)。霍尔电动势测量部(14)测量霍尔元件的霍尔电动势(VH)。温度测量部(15)测量霍尔元件的环境温度。校正信号生成部(20)根据霍尔电阻测量部测量得到的霍尔电阻值和温度测量部的温度输出值(T)来校正霍尔电动势。校正系数运算电路(21)根据由霍尔电阻测量部测量出的霍尔电阻值和由温度测量部测量出的温度输出值来计算校正系数(K)。校正系数由应力校正系数(Kσ)和温度校正系数(KT)构成。

公开(公告)号：CN102640405B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201180004774.6

申请日：2011-11-10

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 浜田刚志 ,  小泉佳彦

IPC: H02M3/07 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: H02M3/07 ,  G11C5/145

Abstract: 本发明提供一种最佳地降低消耗电力的电荷泵电路。通过电容器(201a)、电容器(201b)、电容器(201c)以及对电容器(201a～201c)进行电连接或者电分离的开关元件(202a～202k)，反复进行以下状态：第一状态，上述电容器(201a、201b)中蓄积从输入电源电压(VDD)提供的电荷；第二状态，电容器(201a)中蓄积的电荷被传送给第三电容器(201c)，并且利用电容器(201b)中蓄积的电荷保持正的输出电源电压(VCC)；第三状态，电容器(201a、201b)中蓄积从输入电源提供的电荷；以及第四状态，电容器(201b)中蓄积的电荷被传送给第三电容器(201c)，并且利用电容器(201a)中蓄积的电荷保持正的输出电源电压(VCC)。

公开(公告)号：CN102460199B

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201080028529.4

申请日：2010-06-29

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 渡边隆行

IPC: G01R33/02 ,  G01R33/07 ,  G01R35/00 ,  H01L43/06

CPC classification number: G01R33/07 ,  G01R33/072 ,  H01L43/065

Abstract: 本发明提供一种能够在晶圆上调整灵敏度并且批量生产性良好的特性偏差小的磁传感器。磁传感器具备十字形状图案的感磁部(21)，该感磁部(21)设置在衬底(26)上，由化合物半导体形成。该感磁部(21)具备输入端子(21a、21b)和输出端子(21c、21d)，在输入端子(21a、21b)中的至少一个输入端子(21a)上经由连接电极(24)串联连接有具有化合物半导体的修调部(23)。一边进行晶圆检查(电检查)一边对经由连接电极(24)与感磁部(21)串联连接的修调部(23)进行激光修调，由此能够调整恒定电压灵敏度。

公开(公告)号：CN103415916A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201280012395.6

申请日：2012-03-09

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 坂本敏郎

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66492 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823456 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明提供一种具有使BLDD结构高耐压化、能够充分抑制热载流子劣化的漏区并能够实现高耐ESD性的半导体装置、半导体装置的制造方法。形成具备MOS晶体管的半导体装置，该MOS晶体管具有形成于半导体衬底内的源区和漏区以及形成于该源区和漏区之间的沟道区。此时，从注入到沟道区的P型杂质放出而有助于导电的空穴的浓度，在接近漏区的一侧低于接近源区的一侧，漏区包含注入了N型杂质的漂移区，漂移区构成为除了在半导体衬底的表面附近以外还从漏区向沟道区一侧延伸。

公开(公告)号：CN103403860A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280011799.3

申请日：2012-03-02

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 长仓浩太郎

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32105 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明涉及制造可抑制容量值的施加电场依赖性上升及电介质膜的初始缺陷这两者的双层多晶硅电容元件。该双层多晶硅电容元件包含：注入有磷离子的下部电极；形成在下部电极上的电介质膜；以及形成在该电介质膜上的上部电极，电介质膜包含将用来形成下部电极的多晶硅膜的一部分氧化而形成的表层部被蚀刻掉的热氧化膜以及形成在热氧化膜上的沉积氧化膜。